公开(公告)号：DE112019002455T5

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE112019002455

申请日：2019-05-02

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  HAMLIN BONNIE ,  TAYLOR ANDREW ,  VANDERIET JANET ,  SATO JUSTIN

IPC: H01L21/3205 ,  H01C7/06 ,  H01C17/075 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandsmoduls (TFR) weist das Ausbilden eines TFR-Elements über einem Substrat auf; Tempern des TFR-Elements, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten (TCR) des TFR-Elements zu verringern; und nach dem Ausbilden und Tempern des TFR-Elements, Ausbilden eines Paars leitfähiger TFR-Köpfe in Kontakt mit dem TFR-Element. Durch Ausbilden des TFR-Elements vor den TFR-Köpfen kann das TFR-Element getempert werden, ohne die TFR-Köpfe zu beeinflussen, und kann somit aus verschiedenen Materialien mit unterschiedlichen Tempereigenschaften, z. B. SiCCr und SiCr, ausgebildet werden. Somit kann das TFR-Element getempert werden, um einen TCR von nahezu 0 ppm zu erreichen, ohne die später ausgebildeten TFR-Köpfe zu beeinflussen. Das TFR-Modul kann unter Verwendung eines Damaszener-CMP-Ansatzes und unter Verwendung von nur einer einzelnen hinzugefügten Maskenschicht ausgebildet werden. Weiterhin können vertikal verlaufende „Grate“ an den Kanten des TFR-Elements entfernt oder beseitigt werden, um die TCR-Leistung weiter zu verbessern.