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公开(公告)号：DE102017214558B9
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：DE102017214558
申请日：2017-08-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS
Abstract: Verfahren zur Erzeugung eines MEMS-Sensors (100),wobei ein Substrat (1) bereitgestellt wird,wobei auf einer Vorderseite (10) des Substrats (1) eine MEMS-Struktur (2) erzeugt wird,wobei in dem Substrat (1) eine Aussparungen (30) aufweisende Entkopplungsstruktur (3) erzeugt wird, welche in einem freigelegten Zustand als Feder wirksam ist und einen ersten Bereich (11) von einem zweiten Bereich (12) des Substrats (1) stressentkoppelt, wobei an dem zweiten Bereich (12) des Substrats (1) die MEMS-Struktur (2) angeordnet ist, und wobei der erste Bereich (11) außerhalb zu dem zweiten Bereich (12) mit der daran angeordneten MEMS-Struktur (2) liegt, wobei in einer der Vorderseite (10) gegenüberliegende Rückseite (13) des Substrats (1) ein erster Hohlraum (4) durch einen ersten Ätzprozess und ein zweiter Hohlraum (5) durch einen zweiten Ätzprozess erzeugt werden, undwobei der erste Hohlraum (4) und der zweite Hohlraum (5) derartig erzeugt werden, dass der zweite Hohlraum (5) den ersten Hohlraum (4) umfasst und dass der zweite Hohlraum (5) an einen Bodenbereich (21) der MEMS-Struktur (2) und einen Bodenbereich (31) der Entkopplungsstruktur (3) angrenzt, um die als Feder wirksame Entkopplungsstruktur (3) freizulegen, um den ersten Bereich (11) von dem zweiten Bereich (12) mit der daran angeordneten MEMS-Struktur (2) stresszuentkoppeln.
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2.发明专利
公开(公告)号：DE102017221082A1
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：DE102017221082
申请日：2017-11-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHIANG CHAU FATT , GEISSLER CHRISTIAN , GOLLER BERND , KILGER THOMAS , LODERMEYER JOHANNES , MAIER DOMINIC , MUEHLBAUER FRANZ XAVER , NG CHEE YANG , SEE BENG KEH , STEIERT MATTHIAS , WAECHTER CLAUS
Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen Halbleiter-Die, der eine an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies angeordnete Sensorstruktur aufweist, und einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen. Entsprechende Herstellungsverfahren werden ebenfalls bereitgestellt.
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公开(公告)号：DE102017206744B4
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：DE102017206744
申请日：2017-04-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOLLER BERND , STEIERT MATTHIAS
Abstract: Vorrichtung (10, 20, 30, 40) mit:einem Substrat (11), wobei auf einer ersten Seite (11A) des Substrats (11) ein MEMS-Baustein (12) angeordnet ist, dessen Ausgangssignal sich bei einer Temperaturänderung verändert, wobei ein Loch (18) in dem Substrat (11) vorgesehen ist, das zum Austausch von Luft mit der Umgebung dient und wobei der MEMS-Baustein (12) ein MEMS-Mikrofon ist,eine auf der ersten Seite (11A) des Substrats (11) angeordnete Gehäusestruktur (13) mit einer Ausnehmung (14) in der der MEMS-Baustein (12) angeordnet ist, wobei die Gehäusestruktur (13) Metall aufweist und eine Abschirmung gegen externe elektromagnetische Strahlung bereitstellt, undeine an zumindest der oberen Außenseite (19) der Gehäusestruktur (13) angebrachte thermisch aktive Schicht (15), die die Wärmekapazität der Vorrichtung (10, 20, 30, 40) erhöht,wobei die Schicht (15) eine Temperaturleitfähigkeit von weniger als1,0⋅10−6m2s,oder von weniger als0,5⋅10−6m2s,oder von weniger als0,2⋅10−6m2saufweist.
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公开(公告)号：DE102017206744B9
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：DE102017206744
申请日：2017-04-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GOLLER BERND , STEIERT MATTHIAS
Abstract: Vorrichtung (10, 20, 30, 40) mit:einem Substrat (11), wobei auf einer ersten Seite (11A) des Substrats (11) ein MEMS-Baustein (12) angeordnet ist, dessen Ausgangssignal sich bei einer Temperaturänderung verändert, wobei ein Loch (18) in dem Substrat (11) vorgesehen ist, das zum Austausch von Luft mit der Umgebung dient und wobei der MEMS-Baustein (12) ein MEMS-Mikrofon ist,eine auf der ersten Seite (11A) des Substrats (11) angeordnete Gehäusestruktur (13) mit einer Ausnehmung (14) in der der MEMS-Baustein (12) angeordnet ist, wobei die Gehäusestruktur (13) Metall aufweist und eine Abschirmung gegen externe elektromagnetische Strahlung bereitstellt, undeine an zumindest der oberen Außenseite (19) der Gehäusestruktur (13) angebrachte thermisch aktive Schicht (15), die die Wärmekapazität der Vorrichtung (10, 20, 30, 40) erhöht, wobei die Schicht (15) eine Temperaturleitfähigkeit von weniger als1,0⋅10−6m2s,oder von weniger als0,5⋅10−6m2s,oder von weniger als0,2⋅10−6m2saufweist.
