公开(公告)号：DE102015108216A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108216

申请日：2015-05-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  SCHÖNHERR HELMUT ,  STEINBRENNER JÜRGEN

IPC: H01L21/302 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen ist ein Verfahren (400) zur Beschichtung eines Werkstücks vorgesehen. Das Verfahren (400) kann Trocknen eines Werkstücks (420) umfassen, wobei das Werkstück mit mindestens einer Oxidschicht als einer obersten Schicht beschichtet ist; wobei eine dielektrische Schicht über die oberste Schicht des getrockneten Werkstücks abgelagert wird (430); wobei das Werkstück während des Trocknungsprozesses und während des Ablagerungsprozesses fortwährend einem unter dem atmosphärischen Druck liegenden Druck ausgesetzt wird.

公开(公告)号：DE102014106339A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102014106339

申请日：2014-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GÜNTER ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  KAHN MARKUS ,  KÜNLE MATTHIAS ,  MAURER DANIEL ,  MÖNNICH ROLAND ,  SCHÖNHERR HELMUT

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/22

Abstract: Kohlenstoffschichten mit reduziertem Wasserstoffgehalt können durch Auswahl entsprechender Verarbeitungsparameter mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung abgeschieden werden. Solche Kohlenstoffschichten können einer Hochtemperaturbearbeitung unterzogen werden, ohne eine übermäßige Schrumpfung zu zeigen.

公开(公告)号：DE102013111848A1

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE102013111848

申请日：2013-10-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER CHRISTOPH ,  FISTER SILVANA ,  GIETLER HERBERT ,  HÖCKELE UWE ,  KAHN MARKUS ,  KRENN CHRISTIAN ,  MAIER HUBERT ,  MATOY KURT ,  SCHÖNHERR HELMUT ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  WELLENZOHN ELFRIEDE

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105

Abstract: Es sind eine Passivierungsschicht und ein Verfahren (200) zum Herstellen einer Passivierungsschicht offenbart. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zum Herstellen einer Passivierungsschicht das Aufbringen einer ersten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf ein Werkstück, wobei die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht Stickstoff umfasst (204), und das in-situ Aufbringen einer zweiten siliziumbasierten dielektrischen Schicht auf die erste siliziumbasierte dielektrische Schicht, wobei die zweite dielektrische Schicht Sauerstoff umfasst (206).