公开(公告)号：DE102022105986A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022105986

申请日：2022-03-15

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SAKIB MEER NAZMUS ,  FATHOLOLOUMI SAEED ,  FRISH HAREL ,  HECK JOHN ,  BONONCINI EDDIE ,  DEFREES REECE A ,  DOBEK STANLEY J ,  EFTEKHAR ALIASGHAR ,  GARAY WALTER ,  LIU LINGTAO ,  QIAN WEI

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/01

Abstract: Ein Verfahren kann Folgendes beinhalten: Ausbilden einer Basisschicht auf einem Substrat; Ausbilden einer Wellenleiterbaugruppe auf der Basisschicht, wobei die Wellenleiterbaugruppe von einer Mantelschicht umgeben ist; Ausbilden einer Grabenöffnung durch die Mantelschicht und die Basisschicht; Ausbilden einer Unterhöhlung durch Ätzen des Substrats durch die Grabenöffnung, wobei sich die Unterhöhlung unter der Wellenleiterbaugruppe und der Basisschicht erstreckt; und Füllen der Grabenöffnung mit einem Füllstoff, um die Unterhöhlung abzudichten. Weitere Ausführungsformen sind beschrieben und beansprucht.