公开(公告)号：WO2016188867A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/EP2016/061317

申请日：2016-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BECKER, Dirk ,  BARCHMANN, Bernd ,  HOXHOLD, Björn ,  SCHLOSSER, Philipp ,  WALDSCHIK, Andreas

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).

Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：至少（以载波顶部22 A）提供一个支撑件（2），其特征在于，所述载体（2），金属芯材（24）和 ）形成在所述芯材（24）的金属层（25）和随后的介电反射镜（26）被施加，B）形成（至少两个孔（3）通过形成陶瓷层的载体（2）穿过其中，C）4） 的至少一个支撑底座（21）和在孔100微米的最大厚度（3），其中，在至少部分所述陶瓷层（4）包括作为部件，所述芯材（24），D）将金属接触层（91，92） 在孔上的支撑底座（21）的陶瓷层（4）和（3），以便通过孔（3）载体上侧（22）电连接至所述支撑基部（21）连接，以及e） 施加至少一个发射辐射的半导体芯片（5）在载体上顶端（22）和半导体芯片（5）与所述接触层（91，92）电连接。

公开(公告)号：WO2020127480A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085946

申请日：2019-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPERL, Matthias ,  HALBRITTER, Hubert ,  BRICK, Peter ,  SCHLOSSER, Philipp ,  SPRENGER, Dennis

IPC: H01S5/183

Abstract: Eine Laservorrichtung (10) umfasst einen Träger (11), ein auf dem Träger (11) angeordnetes optoelektronisches Bauelement (12), das dazu ausgebildet ist, Laserstrahlung zu emittieren, und ein optisches Element (14), das dazu ausgebildet ist, die von dem optoelektronischen Bauelement (12) emittierte Laserstrahlung zu formen,wobei das optische Element (14) eine erste, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (15) mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (16) mit einem zweiten Brechungsindex aufweist,wobei die erste Schicht (15) auf das optoelektronische Bauelement (12) aufgebracht ist und eine Oberfläche (24) mit einer eingeprägten Struktur aufweist, und wobei die zweite Schicht (16) auf die Oberfläche (24) mit der eingeprägten Struktur der ersten Schicht (15) aufgebracht ist.

公开(公告)号：WO2015011028A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/EP2014/065445

申请日：2014-07-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Ralph ,  VEIT, Thomas ,  HOXHOLD, Björn ,  SCHLOSSER, Philipp

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei - der Halbleiterkörper mit einer Verbindungsschicht (6) an dem Träger befestigt ist; - der Träger sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer dem Halbleiterkörper zugewandten ersten Hauptfläche (53) und einer dem Halbleiterkörper abgewandten zweiten Hauptfläche (54) erstreckt, wobei eine Seitenfläche (51) die erste Hauptfläche und die zweite Hauptfläche miteinander verbindet; - ein erster Bereich (511) der Seitenfläche des Trägers eine Einbuchtung (55) aufweist; - ein zweiter Bereich der Seitenfläche in vertikaler Richtung zwischen der Einbuchtung und der zweiten Hauptfläche verläuft; - der Halbleiterchip eine Isolationsschicht (4) aufweist, die den Halbleiterkörper und den ersten Bereich jeweils zumindest teilweise bedeckt; und - der zweite Bereich frei von der Isolationsschicht ist. Weiterhin werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一个支撑件（5）和半导体本体的光电子半导体芯片（1）（2）与所提供的用于产生和/或用于接收辐射激活区（20），其特征在于 - 与连接层的半导体主体（6 ）附连到所述支撑; - 在朝向半导体本体的第一主表面（53）和从该半导体本体的第二主表面（54），其特征在于，侧表面（51）连接所述第一主表面和第二主表面彼此背离的一侧上的侧之间的垂直方向上的载体; - 第一区（511）具有所述载体的所述侧面的凹部（55）; - 通过在所述凹槽和所述第二主表面之间的垂直方向上的侧表面的第二部分; - 具有对应于半导体主体和在每种情况下所述第一区域至少部分地覆盖的绝缘层（4）的半导体芯片; 和 - 所述第二区域是从绝缘层自由。 此外，半导体器件和用于制造的光电子半导体芯片的方法中指定的。