OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    1.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号:WO2011069791A1

    公开(公告)日:2011-06-16

    申请号:PCT/EP2010/067707

    申请日:2010-11-17

    CPC classification number: H01L33/56 H01L31/035281 H01L33/505

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, aufweisend: zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Strahlungsauskoppelfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip (3) verlässt; zumindest ein Konverterelement (4), das dem Halbleiterchip (3) an seiner Strahlungsauskoppelfläche (6) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) emittierter elektromagnetischer Strahlung nachgeordnet ist und eine der Strahlungsauskoppelfläche (6) abgewandete erste Oberfläche (7) aufweist; eine reflektierende Umhüllung (5), wobei die reflektierende Umhüllung (5) den Halbleiterchip (3) und zumindest stellenweise das Konverterelement an Seitenflächen (33, 44) formschlüssig umhüllt, und die erste Oberfläche (7) des Konverterelements (4) frei von der reflektierenden Umhüllung (5) ist.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件(100),包括:至少一个发射辐射的半导体芯片(3),其具有辐射输出(6),通过它至少在半导体芯片所产生的部分(3)电磁辐射离开该半导体芯片(3); 包括至少一个转换元件(4),它是将半导体芯片(3)在它的辐射输出的(6)下游发射到的从半导体芯片的转化(3)电磁辐射和辐射(6)abgewandete第一表面(7); 一个反射罩(5),其中,所述反射罩(5)的半导体芯片(3)和至少局部转换器在侧面元件(33,44)接合正包裹和转换器元件(4)的第一表面(7)没有反射的 是包络线(5)。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    用于生产光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号:WO2016188867A1

    公开(公告)日:2016-12-01

    申请号:PCT/EP2016/061317

    申请日:2016-05-19

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中,用于生产光电半导体部件(1)的方法被布置并包括以下步骤:至少(以载波顶部22 A)提供一个支撑件(2),其特征在于,所述载体(2),金属芯材(24)和 )形成在所述芯材(24)的金属层(25)和随后的介电反射镜(26)被施加,B)形成(至少两个孔(3)通过形成陶瓷层的载体(2)穿过其中,C)4) 的至少一个支撑底座(21)和在孔100微米的最大厚度(3),其中,在至少部分所述陶瓷层(4)包括作为部件,所述芯材(24),D)将金属接触层(91,92) 在孔上的支撑底座(21)的陶瓷层(4)和(3),以便通过孔(3)载体上侧(22)电连接至所述支撑基部(21)连接,以及e) 施加至少一个发射辐射的半导体芯片(5)在载体上顶端(22)和半导体芯片(5)与所述接触层(91,92)电连接。

    OPTOELEKTRONISCHES MODUL
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
    光电模块

    公开(公告)号:WO2011032853A1

    公开(公告)日:2011-03-24

    申请号:PCT/EP2010/063035

    申请日:2010-09-06

    CPC classification number: H01L33/44 H01L25/0753 H01L33/62 H01L2224/24

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf den Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) aufweist, die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert, und die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电模块(100)包括一个支架(1)与至少一个接触点(1A); 发射辐射的半导体芯片(2),其特征在于,发射辐射的半导体芯片(2),其具有第一接触表面(2A)和第二接触面(2B); 的电绝缘层(4),具有第一(4A)和第二凹部(4B); 至少一个导电引线结构(8),其中,在所述(1)从发射辐射的半导体芯片(2)的面向远离侧被布置在所述载体的第一接触面(2A),该电绝缘层至少局部地以所述支撑件(4)(1) 和(2)被施加在半导体芯片与在第一接触面的区域中的第一凹部(4A)(2A)和在接触点的(1A)的区域中的第二凹部(4B),其导电引线结构(8)上的电绝缘 层(4)和所述第一接触表面(2A)的支架(1)的接触点(图1A)被电接触,所述电绝缘层(4)主要与陶瓷材料形成。

    GEHÄUSE FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES
    8.
    发明申请
    GEHÄUSE FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES 审中-公开
    住房用于生产外壳的光电子器件和方法

    公开(公告)号:WO2014064218A1

    公开(公告)日:2014-05-01

    申请号:PCT/EP2013/072321

    申请日:2013-10-24

    Abstract: Es wird ein für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehenes Gehäuse (1) angegeben, das einen Leiterrahmen (2), einen thermischen Anschluss (3) und einen Formkörper (4) aufweist, bei dem der Leiterrahmen eine erste Elektrode (21) und eine von der ersten Elektrode lateral beabstandete zweite Elektrode (22) enthält, wobei die erste Elektrode eine Befestigungsfläche (211) für das Bauelement an einer Vorderseite (11) des Gehäuses bildet; der thermische Anschluss auf einer der Befestigungsfläche abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist, wobei der thermische Anschluss an einer Rückseite (12) des Gehäuses eine thermische Kontaktfläche (32) bildet, die von der ersten Elektrode elektrisch isoliert ist; und die erste Elektrode und die zweite Elektrode mittels des Formkörpers miteinander mechanisch verbunden sind, wobei sich die erste Elektrode und die zweite Elektrode in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise durch den Formkörper hindurch erstrecken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen

    Abstract translation: 公开了一种提供用于光电器件封装(1),包括一个导体框架(2),一个热连接(3)和形主体(4),其中,所述引线框架包括:第一电极(21)和一个所述第一 包含电极横向隔开的第二电极(22),其中,所述第一电极具有用于该设备的安装表面(211)上的前侧(11)形成的壳体; 从附着表面的一个背对热连接的所述第一电极的侧面设置,其特征在于,在所述外壳的背面侧(12)的热端子形成热接触表面(32),其是从所述第一电极电绝缘; 和所述第一电极和所述第二电极通过所述成型体彼此机械地相连接,其中所述第一电极和至少在通过模体穿过其中延伸的区域在垂直方向上的第二电极。 另外,用于制造这样的方法

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件与方法研究

    公开(公告)号:WO2012034826A1

    公开(公告)日:2012-03-22

    申请号:PCT/EP2011/064377

    申请日:2011-08-22

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements angegeben.

    Abstract translation: 本发明提供一种光电子器件,包括一个支撑件(3),具有第一(1)和第二端子部(2),并用发射辐射的半导体芯片(4)具有一底座(5)和辐射出射面相对的基体的一个 (6),其中所述半导体芯片(4)上的支承件(3)的底表面(5)布置。 另外,包括在半导体芯片的一个壳体(10)具有下部外壳部分(8),所述侧翼(14)中的光电部件(4)相邻,和(9)具有用于一个反射器(15)(从半导体芯片的上壳体部 4发射)辐射(16)的形式,上。 辐射出射表面的电连接层(7)(6)经由底部(8)和上部壳体部件之间的界面(19)的一部分的半导体芯片(4)的(9),并通过下部壳体部件(8)通过对 在载体上的第一连接区域外(1)(3)。 此外,被指定用于制造光电子器件的有利方法。

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