公开(公告)号：DE102021115855A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：DE102021115855

申请日：2021-06-18

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SAKIB MEER NAZMUS ,  LIAO PEICHENG ,  KUMAR RANJEET ,  HUANG DUANNI ,  RONG HAISHENG ,  FRISH HAREL ,  HECK JOHN ,  MA CHAOXUAN ,  LI HAO ,  BALAMURUGAN GANESH

IPC: H04B10/61 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: Hier beschriebene Ausführungsformen können Einrichtungen, Prozesse und Techniken in Bezug auf kohärente optische Empfänger betreffen, einschließlich kohärenter Empfänger mit integrierten Ganzsiliciumwellenleiterfotodetektoren und abstimmbaren Lokaloszillatoren, die in CMOS-Technologie implementiert sind.Ausführungsformen betreffen auch abstimmbare Siliciumhybridlaser mit integrierten Temperatursensoren zum Steuern der Wellenlänge. Ausführungsformen betreffen auch eine Post-Prozess-Phasenkorrektur eines optischen Hybrids und verschachtelter I/Q-Modulatoren. Ausführungsformen betreffen auch Demultiplexfotodetektoren basierend auf mehreren Mikroringen. Bei Ausführungsformen können alle Komponenten auf einem Siliciumsubstrat implementiert sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

公开(公告)号：DE102022105986A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022105986

申请日：2022-03-15

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SAKIB MEER NAZMUS ,  FATHOLOLOUMI SAEED ,  FRISH HAREL ,  HECK JOHN ,  BONONCINI EDDIE ,  DEFREES REECE A ,  DOBEK STANLEY J ,  EFTEKHAR ALIASGHAR ,  GARAY WALTER ,  LIU LINGTAO ,  QIAN WEI

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/01

Abstract: Ein Verfahren kann Folgendes beinhalten: Ausbilden einer Basisschicht auf einem Substrat; Ausbilden einer Wellenleiterbaugruppe auf der Basisschicht, wobei die Wellenleiterbaugruppe von einer Mantelschicht umgeben ist; Ausbilden einer Grabenöffnung durch die Mantelschicht und die Basisschicht; Ausbilden einer Unterhöhlung durch Ätzen des Substrats durch die Grabenöffnung, wobei sich die Unterhöhlung unter der Wellenleiterbaugruppe und der Basisschicht erstreckt; und Füllen der Grabenöffnung mit einem Füllstoff, um die Unterhöhlung abzudichten. Weitere Ausführungsformen sind beschrieben und beansprucht.

公开(公告)号：DE102020111596A1

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：DE102020111596

申请日：2020-04-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： BALAMURUGAN GANESH ,  RONG HAISHENG ,  SAKIB MEER NAZMUS ,  LI HAO

IPC: G01J1/16 ,  G01J1/42 ,  G01J3/26 ,  G02B6/12 ,  H01L31/101

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind auf Techniken und Konfigurationen für eine photonische Einrichtung mit einem Photodetektor mit Vorspannungssteuerung zum Bereitstellen im Wesentlichen konstanter Ansprechempfindlichkeit ausgerichtet. Die Einrichtung beinhaltet Folgendes: einen ersten Photodetektor zum Empfangen einer optischen Eingabe und Bereitstellen einer entsprechenden elektrischen Ausgabe; einen zweiten Photodetektor, der mit dem ersten Photodetektor gekoppelt ist, wobei der zweite Photodetektor keine optischen Eingabe empfängt; und eine Schaltungsanordnung, die mit dem ersten und zweiten Photodetektor gekoppelt ist, zum: Erzeugen einer Vorspannung zumindest teilweise basierend auf einem Dunkelstrom, der durch den zweiten Photodetektor bei Nichtvorhandensein der optischen Eingabe erzeugt wird; und Bereitstellen der erzeugten Vorspannung zu dem ersten Photodetektor. Der erste Photodetektor soll als Reaktion auf die Bereitstellung der erzeugten Vorspannung ein im Wesentlichen konstantes Verhältnis der elektrischen Ausgabe zu der optischen Eingabe bereitstellen. Zusätzliche Ausführungsformen können beschrieben und beansprucht werden.