Abstract:
In einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Trägers umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Grundkörpers 2 mit einer Metallschicht 31 an einer Vorderseite des Grundkörpers, - Aufbringen einer dielektrische Schicht 4 auf einer von der Vorderseite abgewandten Seite der Metallschicht, - Einbringen von mindestens einer Öffnung in die dielektrische Schicht 4 mittels einer Laserstrahlung, wobei in der Öffnung die Metallschicht 31 freigelegt wird und die Öffnung mit einer maximalen Breite parallel zur Vorderseite zwischen einschließlich 10 μm und einschließlich 100 μm ausgebildet wird.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Sensor. Der Sensor weist eine Leiterplatte und wenigstens einen auf der Leiterplatte angeordneten Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip weist einen Vorderseitenkontakt auf. Auch ist der Halbleiterchip ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip. Der Sensor weist des Weitereneine auf der Leiterplatte angeordnete Einbettungsschicht auf, welche seitlich an den wenigstens einen Halbleiterchip angrenzt. Der Sensorweist fernereine Kontaktschicht auf, welche mit dem Vorderseitenkontakt des wenigstens einen Halbleiterchips verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiterenein Verfahren zum Herstellen von Sensoren.
Abstract:
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (500) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (500) kann aufweisen mindestens eine Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); mindestens einen Kleber (504) auf der Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); und eine Abdeckung (506) auf dem mindestens einen Kleber (504); wobei der mindestens eine Kleber (504) nur in einem Teilbereich (508) oberhalb eines Substrats (502) und/oder oberhalb der Schicht (100, 200, 300) ausgehärtet ist.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Sensoren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Trägerplatte und ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Trägerplatte. Die auf der Trägerplatte angeordneten Halbleiterchips umfassen wenigstens strahlungsdetektierende Halbleiterchips. Weiter vorgesehen ist ein Bereitstellen von strahlungsdurchlässigen optischen Elementen auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte. In diesem Schritt werden mehrere strahlungsdurchlässige optische Elemente gemeinsam auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte bereitgestellt. Ferner erfolgt ein Vereinzeln der mit den Halbleiterchips und den strahlungsdurchlässigen optischen Elementen versehenen Trägerplatte, so dass separate Sensoren gebildet werden, welche jeweils einen Abschnitt der Trägerplatte, wenigstens einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip und wenigstens ein strahlungsdurchlässiges optisches Element aufweisen.
Abstract:
Es wird eine Dünnschichtverkapselung (1) für ein optoelektronisches Bauelement offenbart. Die Dünnschichtverkapselung (1) weist eine Schichtenfolge (2) auf, die folgende Schichten umfasst: eine erste mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD- Schicht (3), und eine zweite mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD- Schicht (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Dünnschichtverkapselung und ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Dünnschichtverkapselung beschrieben.
Abstract:
Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (2) zu empfangen und eine Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, und - der Empfänger (3) zumindest eine Photodiode (30) umfasst.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung, insbesondere einer optoelektronischen Vorrichtung, sowie eine elektrische Vorrichtung, insbesondere eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zum Testen der elektrischen Vorrichtung, insbesondere optoelektronischen Vorrichtung, hinsichtlich ihrer Funktionalität. Ein Verfahren zum Erzeugen einer elektrischen Vorrichtung umfasst dabei das Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer darauf befindlichen Leiterbahn; Das Aufbringen mindestens einer Anhäufung eines elektrisch leitfähigen Materials, insbesondere eines Bondmaterials, auf eine Oberfläche der Leiterbahn; Das Bereitstellen eines Trägers mit zumindest einem elektrischen Kontakt; Das Aufbringen eines elektrisch leitfähigen Klebers auf zumindest einen aus der zumindest einen Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und dem zumindest einen elektrischen Kontakt; Das Anordnen des Substrats und des Trägers derart, dass sich die Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und der zumindest eine elektrische Kontakt beabstandet zueinander gegenüberliegen, wobei der elektrisch leitfähige Kleber eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen der Anhäufung des elektrisch leitfähigen Materials und dem zumindest einen elektrischen Kontakt erzeugt.
Abstract:
Messanordnung mit einem optischen Sender und einem optischen Empfänger, wobei der Sender ausgebildet ist, um elektromagnetische Messstrahlung in einen Senderaum auszusenden, wobei der Empfänger ausgebildet ist, um von einem Objekt reflektierte Messstrahlung von einem Empfangsraum zu empfangen, wobei Mittel vorgesehen sind, um einen Empfang von Störstrahlung, die nicht vom Objekt reflektierte Messstrahlung darstellt, durch den Empfänger zu reduzieren.
Abstract:
Es wird ein Bauteil angegeben mit -einem Anschlussträger (1), einem Rahmen (2) und einem Umhüllungskörper (3), wobei der Anschlussträger (1) und der Umhüllungskörper (3) unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, -einem Halbleiterchip (4), der mechanisch und elektrisch mit dem Anschlussträger (1) verbunden ist, und -einer Metallschicht (5), die zwischen dem Anschlussträger (1) und dem Rahmen (2) angeordnet ist, wobei -der Umhüllungskörper (3) den Halbleiterchip (4) umgibt und an den Anschlussträger (1) und den Rahmen (2) grenzt, und -die Metallschicht (5) nicht elektrisch leitend angeschlossen ist.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf einer Oberseite eines Substrats und zum Anordnen eines Konvertermaterials auf der Oberseite des Substrats mittels eines Druckverfahrens oder eines Formverfahrens derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip durch das Konvertermaterial bedeckt wird.