公开(公告)号：DE102023126381A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023126381

申请日：2023-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS ,  WEBER HANS ,  BERGNER WOLFGANG ,  TILKE ARMIN ,  ZIEMYS GRAZVYDAS ,  MIKHAYLOV ALEXEY ,  RESCHER GERALD

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D64/27

Abstract: Ein Transistorbauelement wird offenbart. Das Transistorbauelement enthält einen Halbleiterkörper (100) und mehrere Transistorzellen (1). Jede Transistorzelle enthält ein Drift-Gebiet (11) und ein Source-Gebiet (13) eines ersten Dotierungstyps; ein Body-Gebiet (12) eines zum ersten Dotierungstyp komplementären zweiten Dotierungstyps; ein Feldformungsgebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp, das mit dem Source-Knoten (S) verbunden ist; und eine Gate-Elektrode (21), die mit einem Gate-Knoten (G) verbunden ist. Die Gate-Elektrode (21) ist in einem Graben (23) angeordnet, der sich von einer ersten Oberfläche (101) in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, die Gate-Elektrode (21) ist durch ein Gate-Dielektrikum (22) von dem Body-Gebiet (12) dielektrisch isoliert, zumindest Abschnitte der Gate-Elektrode (21) sind durch ein Felddielektrikum (32) von dem Drift-Gebiet (11) dielektrisch isoliert, das Feldformungsgebiet (31) grenzt an den Graben (23) an, und das Felddielektrikum (32) weist ein High-k-Dielektrikum auf.

公开(公告)号：DE102023121453A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102023121453

申请日：2023-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RASINGER FABIAN ,  HELL MICHAEL ,  AICHINGER THOMAS ,  MIKHAYLOV ALEXEY

IPC: H10D30/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01 ,  H10D62/832

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100) mit breiter Bandlücke. Die Halbleitervorrichtung (100) mit breiter Bandlücke umfasst einen Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke mit einer ersten Oberfläche (104) und einer der ersten Oberfläche (104) entlang einer vertikalen Richtung (y) entgegengesetzten zweiten Oberfläche (106). Eine Gate-Elektrodenstruktur (108) ist in einem aktiven Transistorbereich (105) angeordnet. Die Gate-Elektrodenstruktur (108) umfasst eine Gate-Elektrode (1081) und ein zwischen der Gate-Elektrode (1081) und dem Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke angeordnetes Gate-Dielektrikum (1082). Eine Gate-Verbindungsstruktur (110) ist außerhalb des aktiven Transistorbereichs (105) angeordnet. Die Gate-Verbindungsstruktur (110) umfasst eine Verbindungselektrode (1101) und eine zwischen der Verbindungselektrode (1101) und dem Halbleiterkörper (102) mit breiter Bandlücke angeordnetes Verbindungs-Dielektrikum (1102). Dielektrizitätskonstanten einer dielektrischen Hauptkomponente von zumindest zwei von i) einem Teil des Verbindungs-Dielektrikums (1102) oder ii) einem ersten Teil (10821) des Gate-Dielektrikums (1082) oder iii) einem zweiten Teil (10822) des Gate-Dielektrikums (1082) unterscheiden sich voneinander.