公开(公告)号：DE112019002455T5

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE112019002455

申请日：2019-05-02

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  HAMLIN BONNIE ,  TAYLOR ANDREW ,  VANDERIET JANET ,  SATO JUSTIN

IPC: H01L21/3205 ,  H01C7/06 ,  H01C17/075 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandsmoduls (TFR) weist das Ausbilden eines TFR-Elements über einem Substrat auf; Tempern des TFR-Elements, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten (TCR) des TFR-Elements zu verringern; und nach dem Ausbilden und Tempern des TFR-Elements, Ausbilden eines Paars leitfähiger TFR-Köpfe in Kontakt mit dem TFR-Element. Durch Ausbilden des TFR-Elements vor den TFR-Köpfen kann das TFR-Element getempert werden, ohne die TFR-Köpfe zu beeinflussen, und kann somit aus verschiedenen Materialien mit unterschiedlichen Tempereigenschaften, z. B. SiCCr und SiCr, ausgebildet werden. Somit kann das TFR-Element getempert werden, um einen TCR von nahezu 0 ppm zu erreichen, ohne die später ausgebildeten TFR-Köpfe zu beeinflussen. Das TFR-Modul kann unter Verwendung eines Damaszener-CMP-Ansatzes und unter Verwendung von nur einer einzelnen hinzugefügten Maskenschicht ausgebildet werden. Weiterhin können vertikal verlaufende „Grate“ an den Kanten des TFR-Elements entfernt oder beseitigt werden, um die TCR-Leistung weiter zu verbessern.

公开(公告)号：DE112019001349T5

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE112019001349

申请日：2019-03-12

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： SATO JUSTIN ,  CHEN BOMY ,  TAYLOR ANDREW

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

Abstract: Eine Chipmatrize mit integrierter Schaltung weist ein Kraftminderungssystem zum Reduzieren oder Verringern von Spannungen unter Pads auf, die typischerweise durch Drahtbonden unter jedem Drahtbondpad verursacht werden. Das Kraftminderungssystem weist einen Metallbereich (22) auf, der als Stoßplatte dient, eine Abdichtungsschicht, die über der Stoßplatte angeordnet ist, und eine Kraftminderungsschicht, die eine Anordnung von verschlossenen Hohlräumen (56A) zwischen dem Metallbereich (22) und der Abdichtungsschicht (52) aufweist. Die verschlossenen Hohlräume (56A) in der Kraftminderungsschicht werden definiert, indem Öffnungen in einer dielektrischen Oxidschicht ausgebildet werden und eine nicht konforme Abdichtungsschicht (52) über den Öffnungen ausgebildet wird, um eine Anordnung von verschlossenen Hohlräumen (56A) zu definieren. Das Kraftminderungssystem mildert Spannungen ab, die durch ein Drahtbonding an jedem Drahtbond-Pad verursacht werden, wodurch Schäden im Zusammenhang mit Drahtbonden an Halbleitervorrichtungen, die sich in den Bereichen unter den Pads des Chips befinden, verringert oder beseitigt werden können.