表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法

    公开(公告)号:CN108696987B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201810290908.9

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明涉及表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。表面处理铜箔具有铜箔和位于铜箔的至少一个表面的粗化处理层。粗化处理层的粗化粒子的纵横比(粗化粒子的高度/粗化粒子的粗度)满足以下(1)、(2)中的任一项以上。(1)粗化粒子的纵横比为3以下,(2)满足以下(2‑1)或(2‑2)中的任一项,(2‑1)在粗化粒子的高度大于500nm且为1000nm以下的情况下,粗化粒子的纵横比为10以下,(2‑2)在粗化粒子的高度为500nm以下的情况下,粗化粒子的纵横比为15以下。表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70%以下。

    电磁波屏蔽材料、覆盖材料或外装材料以及电气设备或电子设备

    公开(公告)号:CN119054425A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202380034561.0

    申请日:2023-05-24

    Inventor: 大理友希

    Abstract: 本发明能够提供一种能够良好地抑制作为电磁波屏蔽材料使用时(特别在弯曲时)的裂纹等的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料具有至少一层非磁性导电金属层和至少一层强磁性层进行层叠而成的层叠体,其中,层叠体的至少一侧的最外层是非磁性导电金属层,当使最外层的非磁性导电金属层位于外侧并且以曲率半径0.1mm进行弯曲时,弯曲中性轴位于该最外层的非磁性导电金属层的厚度内。

    表面处理铜箔及覆铜积层板

    公开(公告)号:CN111655900A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201980010640.1

    申请日:2019-03-12

    Inventor: 大理友希

    Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔,其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。该表面处理铜箔于通过TOF-SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时,于选自由240.9~241.1、241.9~242.1、242.9~243.1、243.9~244.1、244.9~245.1、260.9~261.1、261.9~262.1及262.9~263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。

    表面处理铜箔及覆铜积层板

    公开(公告)号:CN111655900B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201980010640.1

    申请日:2019-03-12

    Inventor: 大理友希

    Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔,其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。该表面处理铜箔于通过TOF‑SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时,于选自由240.9~241.1、241.9~242.1、242.9~243.1、243.9~244.1、244.9~245.1、260.9~261.1、261.9~262.1及262.9~263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。

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