公开(公告)号：DE102012202643B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102012202643

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  PRÜGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Bildung eines monolithisch integrierten Sensorelements, das folgende Merkmale aufweist: Bilden eines MEMS-Bauelements (200) auf einem Substrat (202) durch: Bilden einer Opferschicht (206) auf dem Substrat (202), Abscheiden einer ersten Siliziumschicht (208) auf der Opferschicht (206), wobei die erste Siliziumschicht (208) zumindest eine Freigabeapertur (210) aufweist, Bilden eines Hohlraums (212) in der Opferschicht (206) durch Entfernen eines Teils der Opferschicht (206) über die zumindest eine Freigabeapertur (210), Füllen des Hohlraums (212) und der mindestens einen Freigabeapertur (210) mit einem isolierenden Füllmaterial (214), Bilden weiterer Freigabeaperturen (216) in der ersten Siliziumschicht (208) über der verbliebenen Opferschicht (206), Bilden eines weiteren Hohlraums (218) in der verbliebenen Opferschicht (206) über die weiteren Freigabeaperturen (216); und Abdichten des weiteren Hohlraums (218) durch Abscheiden einer zweiten Siliziumschicht; undBilden eines elektrischen Bauelements auf dem Substrat (202) neben dem MEMS-Bauelement (200).

公开(公告)号：DE102012202643A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE102012202643

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  PRUEGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf MEMS-Bauelemente, insbesondere MEMS-Bauelemente, die mit verwandten elektrischen Bauelementen auf einem einzigen Wafer integriert sind. Ausführungsbeispiele verwenden ein Konzept eines modularen Prozessablaufs als Bestandteil eines MEMS-Zuerst-Lösungsansatzes, der die Verwendung eines neuartigen Hohlraumabdichtungsprozesses ermöglicht. Die Auswirkung und mögliche nachteilige Effekte der MEMS-Verarbeitung auf die elektrischen Bauelemente werden dadurch verringert oder eliminiert. Gleichzeitig wird eine äußerst flexible Lösung geschaffen, die eine Implementierung einer Vielzahl von Messprinzipien, einschließlich kapazitiver und piezoresistiver, ermöglicht. Deshalb können eine Vielzahl von Sensoranwendungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit und erhöhter Qualität anvisiert werden, die gleichzeitig kostenwirksam bleiben.

公开(公告)号：DE102012025750A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102012025750

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS ,  PRUEGL KLEMENS ,  KOLB STEFAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf MEMS-Bauelemente, insbesondere MEMS-Bauelemente, die mit verwandten elektrischen Bauelementen auf einem einzigen Wafer integriert sind. Ausführungsbeispiele verwenden ein Konzept eines modularen Prozessablaufs als Bestandteil eines MEMS-Zuerst-Lösungsansatzes, der die Verwendung eines neuartigen Hohlraumabdichtungsprozesses ermöglicht. Die Auswirkung und mögliche nachteilige Effekte der MEMS-Verarbeitung auf die elektrischen Bauelemente werden dadurch verringert oder eliminiert. Gleichzeitig wird eine äußerst flexible Lösung geschaffen, die eine Implementierung einer Vielzahl von Messprinzipien, einschließlich kapazitiver und piezoresistiver, ermöglicht. Deshalb können eine Vielzahl von Sensoranwendungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit und erhöhter Qualität anvisiert werden, die gleichzeitig kostenwirksam bleiben.