公开(公告)号：DE102013102322A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：DE102013102322

申请日：2013-03-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHULZ ROBERT ,  VOGL ANTON ,  OBERSCHMID RAIMUND ,  ZEISEL ROLAND ,  DIETZ MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Vermessung mindestens einer auf einem Anschlussträger (100) angeordneten optoelektronischen Komponente (10) beschrieben. Das Verfahren umfasst Anregen eines elektromagnetischen Schwingkreises (38), welcher durch die optoelektronische Komponente (10) und den Anschlussträger (100) gebildet ist, so dass die optoelektronische Komponente (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (70) angeregt wird, und Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft der optoelektronischen Komponente (10).

公开(公告)号：DE102012102647A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE102012102647

申请日：2012-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIETZ MICHAEL

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein Konverterelement (1) für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) angegeben, wobei das Konverterelement (1) aus einem Konvertermaterial gebildet ist, das einen Gradienten (G) im Brechungsindex (n1) aufweist. Weiter ist ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einem derartigen Konverterelement (1) angegeben. Zudem ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Konverterelements (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2014033107A3

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/EP2013067680

申请日：2013-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIETZ MICHAEL ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  LISTL STEFAN

IPC: H05B33/10 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H05B33/10

Abstract: In various embodiments, a method (100) for producing an inorganic, optoelectronic component (202) is disclosed, the method (100) comprising: measuring at least one measurement parameter of an inorganic, optoelectronic component (202); and processing the inorganic, optoelectronic component (202) taking account of the measured measurement-parameter value of the inorganic, optoelectronic component (202), such that the optoelectronic properties (104, 106, 108, 110) of the inorganic, optoelectronic component (202) are altered towards a predefined optoelectronic target property (102).

Abstract translation: 在各种实施方案中，用于制造包括无机光电部件（202），所述方法（100）的方法（100）：测量的无机光电部件（202）的至少一个测量参数; 和机械加工考虑到无机光电部件（202）的测得的测量参数值的无机光电部件（202），从而使光电特性（104，106，108，110）中的无机光电部件（202）的一个预定的光电子目标 财产（102）。

公开(公告)号：DE102013102322B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102013102322

申请日：2013-03-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHULZ ROBERT ,  VOGL ANTON ,  OBERSCHMID RAIMUND ,  ZEISEL ROLAND ,  DIETZ MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L33/50

Abstract: Verfahren zur Vermessung mindestens einer auf einem Anschlussträger (100) montierten optoelektronischen Komponente (10), wobei der Anschlussträger (100) eingerichtet ist, die mindestens eine optoelektronische Komponente (10) in Bezug auf Gleichspannungen kurzzuschließen, so dass ein elektromagnetischer Schwingkreis (38) durch die optoelektronische Komponente (10) und den Anschlussträger (100) gebildet ist, und wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:- Anregen des elektromagnetischen Schwingkreises (38), so dass die optoelektronische Komponente (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (70) angeregt wird, und- Messen mindestens einer elektrooptischen Eigenschaft der optoelektronischen Komponente (10).

公开(公告)号：DE102011087614A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102011087614

申请日：2011-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIETZ MICHAEL ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  KIENER SIMONE ,  PETERSEN KIRSTIN ,  SINGER FRANK

IPC: H01L25/075 ,  F21V8/00 ,  F21V9/40 ,  G02B1/10 ,  G02B6/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Eine optoelektronische Anordnung (402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416) weist einen Träger (102) und mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung auf, die auf dem Träger (102) angeordnet sind. Zwischen jeweils benachbarten Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) ist eine Lücke (106) ausgebildet. Ein flächiger Lichtleiter (108) zur Durchmischung der elektromagnetischen Strahlung, ist den Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) in Abstrahlrichtung nachgeordnet und überdeckt die jeweilige Lücke (106).

公开(公告)号：DE102012108996A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012108996

申请日：2012-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL ION ,  DIETZ MICHAEL

IPC: H01L33/50 ,  C25D13/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Bauelemente unter Verwendung eines Elektrophoreseprozesses zur Abscheidung einer wellenlängenkonvertierende Schicht (15) angegeben. Es wird der Farbort der mischfarbigen elektromagnetischen Strahlung zumindest eines späteren Bauelements bestimmt und zumindest einer der Prozessparameter des Elektrophoreseprozesses vor der elektrophoretischen Abscheidung einer wellenlängenkonvertierenden Schicht (15) bestimmt, so dass der Farbort des mischfarbigen Lichts, der von den weiteren späteren Bauelementen ausgesandt wird, in einem vorgegeben Bereich des CIE-Diagramms liegt. Es wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Bauelemente sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement angegebenen.

公开(公告)号：DE102012215220A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102012215220

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIETZ MICHAEL ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  LISTL STEFAN

IPC: H01L33/44 ,  H01L21/66 ,  H01L33/58

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren (100) zum Herstellen eines anorganischen, optoelektronischen Bauelementes (202), das Verfahren (100) aufweisend: Messen von mindestens einem Messparameter eines anorganischen, optoelektronischen Bauelement (202); und Bearbeiten des anorganischen, optoelektronischen Bauelements (202) unter Berücksichtigung des gemessenen Messparameterwertes des anorganischen optoelektronischen Bauelements (202), so dass die optoelektronischen Eigenschaften (104, 106, 108, 110) des anorganischen, optoelektronischen Bauelements (202) zu einer vorgegebenen optoelektronischen Ziel-Eigenschaft (102) hin verändert wird.