公开(公告)号：KR20180021105A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187002080

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  BRISTOL ROBERT LINDSEY ,  MYERS ALAN M

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897

Abstract: 본발명의실시예들은텍스타일패터닝된하드마스크를형성하는방법들을포함한다. 실시예에서, 제1 하드마스크및 제2 하드마스크는상호접속층의최상부면위에교대하는패턴으로형성된다. 다음으로, 제1 하드마스크재료및 제2 하드마스크재료위에희생교차격자가형성될수 있다. 실시예에서, 제1 개구들을형성하기위해, 희생교차격자에의해커버되지않은제1 하드마스크재료의부분들이제거되고, 제3 하드마스크는제1 개구들내에배치된다. 다음으로, 실시예들은제2 개구들을형성하기위해, 희생교차격자에의해커버되지않은제2 하드마스크의부분들을통해에칭하는것을포함할수 있다. 제2 개구들은제4 하드마스크로채워질수 있다. 실시예에따르면, 제1, 제2, 제3, 및제4 하드마스크는서로에대해에칭선택성을갖는다. 실시예에서, 다음으로, 희생교차격자가제거될수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例包括形成纹理化图案化硬掩模的方法。 在一个实施例中，第一硬掩模和第二硬掩模在互连层的顶表面上以交替图案形成。 接下来，可以在第一硬掩模材料和第二硬掩模材料上形成牺牲交点晶格。 在一个实施例中，为了形成第一开口，去除未被牺牲交叉栅格覆盖的第一硬掩模材料的部分，并且第三硬掩模设置在第一开口内。 接下来，实施例可以包括蚀刻第二硬掩模的没有被牺牲交叉点光栅覆盖的部分以形成第二开口。 第二开口可以填充第四硬掩模。 根据一个实施例，第一，第二，第三和第四硬掩模彼此具有蚀刻选择性。 在一个实施例中，然后可以去除牺牲交叉点光栅。

公开(公告)号：KR20180020252A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：KR20187001953

申请日：2015-06-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SINGH KANWAL JIT ,  LIN KEVIN ,  BRISTOL ROBERT LINDSEY

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/764 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/764 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5222

Abstract: 본발명의실시예들은부동상호접속라인들을갖는상호접촉층들, 및그러한상호접속층들을형성하는방법들을포함한다. 실시예에서, 제1 희생재료층 내에복수의개구가형성된다. 전도성비아들및 유전체기둥들이개구들내에형성될수 있다. 다음으로, 기둥들, 비아들, 및제1 희생재료층 위에제2 희생재료층이형성될수 있다. 실시예에서, 제2 희생층의최상부면위에투과성에치스톱층이형성된다. 다음으로, 실시예들은제2 희생재료층 내에상호접속라인을형성하는것을포함한다. 실시예에서, 상호접속라인이형성된후, 투과성에치스톱층을통해제1 희생재료층 및제2 희생재료층이제거된다. 실시예에따르면, 다음으로, 투과성에치스톱층을경화하기위해, 투과성에치스톱층은충전재료로채워질수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例包括具有浮动互连线的互连层以及形成这种互连层的方法。 在一个实施例中，多个开口形成在第一牺牲材料层中。 导电通孔和介质柱可以形成在开口中。 接下来，可以在柱，通孔和第一牺牲材料层上形成第二牺牲材料层。 在一个实施例中，在第二牺牲层的顶表面上形成可渗透的蚀刻停止层。 接下来，实施例包括在第二牺牲材料层中形成互连线。 在一个实施例中，在形成互连线之后，通过钝化蚀刻停止层去除第一牺牲材料层和第二牺牲材料层。 根据一个实施例，接下来，可渗透蚀刻停止层可填充有填充材料以将牙齿层固化至渗透性。

公开(公告)号：KR20180021148A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187002457

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  BRISTOL ROBERT LINDSEY ,  BLACKWELL JAMES M ,  HOURANI RAMI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877

