公开(公告)号：DE102024119424A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102024119424

申请日：2024-07-09

Applicant: INTEL CORP

Inventor： FRISH HAREL ,  MAHALINGAM HARI ,  FATHOLOLOUMI SAEED ,  YERKES SHANE ,  HECK JOHN ,  QIAN WEI

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/26

Abstract: Vorrichtung, die ein Siliziumsubstrat und einen Wellenleiter auf dem Siliziumsubstrat umfasst. Im Substrat befindet sich eine Nut, wobei die Nut eine geneigte Rückwand neben dem Wellenleiter aufweist. Im Substrat befindet sich ein Graben, der Graben entlang einer zweiten Richtung in der Regel orthogonal zur ersten Richtung quer über die geneigte Rückwand, wobei der Graben eine vertikale Wand an einer Schnittlinie mit der geneigten Rückwand aufweist. Eine optische Faser in der Nut, wobei ein Ende der optischen Faser an der vertikalen Wand anliegt.

公开(公告)号：DE102022107817A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE102022107817

申请日：2022-04-01

Applicant: INTEL CORP

Inventor： VULOVIC BORIS M ,  SU TIEHUI ,  GAUTAM NUTAN ,  LIN WENHUA ,  TANZID MEHBUBA ,  LIU ANSHENG ,  QIAN WEI

IPC: G02F1/225 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/26 ,  G02B6/34 ,  G02F1/295 ,  H04J14/02

Abstract: Techniken für photonische Demultiplexer werden offenbart. In der veranschaulichenden Ausführungsform ist ein Ausgang eines unsymmetrischen Interferometers, das aus Wellenleitern gebildet ist, an dem Eingang eines Plattengitters angeordnet, wobei mehrere Ausgangswellenleiter Licht in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen sammeln, um unterschiedliche Kanäle für das Demultiplexersystem zu erzeugen. In einigen Ausführungsformen können eine oder mehrere Hilfsstrukturen nahe an dem Eingang des Gitters angeordnet sein, um die Struktur der räumlichen Modi zu ändern, die als ein Eingang in das Gitter bereitgestellt werden, um die Spektren der Ausgabekanäle zu ändern.

公开(公告)号：DE102022105986A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022105986

申请日：2022-03-15

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SAKIB MEER NAZMUS ,  FATHOLOLOUMI SAEED ,  FRISH HAREL ,  HECK JOHN ,  BONONCINI EDDIE ,  DEFREES REECE A ,  DOBEK STANLEY J ,  EFTEKHAR ALIASGHAR ,  GARAY WALTER ,  LIU LINGTAO ,  QIAN WEI

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02F1/01

Abstract: Ein Verfahren kann Folgendes beinhalten: Ausbilden einer Basisschicht auf einem Substrat; Ausbilden einer Wellenleiterbaugruppe auf der Basisschicht, wobei die Wellenleiterbaugruppe von einer Mantelschicht umgeben ist; Ausbilden einer Grabenöffnung durch die Mantelschicht und die Basisschicht; Ausbilden einer Unterhöhlung durch Ätzen des Substrats durch die Grabenöffnung, wobei sich die Unterhöhlung unter der Wellenleiterbaugruppe und der Basisschicht erstreckt; und Füllen der Grabenöffnung mit einem Füllstoff, um die Unterhöhlung abzudichten. Weitere Ausführungsformen sind beschrieben und beansprucht.

公开(公告)号：DE102020130278A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：DE102020130278

申请日：2020-11-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  HE LINA ,  PARK SUNGBONG ,  DOSUNMU OLUFEMI ISIADE ,  FRISH HAREL ,  MAGRUDER KELLY CHRISTOPHER ,  SLAVIN SETH M ,  QIAN WEI ,  LIU ANSHENG ,  GAUTAM NUTAN ,  ISENBERGER MARK

IPC: H04J14/02

Abstract: Ausführungsformen können einen Wellenlängenmultiplex(WDM)-Sendeempfänger betreffen, der eine Siliciumwellenleiterschicht aufweist, die mit einer Siliciumnitridwellenleiterschicht gekoppelt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Siliciumwellenleiterschicht einen sich verjüngenden Teil beinhalten, der mit der Siliciumnitridwellenleiterschicht gekoppelt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Siliciumwellenleiterschicht mit einer ersten Oxidschicht mit einer ersten z-Höhe gekoppelt werden und kann die Siliciumnitridwellenleiterschicht mit einer zweiten Oxidschicht mit einer zweiten z-Höhe gekoppelt werden, die größer als die erste z-Höhe ist. Andere Ausführungsformen können beschrieben oder beansprucht werden.