V-NUT-FASERANSCHLAG
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102024119424A1

    公开(公告)日:2025-03-27

    申请号:DE102024119424

    申请日:2024-07-09

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Vorrichtung, die ein Siliziumsubstrat und einen Wellenleiter auf dem Siliziumsubstrat umfasst. Im Substrat befindet sich eine Nut, wobei die Nut eine geneigte Rückwand neben dem Wellenleiter aufweist. Im Substrat befindet sich ein Graben, der Graben entlang einer zweiten Richtung in der Regel orthogonal zur ersten Richtung quer über die geneigte Rückwand, wobei der Graben eine vertikale Wand an einer Schnittlinie mit der geneigten Rückwand aufweist. Eine optische Faser in der Nut, wobei ein Ende der optischen Faser an der vertikalen Wand anliegt.

    Mehrschichtige Siliciumphotonikeinrichtung

    公开(公告)号:DE102021119453A1

    公开(公告)日:2022-05-19

    申请号:DE102021119453

    申请日:2021-07-27

    Applicant: INTEL CORP

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen optische Koppler mit niedriger numerischer Apertur (NA) oder Punktgrößenwandler, die einen lateralen Verjüngungsabschnitt und/oder einen vertikalen adiabatischen Verjüngungsabschnitt beinhalten. Bei Ausführungsformen können die optischen Koppler auf einem Siliciumsubstrat in der Nähe von V-Nuten in dem Substrat positioniert sein, um Glasfasern zu enthalten, die selbstauszurichten und mit den optischen Kopplern zu koppeln sind. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

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