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5.发明专利
公开(公告)号：DE102017221082B4
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE102017221082
申请日：2017-11-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHIANG CHAU FATT , GEISSLER CHRISTIAN , GOLLER BERND , KILGER THOMAS , LODERMEYER JOHANNES , MAIER DOMINIC , MUEHLBAUER FRANZ XAVER , NG CHEE YANG , SEE BENG KEH , STEIERT MATTHIAS , WAECHTER CLAUS
Abstract: Halbleitergehäuse, das Folgendes umfasst:einen Halbleiter-Die (1202), der eine Sensorstruktur (1204) aufweist, die an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angeordnet ist;einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies (1202) gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die (1202) erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen;einen Interposer (1206), der an der ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angebracht ist und die Sensorstruktur (1204) abdeckt;eine Gussmasse (1208), die den Interposer (1206) und die erste Seite des Halbleiter-Dies (1202) einkapselt; undeine Umverteilungsschicht (1210) auf der Gussmasse (1208) und dem Interposer (1206), wobei der Interposer (1206) elektrische Verbindungen zwischen dem Halbleiter-Die (1202) und der Umverteilungsschicht (1210) bereitstellt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016110659B4
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：DE102016110659
申请日：2016-06-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHUA KOK YAU , CHAN SOOK WOON , CHIANG CHAU FATT , CHUA HOCK SIANG , LEE SWEE KAH , MARTENS STEFAN , NG MEI CHIN , STEIERT MATTHIAS , YEO KIAN HONG
Abstract: Halbleitergehäuse, umfassend:einen elektrisch leitfähigen Leadframe (102), der einen ersten Chipträger (104) mit einer ersten Öffnung (108) und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Verbindungen umfasst;einen Steg (128), der um einen Umfang der ersten Öffnung (108) ausgebildet ist; undeine elektrisch isolierende Moldmasse (110), die einen inneren Hohlraum (112) umfasst, der durch eine ebene Grundfläche (114) und äußere Seitenwände (116) der Moldmasse (110) festgelegt wird, eine zweite Öffnung (120), die in der Grundfläche (114) ausgebildet ist, und eine innere Seitenwand (122), die im inneren Hohlraum (112) angeordnet ist;wobei die Moldmasse (110) um den Leadframe (102) ausgebildet und der erste Chipträger (104) im inneren Hohlraum (112) angeordnet ist,wobei die erste und die zweite Öffnung (108, 120) so zueinander ausgerichtet sind, dass sie einen Durchlass (121) bilden, der Zugang zum inneren Hohlraum (112) ermöglicht, undwobei der Steg (128) und die innere Seitenwand (122) gemeinsam einen Damm bilden, der konfiguriert ist, verflüssigtes Dichtungsmittel (134) aufzunehmen und zu verhindern, dass das verflüssigte Dichtungsmittel (134) in den Durchlass (121) oder angrenzende Bereiche des inneren Hohlraums (112) überfließt;wobei der Steg (128) im Leadframe (102) ausgebildet ist und einen erhöhten Kragen im ersten Chipträger (104) umfasst, der den Umfang der ersten Öffnung (108) bildet, wobei sich der erhöhte Kragen weg vom ersten Chipträger (104) und hin zu Oberkanten der äußeren Seitenwände (116) erstreckt, und/oder wobei der Steg (128) in der Moldmasse (110) ausgebildet ist und einen erhöhten Kragen in der Grundfläche (114) umfasst, der den Umfang der zweiten Öffnung (120) bildet, wobei sich der erhöhte Kragen weg von der Grundfläche (114) und hin zu den Oberkanten der äußeren Seitenwände (116) erstreckt.
