公开(公告)号：DE102023126381A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023126381

申请日：2023-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS ,  WEBER HANS ,  BERGNER WOLFGANG ,  TILKE ARMIN ,  ZIEMYS GRAZVYDAS ,  MIKHAYLOV ALEXEY ,  RESCHER GERALD

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D64/27

Abstract: Ein Transistorbauelement wird offenbart. Das Transistorbauelement enthält einen Halbleiterkörper (100) und mehrere Transistorzellen (1). Jede Transistorzelle enthält ein Drift-Gebiet (11) und ein Source-Gebiet (13) eines ersten Dotierungstyps; ein Body-Gebiet (12) eines zum ersten Dotierungstyp komplementären zweiten Dotierungstyps; ein Feldformungsgebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp, das mit dem Source-Knoten (S) verbunden ist; und eine Gate-Elektrode (21), die mit einem Gate-Knoten (G) verbunden ist. Die Gate-Elektrode (21) ist in einem Graben (23) angeordnet, der sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, die Gate-Elektrode (21) ist durch ein Gate-Dielektrikum (22) von dem Body-Gebiet (12) dielektrisch isoliert, zumindest Abschnitte der Gate-Elektrode (21) sind durch ein Felddielektrikum (32) von dem Drift-Gebiet (11) dielektrisch isoliert, das Feldformungsgebiet (31) grenzt an den Graben (23) an, und das Felddielektrikum (32) weist ein High-k-Dielektrikum auf.

公开(公告)号：DE102023117853A1

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102023117853

申请日：2023-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  WEBER HANS ,  HELL MICHAEL ,  TILKE ARMIN ,  ZIEMYS GRAZVYDAS

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H10D84/83

Abstract: Ein Transistorbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Transistorbauelements werden offenbart. Das Transistorbauelement enthält einen Halbleiterkörper (100) und mehrere Transistorzellen (1). Jede Transistorzelle enthält: ein Drift-Gebiet (11), ein Body-Gebiet (12) und ein Source-Gebiet (13); eine Gate-Elektrode (21), die mit einem Gate-Knoten (G) verbunden ist; und eine Feldelektrode (31), die mit einem Source-Knoten (S) verbunden ist. Die Gate-Elektrode (21) ist durch ein Gate-Dielektrikum (22) von dem Body-Gebiet (12) dielektrisch isoliert und ist in einem ersten Graben (23), der sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt, angeordnet. Die Feldelektrode (31) ist durch ein High-k-Dielektrikum (32) von dem Drift-Gebiet (11) dielektrisch isoliert und ist in einem zweiten Graben (33) angeordnet. Der zweite Graben (33) erstreckt sich von der ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) und ist von dem ersten Graben (23) beabstandet, und die Feldelektrode (31) erstreckt sich zumindest so tief ) in den Halbleiterkörper (100) wie der erste Graben (23.