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    Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper 未知

    公开(公告)号：DE102011012928A1

    公开(公告)日：2012-09-06

    申请号：DE102011012928

    申请日：2011-03-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR ,  BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  VOGL ANTON ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  RUMBOLZ CHRISTIAN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), – Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1), – Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13), – Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und – Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.

    Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente
    2.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung einer optoelektronischen Komponente 未知

    公开(公告)号：DE102015101671A1

    公开(公告)日：2016-08-11

    申请号：DE102015101671

    申请日：2015-02-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHULZ ROBERT ,  VOGL ANTON ,  ZEISEL ROLAND

    IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Überprüfung mindestens einer auf einem Anschlussträger (100) angeordneten optoelektronischen Komponente (10) beschrieben. Das Verfahren umfasst Anregen eines elektromagnetischen Schwingkreises (38, 39), welcher durch die optoelektronische Komponente (10) und den Anschlussträger (100) gebildet ist, so dass die optoelektronische Komponente (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (70) angeregt wird. Das Anregen des elektromagnetischen Schwingkreises (38, 39) umfasst Induzieren einer elektrischen Wechselspannung in dem elektromagnetischen Schwingkreis (38, 39) durch Erzeugen eines zeitlich veränderlichen elektromagnetischen Wechselfeldes (40) durch eine Flachspule (52) oder eine Doppelspule (42, 44).

    Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips in einem Waferverbund
    4.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips in einem Waferverbund 未知

    公开(公告)号：DE102016114459A1

    公开(公告)日：2018-02-08

    申请号：DE102016114459

    申请日：2016-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPECHT HOLGER ,  ZEISEL ROLAND ,  VOGL ANTON ,  EBBECKE JENS

    IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G01R31/308 ,  H01L21/66

    Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips (10) in einem Waferverbund (100) angegeben. Bei dem Verfahren wird der Waferverbund auf einem elektrisch leitfähigen Träger (400) angeordnet, so dass jeweils ein Rückkontakt (101) der Halbleiterchips durch den Träger kontaktiert wird. Eine Kontaktstruktur (200), die ein Kontaktelement und/oder eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Messhalbleiterchips (20) umfasst, wird auf einer dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet. Schließlich wird eine Spannung zwischen der Kontaktstruktur und dem Träger angelegt und eine Vermessung der Halbleiterchips abhängig von einem Leuchtbild durchgeführt, welches durch emittierte Strahlung generiert wird, die durch Fluoreszenz bei Beleuchtung der Halbleiterchips oder durch einen strahlungsemittierenden Betrieb der Messhalbleiterchips beim Anlegen der Spannung gleichzeitig hervorgerufen wird. Das Leuchtbild weist eine Vielzahl an Leuchtpunkten auf, wobei jeder Leuchtpunkt genau einem der Halbleiterchips eindeutig zugeordnet ist.

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