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公开(公告)号：DE102016110659A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：DE102016110659
申请日：2016-06-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHUA KOK YAU , CHAN SOOK WOON , CHIANG CHAU FATT , CHUA HOCK SIANG , LEE SWEE KAH , MARTENS STEFAN , NG MEI CHIN , STEIERT MATTHIAS , YEO KIAN HONG
Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen elektrisch leitfähigen Leadframe, der einen ersten Chipträger mit einer ersten Öffnung und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen umfasst, einen Steg, der um einen Umfang der ersten Öffnung ausgebildet ist, und eine elektrisch isolierende Moldmasse. Die elektrisch isolierende Moldmasse umfasst einen inneren Hohlraum, der durch eine ebene Grundfläche und äußere Seitenwände definiert ist, eine zweite Öffnung, die in der Grundfläche ausgebildet ist, und eine innere Seitenwand im inneren Hohlraum. Die Moldmasse wird um den Leadframe mit dem ersten Chipträger im inneren Hohlraum gebildet. Die erste und die zweite Öffnung sind so zueinander ausgerichtet, dass sie einen Durchlass bilden, der Zugang zum inneren Hohlraum bereitstellt. Der Steg und die innere Seitenwand bilden einen Damm, der konfiguriert ist, verflüssigtes Dichtungsmittel aufzunehmen und zu verhindern, dass verflüssigtes Dichtungsmittel in den Durchlass oder anliegende Bereiche des inneren Hohlraums überfließt.
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公开(公告)号：DE102017214558B4
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：DE102017214558
申请日：2017-08-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS
Abstract: Verfahren zur Erzeugung eines MEMS-Sensors (100),wobei ein Substrat (1) bereitgestellt wird,wobei auf einer Vorderseite (10) des Substrats (1) eine MEMS-Struktur (2) erzeugt wird,wobei in dem Substrat (1) eine Aussparungen (30) aufweisende Entkopplungsstruktur (3) erzeugt wird, welche in einem freigelegten Zustand als Feder wirksam ist und einen ersten Bereich (11) von einem zweiten Bereich (12) des Substrats (1) stressentkoppelt, wobei an dem zweiten Bereich (12) des Substrats (1) die MEMS-Struktur (2) angeordnet ist, und wobei der erste Bereich (11) außerhalb zu dem zweiten Bereich (12) mit der daran angeordneten MEMS-Struktur (2) liegt, wobei in einer der Vorderseite (10) gegenüberliegende Rückseite (13) des Substrats (1) ein erster Hohlraum (4) durch einen ersten Ätzprozess und ein zweiter Hohlraum (5) durch einen zweiten Ätzprozess erzeugt werden, undwobei der erste Hohlraum (4) und der zweite Hohlraum (5) derartig erzeugt werden, dass der zweite Hohlraum (5) den ersten Hohlraum (4) umfasst und dass der zweite Hohlraum (5) an einen Bodenbereich (21) der MEMS-Struktur (2) und einen Bodenbereich (31) der Entkopplungsstruktur (3) angrenzt, um die als Feder wirksame Entköpplungsstruktur (3) freizulegen, um den ersten Bereich (11) von dem zweiten Bereich (12) mit der daran angeordneten MEMS-Struktur (2) stresszuentkoppeln.
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公开(公告)号：DE102018204772B3
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：DE102018204772
申请日：2018-03-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS , ZOGAL KAROLINA
Abstract: Eine Vorrichtung (100) umfasst ein Basissubstrat (110) mit einem daran angeordneten Sensor-Bauelement (120), eine Abstandsschicht (130) auf dem Basissubstrat (110), wobei die Abstandsschicht (130) strukturiert ist, um einen Kavitätsbereich (140) vorzugeben, in dem das Sensor-Bauelement (120) freiliegend an dem Basissubstrat (110) angeordnet ist, und ein DAF-Tape-Element (DAF = Die-Attach-Film) (150) an einem Stapelelement, wobei das DAF-Tape-Element (150) ausgebildet ist, um das Stapelelement mechanisch fest mit der an dem Basissubstrat (110) angeordneten Abstandsschicht (130) fest zu verbinden und den Kavitätsbereich zu erhalten.
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公开(公告)号：DE102017214558A1
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：DE102017214558
申请日：2017-08-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： STEIERT MATTHIAS
Abstract: Beschrieben ist ein Verfahren zur Erzeugung eines MEMS-Sensors. Dabei wird ein Substrat bereitgestellt. Auf einer Vorderseite des Substrats wird eine MEMS-Struktur erzeugt. In dem Substrat wird eine Aussparungen aufweisende Entkopplungsstruktur erzeugt, welche einen ersten Bereich von einem zweiten Bereich des Substrats stressentkoppelt. In einer der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite des Substrats werden ein erster Hohlraum durch einen ersten Ätzprozess und ein zweiter Hohlraum durch einen zweiten Ätzprozess erzeugt. Der erste Hohlraum und der zweite Hohlraum werden derartig erzeugt, dass der zweite Hohlraum den ersten Hohlraum umfasst und dass der zweite Hohlraum an einen Bodenbereich der MEMS-Struktur und einen Bodenbereich der Entkopplungsstruktur angrenzt.
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