Abstract: 본발명의실시예들은비아를갖는인터커넥트구조체및 그러한구조체들을형성하는방법들을포함한다. 일실시예에서, 인터커넥트구조체는제1 층간유전체(ILD)를포함한다. 제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인은제1 ILD 내로연장된다. 일실시예에따르면, 제2 ILD가제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인위에위치한다. 비아는제2 ILD를관통하여연장되고제1 인터커넥트라인에전기적으로커플링될수 있다. 추가적으로, 본발명의실시예들은제2 인터커넥트라인위에위치하는비아의하부표면의부분을포함한다. 그러나, 본발명의일 실시예에따르면, 격리층이비아의하부표면과제2 인터커넥트라인의상부표면사이에위치될수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例包括具有通孔的互连结构和形成这种结构的方法。 在一个实施例中，互连结构包括第一层间电介质（ILD）。 第一互连线和第二互连线延伸到第一ILD中。 根据一个实施例，第二ILD纱布1位于互连线和第二互连线上方。 通孔可以延伸穿过第二ILD并电耦合到第一互连线。 另外，本发明的实施例包括位于第二互连线上方的通孔的下表面的部分。 然而，根据本发明的一个实施例，可以在通孔的下表面任务2互连线的上表面之间放置隔离层。

公开(公告)号：DE112017008133T5

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE112017008133

申请日：2017-09-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DASGUPTA SANSAPTAK ,  RADOSAVLJEVIC MARKO ,  THEN HAN WUI ,  FISCHER PAUL ,  LIN KEVIN

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45

Abstract: Eine Struktur, umfassend eine Insel, die ein III-N-Material umfasst. Die Insel erstreckt sich über ein Substrat und hat eine geneigte Seitenwand. Eine Abdeckung, die ein III-N-Material umfasst, erstreckt sich lateral von einer oberen Oberfläche und hängt über die Seitenwand der Insel. Ein Bauelement, wie z.B. ein Transistor, eine lichtemittierende Diode oder ein Resonator, kann innerhalb oder über der Abdeckung gebildet werden.

公开(公告)号：DE112017008330T5

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：DE112017008330

申请日：2017-12-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER J ,  CHANDHOK MANISH

IPC: H01L21/768

Abstract: Integrierte-Schaltungs (IC) -Verbindungsleitungen weisen verbesserten Elektromigrationswiderstand auf. Mehrfach-Strukturierung kann verwendet werden, um eine erste Maskenstruktur zu definieren. Die erste Maskenstruktur kann basierend auf einer zweiten Maskenschicht durch eine prozessbasierte, selektive Okklusion von Öffnungen, die in der zweiten Maskenschicht definiert sind, die unter einer Schwellen-Minimum-Lateralbreite sind, verfüllt und ferner strukturiert werden. Abschnitte des Materials, das unter den Öffnungen liegt, die in der zweiten Maskenschicht definiert sind, die die Schwelle überschreiten, werden entfernt. Erste Gräben in einer darunter liegenden dielektrischen Materialschicht können basierend auf einer Vereinigung des Rests der ersten Maskenschicht und der teilweise verschlossenen zweiten Maskenschicht geätzt werden. Die ersten Gräben können dann mit einem ersten leitfähigen Material verfüllt werden, um erste Leitungssegmente zu bilden. Zusätzliche Gräben in der Unterschicht können dann geätzt und mit einem zweiten leitfähigen Material verfüllt werden, um zweite Leitungssegmente zu bilden, die durch die ersten Leitungssegmente zusammengekoppelt werden.

公开(公告)号：DE112013006479T5

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE112013006479

申请日：2013-03-14

Applicant: INTEL CORP

Inventor： PAWASHE CHYTRA ,  KIM RASEONG ,  KIM SEIYON ,  KUHN KELIN ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  RIOS RAFAEL ,  YOUNG IAN A ,  LIN KEVIN ,  CHAUDHRY ANURAG

IPC: H01L29/00 ,  B81B7/00

Abstract: Mechanische Schaltvorrichtungen auf Nanodrahtbasis werden beschrieben. Ein Nanodraht-Relais umfasst beispielsweise einen Nanodraht, der in einem Leerraum angeordnet ist, der über einem Substrat angeordnet ist. Der Nanodraht weist einen verankerten Abschnitt und einen aufgehängten Abschnitt auf. Eine erste Gateelektrode ist benachbart zum Leerraum angeordnet und ist vom Nanodraht beabstandet. Ein erster leitfähiger Bereich ist benachbart zur ersten Gateelektrode und benachbart zum Leerraum angeordnet und ist vom Nanodraht beabstandet.

