公开(公告)号：DE102020106748A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102020106748

申请日：2020-03-12

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HARATIPOUR NAZILA ,  LIN CHIA-CHING ,  CHANG SOU-CHI ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  LOH OWEN ,  LU MENGCHENG ,  SUNG SEUNG HOON ,  YOUNG IAN A ,  AVCI UYGAR ,  KAVALIEROS JACK T

IPC: H01L27/11502 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

Abstract: Ein Kondensator wird offenbart, der eine erste Metallschicht und eine Keimschicht auf der ersten Metallschicht umfasst. Die Keimschicht umfasst eine kristalline Struktur mit einer polaren Phase. Der Kondensator umfasst auch eine ferroelektrische Schicht auf der Keimschicht und eine zweite Metallschicht auf der ferroelektrischen Schicht.

公开(公告)号：DE102020102805A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020102805

申请日：2020-02-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANG SOU-CHI ,  AVCI UYGAR ,  LIN CHIA-CHING ,  YOUNG IAN A ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA

IPC: H01L27/108 ,  H01G4/018 ,  H01G4/40 ,  H01L27/08 ,  H01L29/66

Abstract: Offenbart hierin sind Kondensatoren mit ferroelektrischem oder antiferroelektrischem (FE/AFE) Material und dielektrischem Material, sowie verwandte Verfahren und Bauelemente. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann ein Kondensator zwei Elektroden, eine Schicht aus FE/AFE-Material zwischen den Elektroden und eine Schicht aus dielektrischem Material zwischen den Elektroden umfassen.

公开(公告)号：DE102020130989A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102020130989

申请日：2020-11-24

Applicant: INTEL CORP

Inventor： O`BRIEN KEVIN ,  DOROW CHELSEY ,  MAXEY KIRBY ,  NAYLOR CARL ,  SHIVARAMAN SHRIRAM ,  LEE SUDARAT ,  GOSAVI TANAY ,  LIN CHIA-CHING ,  AVCI UYGAR ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Transistorstruktur beinhaltet eine erste Kanalschicht über einer zweiten Kanalschicht, wobei die erste und die zweite Kanalschicht ein monokristallines Übergangsmetalldichalkogenid (TMD) beinhalten. Die Transistorstruktur beinhaltet ferner Folgendes: ein Source-Material, das mit einem ersten Ende der ersten und zweiten Kanalschicht gekoppelt ist, ein Drain-Material, das mit einem zweiten Ende der ersten und zweiten Kanalschicht gekoppelt ist, eine Gate-Elektrode zwischen dem Source-Material und dem Drain-Material und zwischen der ersten Kanalschicht und der zweiten Kanalschicht, und ein Gate-Dielektrikum zwischen der Gate-Elektrode und sowohl der ersten Kanalschicht als auch der zweiten Kanalschicht.

公开(公告)号：DE102020102980A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020102980

申请日：2020-02-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN CHIA-CHING ,  CHANG SOU-CHI ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  HARATIPOUR NAZILA ,  SUNG SEUNG HOON ,  LOH OWEN Y ,  KAVALIEROS JACK ,  AVCI UYGAR ,  YOUNG IAN

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/66

Abstract: Beschrieben wird ein Kondensator auf ferroelektrischer Basis, der die Zuverlässigkeit eines ferroelektrischen Speichers durch die Verwendung eines isolierenden Dünnfilms mit geringem Lecken verbessert. Bei einem Beispiel ist der isolierende Dünnfilm mit geringem Lecken zwischen einer unteren Elektrode und einem ferroelektrischen Oxid positioniert. Bei einem anderen Beispiel ist der isolierende Dünnfilm mit geringem Lecken zwischen einer oberen Elektrode und einem ferroelektrischen Oxid positioniert. Bei einem wiederum anderen Beispiel ist der isolierende Dünnfilm mit geringem Lecken in der Mitte eines ferroelektrischen Oxids positioniert, um den Leckstrom zu reduzieren und die Zuverlässigkeit des ferroelektrischen Oxids zu verbessern.

公开(公告)号：DE102021121649A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021121649

申请日：2021-08-20

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NAYLOR CARL HUGO ,  O'BRIEN KEVIN ,  DOROW CHELSEY ,  MAXEY KIRBY ,  GOSAVI TANAY ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  ALAAN URUSA ,  AVCI UYGAR

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/085 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: [344] Hier werden Transistoren, die zweidimensionale Materialien beinhalten, sowie zugehörige Verfahren und Vorrichtungen offenbart. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Transistor ein erstes zweidimensionales Kanalmaterial und ein zweites zweidimensionales Source/Drain (S/D)-Material in einem Source/Drain (S/D) beinhalten und das erste zweidimensionale Material und das zweite zweidimensionale Material können unterschiedliche Zusammensetzungen oder Dicken aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Transistor ein erstes zweidimensionales Material in einem Kanal und ein zweites zweidimensionales Material in einem Source/Drain (S/D) beinhalten, wobei das erste zweidimensionale Material ein Einkristallmaterial ist und das zweite zweidimensionale Material ein Einkristallmaterial ist.

公开(公告)号：DE102020131942A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102020131942

申请日：2020-12-02

Applicant: INTEL CORP

Inventor： O'BRIEN KEVIN P ,  NAYLOR CARL ,  DOROW CHELSEY ,  MAXEY KIRBY ,  GOSAVI TANAY ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  SHIVARAMAN SHRIRAM ,  LIN CHIA-CHING ,  LEE SUDARAT ,  AVCI UYGAR E

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/423

Abstract: Hier offenbarte Ausführungsformen umfassen Halbleitervorrichtungen mit zweidimensionalen bzw. 2D-Halbleiterkanälen und Verfahren zum Bilden derartiger Vorrichtungen. Bei einer Ausführungsform umfasst die Halbleitervorrichtung einen Source-Kontakt und einen Drain-Kontakt. Bei einer Ausführungsform befindet sich ein 2D-Halbleiterkanal zwischen dem Source-Kontakt und dem Drain-Kontakt. Bei einer Ausführungsform ist der 2D-Halbleiterkanal eine Hülle.

公开(公告)号：DE102020104834A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102020104834

申请日：2020-02-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SUNG SEUNG HOON ,  KAVALIEROS JACK ,  YOUNG IAN ,  METZ MATTHEW ,  AVCI UYGAR ,  MERRILL DEVIN ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  LIN CHIA-CHING ,  LOH OWEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: Techniken und Mechanismen zur Bereitstellung einer elektrischen Isolierung zwischen einem Gate und einem Kanalgebiet einer nichtplanaren Schaltungsvorrichtung. Bei einer Ausführungsform erstrecken sich die Gate-Struktur und Isolations-Spacer auf jeweiligen gegenüberliegenden Seiten der Gate-Struktur jeweils über einer Halbleiterfinnenstruktur. In einem Gebiet zwischen den Isolations-Spacern erstreckt sich eine erste dielektrische Schicht anpassend über der Finne, und eine zweite dielektrische Schicht grenzt an der ersten dielektrischen Schicht an und erstreckt sich anpassend über dieser. Eine an der zweiten dielektrischen Schicht und den Isolations-Spacern angrenzende dritte dielektrische Schicht erstreckt sich unter der Gate-Struktur. Von der ersten, der zweiten und der dritten dielektrischen Schicht ist die dritte dielektrische Schicht an jeweilige Seitenwände der Isolations-Spacer angepasst. Bei einer anderen Ausführungsform hat die zweite dielektrische Schicht eine Dielektrizitätskonstante, die größer als die der ersten dielektrischen Schicht ist und gleich der oder kleiner als die der dritten dielektrischen Schicht ist.