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    Halbleiteranordnung
    1.
    发明专利
    Halbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102013204275B4

    公开(公告)日：2022-01-05

    申请号：DE102013204275

    申请日：2013-03-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  HARFMANN MARKUS ,  KOTEK MANFRED ,  KRENN CHRISTIAN ,  NEIDHART THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: Halbleiteranordnung, die aufweist:eine auf einem Halbleiterträger (2) angeordnete erste Halbleiterzone (1) eines ersten Leitungstyps (n), die ein Halbleitergrundmaterial aufweist, das mit einem ersten Dotierstoff und einem zweiten Dotierstoff dotiert ist, wobei der erste Dotierstoff Phosphor und der zweite Dotierstoff Arsen oder Antimon ist und das Halbleitergrundmaterial Silizium oder Siliziumkarbid ist, undeine auf der ersten Halbleiterzone (1) angeordnete Epitaxieschicht (3), die eine niedrigere Dotierungskonzentration als die erste Halbleiterzone (1) aufweist, undeine in der Epitaxieschicht (3) angeordnete Bauelementzone (4, 5) eines Halbleiterbauelements,wobei die erste Halbleiterzone (1) eine dem Halbleiterträger (2) zugewandte Unterseite (12) und eine dem Halbleiterträger (2) abgewandte Oberseite (11) aufweist undwobei der erste Dotierstoff, ausgehend von der Unterseite (12) in einer zur Unterseite (12) senkrechten vertikalen Richtung (v) weg vom Halbleiterträger (2) eine Konzentration besitzt,die sich hin zur Oberseite (11) der n-dotierten ersten Halbleiterzone (1) graduell verringert,die sich hin zur Oberseite (11) der n-dotierten ersten Halbleiterzone (1) zunächst graduell erhöht und dann verringert, oderdie bis zu einem ersten Abstand (d1') von der Unterseite (12) eine Konzentration besitzt, die konstant oder im Wesentlichen konstant ist und sich dann in Richtung der Oberseite (11) graduell verringert, wobeider erste Abstand (d1') 40% bis 80% der Dicke (d1) der ersten Halbleiterzone (1) beträgt undwobei die Dotierstoffkonzentration beim ersten Abstand (d1') kleiner oder gleich 50%, kleiner oder gleich 30% oder kleiner oder gleich 10% der Dotierstoffkonzentration an der Unterseite (12) ist.

    Halbleiteranordnung
    4.
    发明专利
    Halbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102013204275A1

    公开(公告)日：2013-09-19

    申请号：DE102013204275

    申请日：2013-03-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUMGARTL JOHANNES ,  HARFMANN MARKUS ,  KOTEK MANFRED ,  KRENN CHRISTIAN ,  NEIDHART THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Halbleiterzone (1) von einem ersten Leitungstyp (n) weist ein Halbleitergrundmaterial auf, das mit einem ersten Dotierstoff und einem zweiten Dotierstoff dotiert ist. Bei dem ersten Dotierstoff und dem zweiten Dotierstoff handelt es sich um Stoffe, die voneinander sowie vom Stoff des Halbleitergrundmaterials verschieden sind. Der erste Dotierstoff ist elektrisch aktiv und bewirkt in dem Halbleitergrundmaterial eine Dotierung vom ersten Leitungstyp (n). Außerdem bewirkt der erste Dotierstoff in dem Halbleitergrundmaterial eine Verringerung oder eine Erhöhung einer Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone. Der zweite Dotierstoff bewirkt (a) eine Härtung der ersten Halbleiterzone (1), und/oder (b) eine Erhöhung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1), falls der erste Dotierstoff eine Verringerung der Gitterkonstante der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1) bewirkt, oder aber eine Verringerung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1), falls der erste Dotierstoff eine Erhöhung der Gitterkonstanten der reinen, undotierten ersten Halbleiterzone (1) bewirkt. Durch die Härtung und/oder die entgegengesetzten Wirkungen des ersten und/oder zweiten Dotierstoffes lässt sich eine zu starke Durchbiegung (b) der ersten Halbleiterzone (1) verringern.

    Verfahren zum Prozessieren eines Kontaktpads
    5.
    发明专利
    Verfahren zum Prozessieren eines Kontaktpads 未知

    公开(公告)号：DE102013100079B4

    公开(公告)日：2016-11-10

    申请号：DE102013100079

    申请日：2013-01-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KLEINBICHLER FRANZ ,  KOITZ MARCO ,  KRENN CHRISTIAN ,  MAYER KARL ,  ZIEGER GÜNTER ,  ZOTH GÜNTHER

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

    Abstract: Verfahren zum Prozessieren eines Kontaktpads (301), das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines Kontaktpads (301), wobei eine oberste Schicht (301') des Kontaktpads (301) Aluminium oder eine Aluminiumlegierung aufweist, wobei zumindest ein Teil der obersten Schicht (301') des Kontaktpads (301) freigelegt ist; Reinigen des Kontaktpads (301) mittels einer thermisch aktivierten Atmosphäre (321), die Wasser und/oder reaktive Bestandteile von Wasser aufweist; wobei eine Pad-Oberflächenpassivierungsschicht (342) auf dem freigelegten Teil der obersten Schicht (301') des Kontaktpads (301) gebildet wird, indem das Kontaktpad (301) derselben thermisch aktivierten Atmosphäre (321) ausgesetzt wird.

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