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公开(公告)号:DE112016005921T5
公开(公告)日:2018-09-20
申请号:DE112016005921
申请日:2016-11-22
Applicant: INTEL CORP
Inventor: DIAS RAJENDRA C , HEPPNER JOSHUA D , MODI MITUL B , PRAKASH ANNA M
IPC: H05K9/00 , H01L23/552
Abstract: Eine elektrische Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung dieser elektrischen Vorrichtung sind offenbart. Die elektrische Vorrichtung weist eine oder mehrere elektrische Vorrichtungen auf, die an einem Substrat angebracht sind. Die elektrische Vorrichtung weist ferner eine oder mehrere Erdungsflächen auf, die an dem Substrat angebracht sind. Die elektrische Vorrichtung weist ferner ein perforiertes leitfähiges Material auf, das auf dem Substrat platziert ist. Die elektrische Vorrichtung weist ferner eine Formmasse auf, die abgeschieden ist, um das perforierte leitfähige Material, die eine oder die mehreren Vorrichtungen und die eine oder die mehreren Erdungsflächen zu bedecken.
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公开(公告)号:DE112017008340T5
公开(公告)日:2020-09-10
申请号:DE112017008340
申请日:2017-12-30
Applicant: INTEL CORP
Inventor: MALLIK DEBENDRA , SANKMAN ROBERT L , NICKERSON ROBERT , MODI MITUL B , GANESAN SANKA , SWAMINATHAN RAJASEKARAN , KARHADE OMKAR , LIFF SHAWNA M , ALUR AMRUTHAVALLI , CHAVALI SRI CHAITRA
IPC: H01L25/07 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: Ultradünne hochdichte Halbleiter-Packages und Techniken zum Bilden solcher Packages sind beschrieben. Ein beispielhaftes Halbleiter-Package wird gebildet mit einem oder mehreren von: (i) Metallsäulen mit ultra-feinem Abstand (z. B. einem Abstand, der größer als oder gleich 150 µm ist etc.); (ii) einem großen Die-zu-Package-Verhältnis (z. B. einem Verhältnis, das gleich oder größer als 0,85 ist etc.); und (iii) einem Dünner-Abstand-Translations-Interposer. Ein anderes beispielhaftes Halbleiter-Package wird unter Verwendung einer Kernloses-Substrat-Technologie, Die-Rückmetallisierung und Niedrigtemperatur-Lötmittel-Technologie für Kugelgitterarray-(BGA-) Metallurgie gebildet. Andere Ausführungsbeispiele sind beschrieben.
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公开(公告)号:DE112016007552T5
公开(公告)日:2019-09-19
申请号:DE112016007552
申请日:2016-12-27
Applicant: INTEL CORP
Inventor: MODI MITUL B , SANKMAN ROBERT L , MALLIK DEBENDRA , MAHAJAN RAVINDRANATH V , ALUR AMRUTHAVALLI PALLAVI , DENG YIKANG , LI ERIC J
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: Eine Vorrichtung ist bereitgestellt, umfassend: eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten, die ein Substrat bilden, eine Mehrzahl von ersten leitfähigen Kontakten auf einer ersten Oberfläche des Substrats, einen Hohlraum in der ersten Oberfläche des Substrats, der eine zweite Oberfläche parallel zu der ersten Oberfläche definiert, eine Mehrzahl von zweiten leitfähigen Kontakten auf der zweiten Oberfläche des Substrats, einen oder mehrere Integrierte-Schaltungs-Die(s), die mit den zweiten leitfähigen Kontakten gekoppelt sind, und Formmassematerial, das den einen oder die mehreren Integrierte-Schaltungs-Die(s) und die ersten leitfähigen Kontakte zumindest teilweise abdeckt. Andere Ausführungsbeispiele sind auch offenbart und beansprucht.
