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公开(公告)号：DE102016121683A1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：DE102016121683
申请日：2016-11-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LEUSCHNER RAINER , ZOGAL KAROLINA , MEIER ROLAND , OLDSEN MARTEN , KÄMMER KERSTIN
Abstract: Eine Sensorvorrichtung enthält eine Sensoreinheit, die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist. Die Sensoreinheit ist auf einer ersten Oberfläche eines Sensorsubstrats ausgebildet. Eine Rahmenstruktur auf der ersten Oberfläche umfasst einen ersten Schleifenbereich, der einen ersten Bereich lateral umgibt, der die Sensoreinheit enthält. Ein kommunizierender Kanal hat durch zumindest einen eines lateralen Anschlusses in dem ersten Schleifenbereich und eines Basisanschlusses in dem Sensorsubstrat Zugang zum ersten Bereich. Eine Deckelstruktur bedeckt die Rahmenstruktur und den ersten Bereich vollständig.
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公开(公告)号：DE102016121683B4
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：DE102016121683
申请日：2016-11-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LEUSCHNER RAINER , ZOGAL KAROLINA , MEIER ROLAND , OLDSEN MARTEN , KÄMMER KERSTIN
Abstract: Sensorvorrichtung, umfassend:eine Sensoreinheit (200), die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist, wobei die Sensoreinheit (200) auf einer ersten Oberfläche (101) eines Sensorsubstrats (100) und auf einer aufgehängten Masse (160) des Sensorsubstrats (100) ausgebildet ist, die durch mindestens einen Federbalken (108) mit einem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) verbunden ist;eine Rahmenstruktur (300) auf der ersten Oberfläche (101), wobei die Rahmenstruktur (300) einen ersten Schleifenbereich (310) aufweist, der einen ersten Bereich (110) mit der Sensoreinheit (200) lateral umgibt;einen kommunizierenden Kanal (150), der durch einen Basisanschluss (812) im Sensorsubstrat (100) einen Zugang zum ersten Bereich (110) hat, wobei der Basisanschluss (812) eine Federrille (107) aufweist, die einen Federbalken (108) von der aufgehängten Masse (160) oder dem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) trennt; undeine Deckelstruktur (400), die die Rahmenstruktur (300) und den ersten Bereich (110) vollständig bedeckt.
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公开(公告)号：DE102018204772B3
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：DE102018204772
申请日：2018-03-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS , ZOGAL KAROLINA
Abstract: Eine Vorrichtung (100) umfasst ein Basissubstrat (110) mit einem daran angeordneten Sensor-Bauelement (120), eine Abstandsschicht (130) auf dem Basissubstrat (110), wobei die Abstandsschicht (130) strukturiert ist, um einen Kavitätsbereich (140) vorzugeben, in dem das Sensor-Bauelement (120) freiliegend an dem Basissubstrat (110) angeordnet ist, und ein DAF-Tape-Element (DAF = Die-Attach-Film) (150) an einem Stapelelement, wobei das DAF-Tape-Element (150) ausgebildet ist, um das Stapelelement mechanisch fest mit der an dem Basissubstrat (110) angeordneten Abstandsschicht (130) fest zu verbinden und den Kavitätsbereich zu erhalten.
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公开(公告)号：DE102017207887B3
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：DE102017207887
申请日：2017-05-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS , GEISSLER CHRISTIAN , ZOGAL KAROLINA
Abstract: Herstellungsverfahren (100; 100A; 100B) mit folgenden Schritten:Bereitstellen (110) eines Halbleitersubstrats (300) mit einem Ausnehmungen (302) aufweisenden Verdrahtungsschichtstapel (304) auf einem ersten Hauptoberflächenbereich (300-1) des Halbleitersubstrats (300), wobei an dem ersten Hauptoberflächenbereich (300-1) des Halbleitersubstrats (300) MEMS-Bauelemente (306) freiliegend in den Ausnehmungen (302) des Verdrahtungsschichtstapels (304) angeordnet sind, und wobei an Metallisierungsbereichen (308) des Verdrahtungsschichtstapels (304) hervorstehende Durchkontaktierungselemente (310) angeordnet sind,Aufbringen (130) einer in einer mittleren Stufe ausgehärteten b-stage-Materialschicht (312) auf dem Verdrahtungsschichtstapel (304), so dass die Ausnehmungen (302) in dem Verdrahtungsschichtstapel (304) von der b-stage-Materialschicht (312) überdeckt werden und ferner die vertikal hervorstehenden Durchkontaktierungselemente (310) in die b-stage-Materialschicht (312) eingebracht werden, wobei die aufgebrachte b-stage-Materialschicht eine Formstabilität aufweist, so dass bei dem Aufbringen der b-stage-Materialschicht (312) Kavitäten oberhalb der MEMS-Bauelemente in den Ausnehmungen des Verdrahtungsschichtstapels beibehalten werden,Aushärten (150) der b-stage-Materialschicht (312), um eine ausgehärtete b-stage-Materialschicht (312) zu erhalten,Dünnen (170) der ausgehärteten b-stage-Materialschicht (312), um Endoberflächenbereiche (310-1) der Durchkontaktierungselemente (310) freizulegen, undAufbringen (190) einer RDL-Struktur (RDL = Redistribution Layer) auf die gedünnte, ausgehärtete b-stage-Materialschicht (312), um über die Durchkontaktierungselemente (310) eine elektrische Verbindung zwischen dem Verdrahtungsschichtstapel (304) und der RDL-Struktur (314) zu erhalten.
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