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    Verfahren zum Herstellen eines Halbleiteroxid- oder Glas-basierten Verbindungskörpers mit Verdrahtungsstruktur
    1.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Halbleiteroxid- oder Glas-basierten Verbindungskörpers mit Verdrahtungsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102018122515B4

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：DE102018122515

    申请日：2018-09-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEGLER ANDREAS ,  FACHMANN CHRISTIAN ,  KUTSCHAK MATTEO-ALESSANDRO ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  WEBER HANS

    IPC: H01L23/15 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Verbindungskörpers (108). Eine elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) wird auf und/oder in der Basisstruktur (110) aus einem Halbleiteroxidmaterial oder Glas ausgebildet, wobei die elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) mit einem vertikalen Verdrahtungsabschnitt (114) und mit einem daran verbundenen lateralen Verdrahtungsabschnitt (116) ausgebildet. Das Ausbilden der elektrisch leitfähigen Verdrahtungsstruktur (112) weist ein Ausbilden von einer Mehrzahl von Vertiefungen (126), die verschiedene Tiefen und verschiedene seitliche Ausdehnungen in der Basisstruktur (110) aufweisen, durch Ätzen der Basisstruktur (110) auf. Dabei wird die Basisstruktur (110) mit einer mehrschichtigen Hartmaske (158) überdeckt, wobei verschiedene Schichten der mehrschichtigen Hartmaske (158) aus verschiedenen Materialien hergestellt sind. Durch Entfernen eines ersten Teilbereichs der mehrschichtigen Hartmaske (158) wird ein erster Oberflächenteilbereich (160) und durch Entfernen eines zweiten Teilbereichs der mehrschichtigen Hartmaske (158) wird ein zweiter Oberflächenteilbereich (162) der Basisstruktur freigelegt. Die freigelegten Oberflächenbereiche (160, 162) werden geätzt, um erste Vertiefungen (126) auszubilden. Die Vertiefungen (126) werden zumindest teilweise mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt, um dadurch die elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur (112) auszubilden.

    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    2.
    发明专利
    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102014118317B4

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：DE102014118317

    申请日：2014-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  ZUNDEL MARKUS

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

    Abstract: Ein Verfahren (300) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (310) von zumindest einem pn-Übergang innerhalb eines Halbleitersubstrats;Ausführen einer anodischen Oxidation (320) einer Oberflächenregion des Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb einem Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht, während eine hohe Spannungsdifferenz an dem pn-Übergang aufgrund des anziehenden, elektrischen Feldes auftritt; undImplantieren (330) von Dotierstoffen innerhalb der p-dotierten Region oder der n-dotierten Region des pn-Übergangs, um eine Sperrspannung des pn-Übergangs unter die hohe Spannungsdifferenz zu reduzieren, die an dem pn-Übergang während der anodischen Oxidation auftritt.

    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser
    3.
    发明专利
    SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser 未知

    公开(公告)号：DE102015202121B4

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102015202121

    申请日：2015-02-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND ,  WEBER HANS ,  JANTSCHER WOLFGANG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Halbleitervorrichtung (1), umfassend: – einen Halbleiterkörper (11), wobei der Halbleiterkörper (11) ein Halbleiterkörpermaterial umfasst, das einen Dotierstoff-Diffusions-Koeffizienten aufweist, der kleiner als der entsprechende Dotierstoff-Diffusions-Koeffizient von Silizium ist; – mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2), wobei die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) mit implantierten Dotierstoffen eines ersten Leitfähigkeitstyps dotiert ist und eine Säulenform aufweist, die sich entlang einer Ausdehnungsrichtung (B) in den Halbleiterkörper (11) hinein erstreckt, wobei eine entsprechende Breite (D) der mindestens einen ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) kontinuierlich zunimmt; – mindestens eine zweite Halbleiterzone (112), die im Halbleiterkörper (11) umfasst ist, wobei die mindestens eine zweite Halbleiterzone (112) angrenzend an die mindestens eine erste Halbleiterzone (111-1, 111-2) angeordnet und mit implantierten Dotierstoffen eines zweiten Leitfähigkeitstyps dotiert ist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, wobei – eine Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) entlang der Ausdehnungsrichtung (B) um weniger als 30% von einem Fixwert mindestens entlang 10% der Gesamtausdehnung der ersten Halbleiterzone (111-1, 111-2) abweicht.

    Integriertes Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür
    4.
    发明专利
    Integriertes Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür 未知

    公开(公告)号：DE102010017483B4

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：DE102010017483

    申请日：2010-06-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STECHER MATTHIAS ,  WEBER HANS ,  O'RIAIN LINCOLN ,  EHRENWALL BIRGIT VON

    IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L23/60 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

    Abstract: Integrierte laterale Leistungsschaltung, umfassend einen Halbleiterkörper, umfassend: – eine erste und eine zweite Mulde von einem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich zu einer ersten horizontalen Oberfläche erstrecken, wobei die zweite Mulde eine laterale Leistungshalbleiterstruktur umfasst, wobei die erste Mulde eine vergrabene Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp in einem unteren Abschnitt umfasst, wobei die vergrabene Schicht eine Dotierungskonzentration umfasst, die die Dotierungskonzentration eines angrenzenden oberen Abschnitts der ersten Mulde übersteigt; – ein erstes Halbleitergebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das sich zu einer zweiten horizontalen Oberfläche erstreckt, die der ersten horizontalen Oberfläche gegenüberliegt; – eine Siliziumschicht, die zwischen der ersten Oberfläche und dem ersten Halbleitergebiet angeordnet ist, wobei die Siliziumschicht poly-Si und/oder amorphes Silizium umfasst; – ein Isoliergebiet, das die erste Mulde und die Siliziumschicht voneinander isoliert; und – einen vertikalen Graben, der die erste und zweite Mulde voneinander isoliert und sich von der ersten horizontalen Oberfläche mindestens zu dem Isoliergebiet erstreckt.

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