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公开(公告)号:DE112016005991T5
公开(公告)日:2018-08-30
申请号:DE112016005991
申请日:2016-11-24
Applicant: INTEL CORP
Inventor: DIAS RAJENDRA C , KUMAMOTO TAKASHI , TOMITA YOSHISHIRO , MODI MITUL B , HEPPNER JOSHUA D , LI ERIC
IPC: H01L21/56 , H01L23/552 , H05K9/00
Abstract: Elektromagnetisch abgeschirmte elektronische Vorrichtungstechnologie wird offenbart. In einem Beispiel kann ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Vorrichtungspakets Bereitstellen eines Substrats, aufweisend eine Leiteranschlussfläche und eine elektronische Komponente, umfassen. Das Verfahren kann auch Ausbilden einer oberflächentreuen isolierenden Schicht auf dem Substrat und der elektronischen Komponente umfassen. Die oberflächentreue isolierende Schicht ist oberflächentreu zu der elektronischen Komponente. Das Verfahren kann ferner Freilegen der Leiteranschlussfläche umfassen. Darüber hinaus kann das Verfahren Ausbilden einer elektrisch leitfähigen elektromagnetischen Interferenz(Electromagnetic Interference, EMI)-Schicht auf der isolierenden Schicht und in Kontakt mit der Leiteranschlussfläche umfassen.
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公开(公告)号:DE102021121892A1
公开(公告)日:2022-03-31
申请号:DE102021121892
申请日:2021-08-24
Applicant: INTEL CORP
Inventor: DAS MAHAPATRA SUSMRITI , SANKARASUBRAMANIAN MALAVARAYAN , HOWELL SHENAVIA , HARPER JOHN , MODI MITUL B
IPC: H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: Ein Integrierte-Schaltung- (IC-) Package umfasst einen Die mit einer Vorderseite und einer Rückseite. Ein lötthermisches Grenzflächenmaterial (STIM), das ein erstes Metall umfasst, ist über der Rückseite. Das TIM weist eine Wärmeleitfähigkeit von nicht weniger als 40 W/mK auf; und ein Die-Rückseiten-Material (DBM, das ein zweites Metall über dem STIM umfasst, wobei das DBM einen CTE von nicht weniger als 18 × 10-6m/mK aufweist, wobei eine Grenzfläche zwischen dem STIM und dem DBM zumindest eine intermetallische Verbindung (IMC) des ersten Metalls und des zweiten Metalls umfasst.
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公开(公告)号:DE102020132368A1
公开(公告)日:2021-09-30
申请号:DE102020132368
申请日:2020-12-06
Applicant: INTEL CORP
Inventor: KARHADE OMKAR , MODI MITUL B , AGRAHARAM SAIRAM , DESHPANDE NITIN , RAORANE DIGVIJAY
IPC: H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: Die hier offenbarten Ausführungsbeispiele umfassen Multi-Die-Packages mit Offener-Hohlraum-Brücken. Bei einem Beispiel umfasst eine elektronische Vorrichtung ein Package-Substrat mit abwechselnden Metallisierungsschichten und dielektrischen Schichten. Das Package-Substrat umfasst eine erste Mehrzahl von Substratanschlussflächen und eine zweite Mehrzahl von Substratanschlussflächen, und einen offenen Hohlraum. Ein Brücken-Die ist in dem offenen Hohlraum, wobei der Brücken-Die eine erste Mehrzahl von Brückenanschlussflächen, eine zweite Mehrzahl von Brückenanschlussflächen, eine Leistungslieferungs-Brückenanschlussfläche zwischen der ersten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen und der zweiten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen und leitfähige Leiterbahnen umfasst. Ein erster Die ist mit der ersten Mehrzahl von Substratanschlussflächen und der ersten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen gekoppelt. Ein zweiter Die ist mit der zweiten Mehrzahl von Substratanschlussflächen und der zweiten Mehrzahl von Brückenanschlussflächen gekoppelt. Eine Leistungslieferungs-Leiterbahn ist mit der Leistungslieferungs-Brückenanschlussfläche gekoppelt.
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