公开(公告)号：DE112016007263T5

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE112016007263

申请日：2016-09-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NAIR VIJAY K ,  RAORANE DIGVIJAY

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/10

Abstract: Hierin allgemein erörtert sind Systeme, Bauelemente und Verfahren, die einen Kommunikationshohlraum umfassen. Gemäß einem Beispiel kann ein Bauelement ein Substrat mit einem darin gebildeten ersten Hohlraum umfassen, eine erste und eine zweite Antenne, die in dem Hohlraum freiliegend und von dem Hohlraum umschlossen sind, und eine in dem Substrat gebildete Verbindungstruktur, wobei die Verbindungstruktur abwechselnde leitfähige Materialschichten und Zwischenschicht-Dielektrikumsschichten umfasst.

公开(公告)号：DE102020132368A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102020132368

申请日：2020-12-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KARHADE OMKAR ,  MODI MITUL B ,  AGRAHARAM SAIRAM ,  DESHPANDE NITIN ,  RAORANE DIGVIJAY

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: Die hier offenbarten Ausführungsbeispiele umfassen Multi-Die-Packages mit Offener-Hohlraum-Brücken. Bei einem Beispiel umfasst eine elektronische Vorrichtung ein Package-Substrat mit abwechselnden Metallisierungsschichten und dielektrischen Schichten. Das Package-Substrat umfasst eine erste Mehrzahl von Substratanschlussflächen und eine zweite Mehrzahl von Substratanschlussflächen, und einen offenen Hohlraum. Ein Brücken-Die ist in dem offenen Hohlraum, wobei der Brücken-Die eine erste Mehrzahl von Brückenanschlussflächen, eine zweite Mehrzahl von Brückenanschlussflächen, eine Leistungslieferungs-Brückenanschlussfläche zwischen der ersten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen und der zweiten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen und leitfähige Leiterbahnen umfasst. Ein erster Die ist mit der ersten Mehrzahl von Substratanschlussflächen und der ersten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen gekoppelt. Ein zweiter Die ist mit der zweiten Mehrzahl von Substratanschlussflächen und der zweiten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen gekoppelt. Eine Leistungslieferungs-Leiterbahn ist mit der Leistungslieferungs-Brückenanschlussfläche gekoppelt.

公开(公告)号：DE102020131442A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102020131442

申请日：2020-11-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KARHADE OMKAR ,  RAORANE DIGVIJAY ,  AGRAHARAM SAIRAM ,  DESHPANDE NITIN ,  MODI MITUL ,  DUBEY MANISH ,  CETEGEN EDVIN

IPC: H01L23/538

Abstract: Hier offenbarte Ausführungsformen weisen Mehr-Die-Baugruppen mit Offener-Hohlraum-Brücken auf. Bei einem Beispiel weist eine elektronische Vorrichtung ein Baugruppensubstrat mit abwechselnden Metallisierungsschichten und dielektrischen Schichten auf. Das Baugruppensubstrat weist eine erste Mehrzahl von Substratkontaktstellen und eine zweite Mehrzahl von Substratkontaktstellen auf. Das Baugruppensubstrat weist auch einen offenen Hohlraum zwischen der ersten Mehrzahl von Substratkontaktstellen und der zweiten Mehrzahl von Substratkontaktstellen auf, wobei der offene Hohlraum einen Boden und Seiten aufweist. Die elektronische Vorrichtung weist auch einen Brücken-Die im offenen Hohlraum auf, wobei der Brücken-Die eine erste Mehrzahl von Brückenkontaktstellen, eine zweite Mehrzahl von Brückenkontaktstellen und Leiterbahnen aufweist. Eine Haftschicht koppelt den Brücken-Die mit dem Boden des offenen Hohlraums. Ein Zwischenraum befindet sich lateral zwischen dem Brücken-Die und den Seiten des offenen Hohlraums, wobei der Zwischenraum den Brücken-Die umgibt.

公开(公告)号：DE112016007572T5

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE112016007572

申请日：2016-12-31

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MALLIK DEBENDRA ,  RAORANE DIGVIJAY

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/433 ,  H01L25/065

Abstract: Eine Technologie eines elektronischen Gehäuses ist offenbart. Ein erster aktiver Die kann an einem Gehäusesubstrat befestigt und mit demselben elektrisch gekoppelt sein. Ein zweiter aktiver Die kann auf einer Oberseite des ersten aktiven Dies angeordnet sein, wobei der zweite aktive Die mit einem oder beiden von dem ersten aktiven Die und dem Gehäusesubstrat elektrisch gekoppelt sein kann. Zumindest ein offener Raum kann auf der Oberseite des ersten aktiven Dies verfügbar sein. Zumindest ein Abschnitt eines Versteifungselements kann den zumindest einen offenen Raum, der auf der Oberseite des ersten aktiven Dies verfügbar ist, im Wesentlichen ausfüllen.

公开(公告)号：DE102020117063A1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102020117063

申请日：2020-06-29

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MALLIK DEBENDRA ,  MAHAJAN RAVINDRANATH ,  RAORANE DIGVIJAY

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: Eine Mehrfachchipeinheit, die zur Kapselung auf Chipebene geeignet ist, kann mehrere IC-Chips beinhalten, die durch eine Metallumverdrahtungsstruktur miteinander verbunden sind und die direkt an einen integrierten Wärmespreizer gebondet sind. Das Bonden des integrierten Wärmespreizers an die mehreren IC-Chips kann direkt sein, so dass kein Wärmeleitungsmaterial (TIM: Thermal Interface Material) notwendig ist, was zu einer reduzierten Bondschichtdicke (BLT) und einem niedrigeren thermischen Widerstand führt. Der integrierte Wärmespreizer kann ferner als ein strukturelles Element der Mehrfachchipeinheit dienen, das ermöglicht, dass eine zweite Seite der Umverdrahtungsstruktur mittels Lotzwischenverbindungen ferner mit einem Host verbunden wird. Die Umverdrahtungsstruktur kann auf einem Opfer-Interposer gefertigt werden, der eine Planarisierung von IC-Chips unterschiedlicher Dicken vor dem Bonden des Wärmespreizers ermöglichen kann. Der Opfer-Interposer kann entfernt werden, um die RDL zur weiteren Verbindung mit einem Substrat ohne Verwendung Vias durch das Substrat hindurch freizulegen.