Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, aufweisend: zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Strahlungsauskoppelfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip (3) verlässt; zumindest ein Konverterelement (4), das dem Halbleiterchip (3) an seiner Strahlungsauskoppelfläche (6) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) emittierter elektromagnetischer Strahlung nachgeordnet ist und eine der Strahlungsauskoppelfläche (6) abgewandete erste Oberfläche (7) aufweist; eine reflektierende Umhüllung (5), wobei die reflektierende Umhüllung (5) den Halbleiterchip (3) und zumindest stellenweise das Konverterelement an Seitenflächen (33, 44) formschlüssig umhüllt, und die erste Oberfläche (7) des Konverterelements (4) frei von der reflektierenden Umhüllung (5) ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine Schutzschicht (80) umfasst, die ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, mit dem ein optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann, und bei dem eine Schutzschicht (80), die hydrophobe Gruppen aufweist, aufgebracht wird.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Modul (100) angegeben, umfassend einen Träger (1) mit zumindest einer Kontaktstelle (1A); einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) eine erste Kontaktfläche (2A) und eine zweite Kontaktfläche (2B) aufweist; eine elektrisch isolierende Schicht (4), die eine erste (4A) und eine zweite Aussparung (4B) aufweist; zumindest eine elektrisch leitfähige Leitstruktur (8), wobei die erste Kontaktfläche (2A) auf der von dem Träger (1) abgewandten Seite des Strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) angeordnet ist, die elektrisch isolierende Schicht (4) zumindest stellenweise auf den Träger (1) und dem Halbleiterchip (2) aufgebracht ist und die erste Aussparung (4A) im Bereich der ersten Kontaktfläche (2A) und die zweite Aussparung (4B) im Bereich der Kontaktstelle (1A) aufweist, die elektrisch leitfähige Leitstruktur (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (4) angeordnet ist und die erste Kontaktfläche (2A) mit der Kontaktstelle (1A) des Trägers (1) elektrisch kontaktiert, und die elektrisch isolierende Schicht (4) überwiegend mit einem keramischen Material gebildet ist.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (13) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen eines Wafers (1) mit einer Vielzahl an Halbleiterkörpern (2), wobei zwischen den Halbleiterkörpern (2) Trennlinien (9) angeordnet sind, -Abscheiden einer Kontaktschicht (10) auf dem Wafer (1), wobei das Material der Kontaktschicht (10) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Platin, Rhodium, Palladium, Gold, und die Kontaktschicht (10) eine Dicke zwischen einschließlich 8 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweist, -Aufbringen des Wafers (1) auf eine Folie (11), -zumindest teilweises Durchtrennen des Wafers(1) in vertikaler Richtung entlang der Trennlinien (9) oder Einbringen von Bruchkeimen (12) in den Wafer (1) entlang der Trennlinien (9), und -Brechen des Wafers (1) entlang der Trennlinien (9) oder Expandieren der Folie (11),so dass eine räumliche Trennung der Halbleiterchips (13) erfolgt, wobei auch die Kontaktschicht (10) getrennt wird. Weiterhin werden ein Halbleiterchip, ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben.
Abstract:
Es handelt sich um ein elektronisches Bauelement (100a, 100b, 200), insbesondere ein optoelektronisches Bauelement. Das elektronische Bauelement weist ein Substrat (124, 224) mit mindestens einer Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) auf. Auf der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) ist ein Halbleiterchip (102, 202) angeordnet. Zwischen der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) und einer dem Substrat (124, 224) zugewandten Kontaktfläche (104, 204) des Halbleiterchips (102, 202) ist eine Poren aufweisende Verbindungsschicht (106, 206) angeordnet.
Abstract:
Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; - einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; - einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
Abstract:
Es wird ein für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehenes Gehäuse (1) angegeben, das einen Leiterrahmen (2), einen thermischen Anschluss (3) und einen Formkörper (4) aufweist, bei dem der Leiterrahmen eine erste Elektrode (21) und eine von der ersten Elektrode lateral beabstandete zweite Elektrode (22) enthält, wobei die erste Elektrode eine Befestigungsfläche (211) für das Bauelement an einer Vorderseite (11) des Gehäuses bildet; der thermische Anschluss auf einer der Befestigungsfläche abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet ist, wobei der thermische Anschluss an einer Rückseite (12) des Gehäuses eine thermische Kontaktfläche (32) bildet, die von der ersten Elektrode elektrisch isoliert ist; und die erste Elektrode und die zweite Elektrode mittels des Formkörpers miteinander mechanisch verbunden sind, wobei sich die erste Elektrode und die zweite Elektrode in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise durch den Formkörper hindurch erstrecken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements angegeben.
Abstract:
Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.