公开(公告)号：GB2514022A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：GB201411224

申请日：2013-06-19

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MA QING ,  EID FERAS ,  LIN KEVIN ,  SWAN JOHANNA M ,  TEH WENG HONG ,  RAO VALLURI

IPC: G01C19/56 ,  G01C19/5776

Abstract: This invention relates to inductive inertial sensors employing a magnetic drive and/or sense architecture. In embodiments, translational gyroscopes utilize a conductive coil made to vibrate in a first dimension as a function of a time varying current driven through the coil in the presence of a magnetic field. Sense coils register an inductance that varies as a function of an angular velocity in a second dimension. In embodiments, the vibrating coil causes first and second mutual inductances in the sense coils to deviate from each other as a function of the angular velocity. In embodiments, self-inductances associated with a pair of meandering coils vary as a function of an angular velocity in a second dimension. In embodiments, package build-up layers are utilized to fabricate the inductive inertial sensors, enabling package-level integrated inertial sensing advantageous in small form factor computing platforms, such as mobile devices.

公开(公告)号：DE102021126158A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021126158

申请日：2021-10-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  SATO NORIYUKI ,  TRONIC TRISTAN ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  CHEN JIUN-RUEY ,  BLACKWELL JAMES ,  METZ MATTHEW V ,  RESHOTKO MIRIAM R ,  KABIR NAFEES ,  BIELEFELD JEFFERY ,  CHANDHOK MANISH ,  YOO HUI JAE ,  KARPOV ELIJAH V ,  NAYLOR CARL ,  CHEBIAM RAMANAN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: IC-Verbindungsstrukturen mit subtraktiv strukturierten Merkmalen. Die Enden von Merkmalen können durch mehrfache Strukturierung mehrerer Abdeckungsmaterialien definiert werden, um Fehlausrichtungen zu reduzieren. Subtraktiv strukturierte Merkmale können Leitungen sein, die mit Damaszener-Vias oder mit subtraktiv strukturieren Vias integriert sind, oder sie können Vias sein, die mit Damaszener-Leitungen oder mit subtraktiv strukturierten Leitungen integriert sind. Subtraktiv strukturierte Vias können als Teil einer ebenen Metallschicht abgeschieden werden und sind derzeit mit Verbindungsleitungen definiert. Subtraktiv strukturierte Merkmale können in Luftzwischenraum-Isolationsstrukturen integriert werden. Subtraktiv strukturierte Merkmale können ein Barrierematerial an der Unterseite, der Oberseite oder den Seitenwänden umfassen. Eine untere Barriere subtraktiv strukturierter Merkmale kann mit einer flächenselektiven Technik so abgeschieden werden, dass sie sich nicht von einem darunter liegenden Verbindungsmerkmal abhebt. Eine Barriere eines subtraktiv strukturierten Merkmals kann Graphen oder ein Chalkogenid eines Metalls in dem Merkmal oder in einer Keimschicht umfassen.

公开(公告)号：DE102020113775A1

公开(公告)日：2020-12-31

申请号：DE102020113775

申请日：2020-05-21

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MANNEBACH EHREN ,  LILAK AARON D ,  YOO HUI JAE ,  MORROW PATRICK ,  LIN KEVIN ,  TRONIC TRISTAN

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8232

Abstract: Eine Vorrichtung ist offenbart. Die Vorrichtung umfasst einen Gate-Leiter, eine erste Source-Drain-Region und eine zweite Source-Drain-Region. Die Vorrichtung umfasst einen ersten Luftzwischenraumbereich zwischen der ersten Source-Drain-Region und einer ersten Seite des Gate-Leiters und einen zweiten Luftzwischenraumbereich zwischen der zweiten Source-Drain-Region und einer zweiten Seite des Gate-Leiters. Eine Hartmaskenschicht, die Löcher umfasst, befindet sich unter dem Gate-Leiter, der ersten Source-Drain-Region, der zweiten Source-Drain-Region und den Luftzwischenraumbereichen. Eine planare Dielektrikumsschicht befindet sich unter der Hartmaske.

公开(公告)号：DE112016006659T5

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE112016006659

申请日：2016-05-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  BRISTOL ROBERT L ,  SCHENKER RICHARD E

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: Eine damaszierte Stopfen- und Zungenstrukturbildung mittels Photobuckets für auf Abstandhalter basierende Back-End-of-Line(BEOL)-Verbindungen wird beschrieben. In einem Beispiel enthält eine Back-End-of-Line(BEOL)-Metallisierungsschicht für eine Halbleiterstruktur eine Zwischenschichtdielektrikum(Inter-Layer Dielectric, ILD)-Schicht, die über einem Substrat angeordnet ist. In der ILD-Schicht sind entlang einer ersten Richtung mehrere Leiterbahnen angeordnet. In der ILD-Schicht ist eine leitfähige Zunge angeordnet. Die leitfähige Zunge verbindet zwei der mehreren Leiterbahnen entlang einer zweiten Richtung, die senkrecht zu der ersten Richtung ist.