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公开(公告)号：CN105814242B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480067218.7
申请日：2014-12-10
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B32B5/147 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , C25D5/16 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K3/30 , H05K3/36 , H05K3/384 , H05K2201/0108 , H05K2201/0154 , H05K2203/0307 , H05K2203/16
Abstract: 本发明提供一种利用蚀刻去除铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理铜箔。本发明的表面处理铜箔在一个表面及另一个表面分别进行表面处理。自一个表面侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，利用蚀刻去除两面的铜箔，对印刷有线状标记的印刷物进行摄影时，在获得的观察地点－亮度图表中，下述(1)式定义的Sv为3.5以上，Sv＝(ΔB×0.1)/(t1－t2)(1)另一经表面处理的铜箔表面的利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。
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公开(公告)号：CN105980609B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201480067242.0
申请日：2014-12-10
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B32B15/088 , B32B27/281 , B32B2307/40 , B32B2457/08 , C25D5/16 , H05K3/384 , H05K2201/0108 , H05K2201/0154
Abstract: 本发明提供种与树脂良好地接着,且隔着树脂进行观察时实现优异的辨识性的表面处理铜箔。本发明的表面处理铜箔是在个表面及另个表面分别经表面处理的,在将表面处理铜箔与贴合于铜箔前的下述ΔB(PI)为50以上且65以下的聚酰亚胺积层而构成的覆铜积层板中,隔着上述聚酰亚胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为50以上。在利用CCD摄影机,隔着自经过表面处理的表面侧积层的上述聚酰亚胺对铜箔进行拍摄时,在观察地点‑亮度图表中,ΔB(ΔB=Bt‑Bb)为40以上。表面处理铜箔的另经表面处理的铜箔表面的利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。
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公开(公告)号：CN108156769B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711275695.4
申请日：2017-12-06
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明公开了表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。其提供一种表面处理铜箔，其良好地抑制了设置在铜箔表面的粗化粒子层中的粗化粒子的脱落。一种表面处理铜箔，在铜箔的一表面和/或两表面设置有粗化处理层，粗化处理层的粗化粒子的高度距离铜箔表面为5～1000nm，表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为65以下，表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。
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公开(公告)号：CN107018624B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710001200.2
申请日：2017-01-03
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其在常温下与绝缘基板的密接性优异，且在构成覆铜箔积层板并施加回流焊的热负荷时能够抑制发生起泡。本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有表面处理面，且通过从表面处理面以速率1.1nm/min(SiO2换算)的条件进行0.5min溅镀后的深度处的XPS测定，满足以下任一个以上条件：(1)N浓度为1.5～7.5atom％；(2)C浓度为12～30atom％；(3)Si浓度为3.1atom％以上且O浓度为40～48atom％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400338A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810094369.1
申请日：2018-01-31
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: H01M4/667 , C25D3/38 , C25D5/14 , H01M4/0452 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M4/70 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了表面处理铜箔以及使用其的集电体、电极及电池。具体地，本发明提供一种电池用表面处理铜箔，其粗化粒子的脱落少，能够获得与活性物质的良好的密接性。本发明的电池用表面处理铜箔具有铜箔及位于所述铜箔的至少一表面侧的表面处理层，所述表面处理层具有一次粒子层、二次粒子层，且依据JIS B0601 1994，使用波长405nm的激光显微镜对所述表面处理层表面进行测定时的十点平均粗糙度Rz为1.8μm以上。
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公开(公告)号：CN107018624A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710001200.2
申请日：2017-01-03
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , C25D3/12 , C25D3/562 , C25D5/14 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0355
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔，其在常温下与绝缘基板的密接性优异，且在构成覆铜箔积层板并施加回流焊的热负荷时能够抑制发生起泡。本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有表面处理面，且通过从表面处理面以速率1.1nm/min(SiO2换算)的条件进行0.5min溅镀后的深度处的XPS测定，满足以下任一个以上条件：(1)N浓度为1.5～7.5atom％；(2)C浓度为12～30atom％；(3)Si浓度为3.1atom％以上且O浓度为40～48atom％。
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公开(公告)号：CN105814242A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067218.7
申请日：2014-12-10
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B32B5/147 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , C25D5/16 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K3/30 , H05K3/36 , H05K3/384 , H05K2201/0108 , H05K2201/0154 , H05K2203/0307 , H05K2203/16
Abstract: 本发明提供一种利用蚀刻去除铜箔后的树脂的透明性优异的表面处理铜箔。本发明的表面处理铜箔在一个表面及另一个表面分别进行表面处理。自一个表面侧贴合于聚酰亚胺树脂基板的两面后，利用蚀刻去除两面的铜箔，对印刷有线状标记的印刷物进行摄影时，在获得的观察地点－亮度图表中，下述(1)式定义的Sv为3.5以上，Sv＝(ΔB×0.1)/(t1－t2) (1)另一经表面处理的铜箔表面的利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.35μm以上。
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公开(公告)号：CN108696987B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810290908.9
申请日：2018-03-30
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明涉及表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。表面处理铜箔具有铜箔和位于铜箔的至少一个表面的粗化处理层。粗化处理层的粗化粒子的纵横比(粗化粒子的高度/粗化粒子的粗度)满足以下(1)、(2)中的任一项以上。(1)粗化粒子的纵横比为3以下，(2)满足以下(2‑1)或(2‑2)中的任一项，(2‑1)在粗化粒子的高度大于500nm且为1000nm以下的情况下，粗化粒子的纵横比为10以下，(2‑2)在粗化粒子的高度为500nm以下的情况下，粗化粒子的纵横比为15以下。表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。
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公开(公告)号：CN108696987A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810290908.9
申请日：2018-03-30
Applicant: JX金属株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , C25D1/04 , H05K3/382 , H05K2201/0355
Abstract: 本发明涉及表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。表面处理铜箔具有铜箔和位于铜箔的至少一个表面的粗化处理层。粗化处理层的粗化粒子的纵横比(粗化粒子的高度/粗化粒子的粗度)满足以下(1)、(2)中的任一项以上。(1)粗化粒子的纵横比为3以下，(2)满足以下(2‑1)或(2‑2)中的任一项，(2‑1)在粗化粒子的高度大于500nm且为1000nm以下的情况下，粗化粒子的纵横比为10以下，(2‑2)在粗化粒子的高度为500nm以下的情况下，粗化粒子的纵横比为15以下。表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。
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