公开(公告)号：DE102020130989A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102020130989

申请日：2020-11-24

Applicant: INTEL CORP

Inventor： O`BRIEN KEVIN ,  DOROW CHELSEY ,  MAXEY KIRBY ,  NAYLOR CARL ,  SHIVARAMAN SHRIRAM ,  LEE SUDARAT ,  GOSAVI TANAY ,  LIN CHIA-CHING ,  AVCI UYGAR ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Transistorstruktur beinhaltet eine erste Kanalschicht über einer zweiten Kanalschicht, wobei die erste und die zweite Kanalschicht ein monokristallines Übergangsmetalldichalkogenid (TMD) beinhalten. Die Transistorstruktur beinhaltet ferner Folgendes: ein Source-Material, das mit einem ersten Ende der ersten und zweiten Kanalschicht gekoppelt ist, ein Drain-Material, das mit einem zweiten Ende der ersten und zweiten Kanalschicht gekoppelt ist, eine Gate-Elektrode zwischen dem Source-Material und dem Drain-Material und zwischen der ersten Kanalschicht und der zweiten Kanalschicht, und ein Gate-Dielektrikum zwischen der Gate-Elektrode und sowohl der ersten Kanalschicht als auch der zweiten Kanalschicht.

公开(公告)号：DE102020120786A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102020120786

申请日：2020-08-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SHARMA ABHISHEK A ,  NAYLOR CARL ,  ALAAN URUSA

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierter-Schaltkreis-Strukturen mit auskleidungslosen selbstbildenden Barrieren und Verfahren zum Fertigen Integrierter-Schaltkreis-Strukturen mit auskleidungslosen selbstbildenden Barrieren sind beschrieben. Bei einem Beispiel beinhaltet eine Integrierter-Schaltkreis-Struktur ein dielektrisches Material oberhalb eines Substrats. Eine Zwischenverbindungsstruktur befindet sich in einem Graben in dem dielektrischen Material. Die Zwischenverbindungsstruktur beinhaltet ein leitfähiges Füllmaterial und eine zweidimensionale (2D) kristalline Auskleidung. Die kristalline 2D-Auskleidung befindet sich in direktem Kontakt mit dem dielektrischen Material und mit dem leitfähigen Füllmaterial. Die kristalline 2D-Auskleidung beinhaltet eine gleiche Metallspezies wie das leitfähige Füllmaterial.

公开(公告)号：DE102020131942A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：DE102020131942

申请日：2020-12-02

Applicant: INTEL CORP

Inventor： O'BRIEN KEVIN P ,  NAYLOR CARL ,  DOROW CHELSEY ,  MAXEY KIRBY ,  GOSAVI TANAY ,  PENUMATCHA ASHISH VERMA ,  SHIVARAMAN SHRIRAM ,  LIN CHIA-CHING ,  LEE SUDARAT ,  AVCI UYGAR E

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/423

Abstract: Hier offenbarte Ausführungsformen umfassen Halbleitervorrichtungen mit zweidimensionalen bzw. 2D-Halbleiterkanälen und Verfahren zum Bilden derartiger Vorrichtungen. Bei einer Ausführungsform umfasst die Halbleitervorrichtung einen Source-Kontakt und einen Drain-Kontakt. Bei einer Ausführungsform befindet sich ein 2D-Halbleiterkanal zwischen dem Source-Kontakt und dem Drain-Kontakt. Bei einer Ausführungsform ist der 2D-Halbleiterkanal eine Hülle.

公开(公告)号：DE102020112108A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102020112108

申请日：2020-05-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SHARMA ABHISHEK ANIL ,  AGARWAL ASHISH ,  ALAAN URUSA ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  LIN KEVIN ,  NAYLOR CARL

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26

Abstract: Transistorstrukturen, die Metallchalkogenid-Kanalmaterialien verwenden, können gebildet werden, wobei ein Chalkogen in zumindest einen Abschnitt eines Precursormaterials eingebracht wird, das reaktive(s) Metall(e) umfasst. Das Precursormaterial kann im Wesentlichen metallisch sein, oder kann ein Metalloxid (z.B. ein Oxidhalbleiter) sein. Das (Die) Metall(e) kann/können Übergangs-, Gruppe-II-, Gruppe-III-, Gruppe-V-Elemente oder Legierungen derselben sein. Ein Oxid eines oder mehrerer solcher Metalle (z.B. IGZO) kann in ein Chalkogenid (z.B. IGZSxoder IGZSex) umgewandelt werden, das Halbleitereigenschaften aufweist. Das auf diese Weise gebildete Chalkogenid kann nur wenige Monoschichten dick sein (und ist möglicherweise thermisch stabiler als viele Oxidhalbleiter). Wo nicht das gesamte Precursormaterial umgewandelt wird, kann eine Transistorstruktur das Precursormaterial beibehalten, zum Beispiel als Teil eines Transistorkanals oder eines Gate-Dielektrikums. Backend-Transistoren umfassend Metallchalkogenid-Kanalmaterialien können über einer Silizium-CMOS-Schaltungsanordnung hergestellt werden.

