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1.发明申请INSULATOR UNDERGOING ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION, METHOD OF MANUFACTURING THE INSULATOR, AND DEVICE USING THE INSULATOR 审中-公开绝缘子承受金属绝缘体过渡的破坏，制造绝缘体的方法和使用绝缘体的装置
公开(公告)号：WO2007046628A8
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/KR2006004228
申请日：2006-10-18
Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM , LIM JUNG-WOOK , YUN SUN-JIN , KIM HYUN TAK , CHAE BYUNG-GYU , KIM BONG-JUN , KANG KWANG-YONG
Inventor： LIM JUNG-WOOK , YUN SUN-JIN , KIM HYUN TAK , CHAE BYUNG-GYU , KIM BONG-JUN , KANG KWANG-YONG
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01B3/12 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02194 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/3162 , H01L49/003
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公开(公告)号：DE102012101448A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：DE102012101448
申请日：2012-02-23
Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM
Inventor： YUN SUN-JIN , LIM JUNG-WOOK
IPC: H01L31/075 , H01L31/0392 , H01L31/065 , H01L31/076 , H01L31/18
Abstract: Bereitgestellt werden Dünnschichtsolarzellen und Verfahren zur Herstellung derselben. Die Solarzelle kann ein Substrat und eine Zelle, umfassend eine amorphe Schicht mit einem kontinuierlich abgestuften Wasserstoffgehalt, angeordnet auf dem Substrat, einen n-Halbleiter, eine p-Halbleiterschicht, eine Metallelektrode angrenzend an den n-Halbleiter, und eine transparente Elektrode angrenzend an die p-Halbleiterschicht umfassen. Der Wasserstoffgehalt der amorphen intrinsischen Halbleiterschicht nimmt auf eine kontinuierliche Art und Weise von einer ersten Kontaktfläche, auf die Licht einfällt, zu einer zweiten Kontaktfläche gegenüber der ersten Kontaktfläche ab, und die ersten und zweiten Kontaktflächen sind gegenüberliegende Oberflächen der amorphen intrinsischen Halbleiterschicht, die in Kontakt mit der p- bzw. n-Halbleiterschicht sind.
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公开(公告)号：EP1839352A4
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：EP06700139
申请日：2006-01-12
Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM
Inventor： KIM HYUN-TAK , YOUN DOO-HYEB , CHAE BYUNG-GYU , KANG KWANG-YONG , KIM BONG-JUN , LEE YONG-WOOK , YUN SUN-JIN , LIM JUNG-WOOK , KIM GYUNG-OCK , MAENG SUNG-LYUL
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
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4.发明公开CIRCUIT FOR PROTECTING ELECTRICAL AND/OR ELECTRONIC SYSTEM BY USING ABRUPT METAL-INSULATOR TRANSITION DEVICE AND ELECTRICAL AND/OR ELECTRONIC SYSTEM COMPRISING THE CIRCUIT 审中-公开电路保护电气和/或电子系统通过使用具有突变金属 - 绝缘体转变电路和全面的电气和/或电子系统中的设备
公开(公告)号：EP1851802A4
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：EP06715993
申请日：2006-02-17
Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM
Inventor： KIM HYUN-TAK , KANG KWANG-YONG , CHAE BYUNG-GYU , KIM BONG-JUN , YUN SUN-JIN , LEE YONG-WOOK , KIM GYUNG-OCK , YOUN DOO-HYEB , LIM JUNG-WOOK
IPC: H01L27/04 , H01L29/772 , H01L49/00
CPC classification number: H01L49/003 , H01L27/0248
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