公开(公告)号：DE102020130278A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：DE102020130278

申请日：2020-11-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： HECK JOHN ,  HE LINA ,  PARK SUNGBONG ,  DOSUNMU OLUFEMI ISIADE ,  FRISH HAREL ,  MAGRUDER KELLY CHRISTOPHER ,  SLAVIN SETH M ,  QIAN WEI ,  LIU ANSHENG ,  GAUTAM NUTAN ,  ISENBERGER MARK

IPC: H04J14/02

Abstract: Ausführungsformen können einen Wellenlängenmultiplex(WDM)-Sendeempfänger betreffen, der eine Siliciumwellenleiterschicht aufweist, die mit einer Siliciumnitridwellenleiterschicht gekoppelt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Siliciumwellenleiterschicht einen sich verjüngenden Teil beinhalten, der mit der Siliciumnitridwellenleiterschicht gekoppelt ist. Bei manchen Ausführungsformen kann die Siliciumwellenleiterschicht mit einer ersten Oxidschicht mit einer ersten z-Höhe gekoppelt werden und kann die Siliciumnitridwellenleiterschicht mit einer zweiten Oxidschicht mit einer zweiten z-Höhe gekoppelt werden, die größer als die erste z-Höhe ist. Andere Ausführungsformen können beschrieben oder beansprucht werden.