公开(公告)号：DE102020120786B4

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102020120786

申请日：2020-08-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： SHARMA ABHISHEK A ,  NAYLOR CARL ,  ALAAN URUSA

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: Integrierter-Schaltkreis-Struktur (300), die Folgendes umfasst:ein halbleitendes Oxidmaterial (302) über einer Gate-Elektrode (304);ein Paar leitfähiger Kontakte (308) auf einem ersten Gebiet des halbleitenden Oxidmaterials (302), wobei sich ein zweites Gebiet des halbleitenden Oxidmaterials (302) zwischen dem Paar leitfähiger Kontakte (308) befindet, wobei jeder des Paares leitfähiger Kontakte (308) ein leitfähiges Füllmaterial (308B) und eine zweidimensionale (2D) kristalline Auskleidung (308A) umfasst, die kristalline 2D-Auskleidung (308A) sich in direktem Kontakt mit dem halbleitenden Oxidmaterial (302) und mit dem leitfähigen Füllmaterial (308B) befindet, und die kristalline 2D-Auskleidung (308A) eine gleiche Metallspezies wie das leitfähige Füllmaterial umfasst.

公开(公告)号：DE102021126158A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021126158

申请日：2021-10-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  SATO NORIYUKI ,  TRONIC TRISTAN ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  CHEN JIUN-RUEY ,  BLACKWELL JAMES ,  METZ MATTHEW V ,  RESHOTKO MIRIAM R ,  KABIR NAFEES ,  BIELEFELD JEFFERY ,  CHANDHOK MANISH ,  YOO HUI JAE ,  KARPOV ELIJAH V ,  NAYLOR CARL ,  CHEBIAM RAMANAN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: IC-Verbindungsstrukturen mit subtraktiv strukturierten Merkmalen. Die Enden von Merkmalen können durch mehrfache Strukturierung mehrerer Abdeckungsmaterialien definiert werden, um Fehlausrichtungen zu reduzieren. Subtraktiv strukturierte Merkmale können Leitungen sein, die mit Damaszener-Vias oder mit subtraktiv strukturieren Vias integriert sind, oder sie können Vias sein, die mit Damaszener-Leitungen oder mit subtraktiv strukturierten Leitungen integriert sind. Subtraktiv strukturierte Vias können als Teil einer ebenen Metallschicht abgeschieden werden und sind derzeit mit Verbindungsleitungen definiert. Subtraktiv strukturierte Merkmale können in Luftzwischenraum-Isolationsstrukturen integriert werden. Subtraktiv strukturierte Merkmale können ein Barrierematerial an der Unterseite, der Oberseite oder den Seitenwänden umfassen. Eine untere Barriere subtraktiv strukturierter Merkmale kann mit einer flächenselektiven Technik so abgeschieden werden, dass sie sich nicht von einem darunter liegenden Verbindungsmerkmal abhebt. Eine Barriere eines subtraktiv strukturierten Merkmals kann Graphen oder ein Chalkogenid eines Metalls in dem Merkmal oder in einer Keimschicht umfassen.

公开(公告)号：DE102021124540A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021124540

申请日：2021-09-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： ALAAN URUSA ,  ATANASOV SARAH ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  KOBRINSKY MAURO ,  LIN KEVIN L ,  NAYLOR CARL ,  RESHOTKO MIRIAM ,  YOO HUI JAE

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Zwischenverbindungsstrukturen einer integrierten Schaltung, die eine Metallisierungsleitung mit einem unteren Barrierematerial und ein Metallisierungs-Via, dem ein unteres Barrierematerial fehlt, beinhalten. Barrierematerial unten an der Metallisierungsleitung kann zusammen mit Barrierematerial an einer Seitenwand der Metallisierungsleitung die Diffusion oder Migration von Füllmetall aus der Leitung abschwächen. Eine Abwesenheit eines Barrierematerials am Boden des Vias kann einen Via-Widerstand reduzieren und/oder die Verwendung eines hochohmigen Barrierematerials ermöglichen, das die Skalierbarkeit von Zwischenverbindungsstrukturen verbessern kann. Eine Reihe von Maskierungsmaterialien und Strukturierungstechniken können in einen Dual-Damascene-Zwischenverbindungsprozess integriert werden, um sowohl ein Barrierematerial als auch eine Entlastung des niederohmigen Vias durch das Barrierematerial bereitzustellen.