公开(公告)号：KR20180042260A

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：KR20187005106

申请日：2016-08-22

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： SATO JUSTIN HIROKI ,  HENNES BRIAN DEE ,  KIMMEL YANNICK CARLL

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081

Abstract: 본발명은반도체제조에관한것으로, 특히플라즈마에칭공정들에대해에칭속도를실시간검정하는방법에관한것이다. 반도체플라즈마에칭챔버를테스트하는방법은, 중심영역및 에지영역을포함하는웨이퍼의기판상에박막을침착하는단계; 상기웨이퍼의상기에지영역으로부터상기중심영역을분리시키는패턴으로상기박막위에포토레지스트를침착하는것; 및상기웨이퍼상에적어도세 개의공정단계들을포함하는에칭공정을수행하는것을포함한다. 상기세 개의공정단계들은, 제1 클리어엔드포인트신호가수신될때까지영역들을덮는포토레지스트가없는임의의영역들에서상기박막을에칭하는것; 임의의포토레지스트를제거하기위해인-시츄에쉬공정(in-situ ash)을수행하는것; 및제2 클리어엔드포인트가달성될때까지상기포토레지스트의제거에의해노출된임의의영역들에서상기박막을에칭하는것을포함한다. 상기방법은양 엔드포인트가각각미리설정된허용오차내에서달성되는지여부를결정하는것, 및양 엔드포인트가미리설정된허용오차내에서달성되는경우, 상기플라즈마에칭챔버를검증된것으로서승인하는것을더 포함할수 있다.