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1.发明申请
公开(公告)号：WO2012160107A3
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/EP2012059627
申请日：2012-05-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETERSEN KIRSTIN , PREUS STEPHAN , PINDL MARKUS , BOSS MARKUS , BRANDL MARTIN
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , PREUS STEPHAN , PINDL MARKUS , BOSS MARKUS , BRANDL MARTIN
CPC classification number: F21K9/50 , B29C43/021 , B29C43/20 , B29D11/0073 , B29D11/00807 , F21K9/60 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: The invention relates to an optical element for coupling out light and/or converting light from a light-emitting semiconductor chip (5), comprising at least one layer selected from a wavelength conversion layer (1), a diffusion layer (2), a light out-coupling layer (3), and a lens layer (7), which each have a plastic that can be processed in a compressing molding process. The invention further relates to an optoelectronic component, comprising a substrate (4) having a light-emitting semiconductor chip (5) and an optical element, and to a method for producing an optical element and an optoelectronic component.
Abstract translation: 它是用于光提取和/或发光半导体芯片的光的转化率的光学元件（5）具有由波长转换层中选择的至少一个层（1），散射层（2），光提取层（3）和一个透镜层（7） 指明，每个具有在塑料成型工艺可加工。 此外，在支持体（4），其具有发光半导体芯片的光电子器件中给出（5）和用于制造光学元件和光电子器件的光学元件及其制造方法。
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公开(公告)号：WO2009155907A2
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009000883
申请日：2009-06-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN FRANK , PETERSEN KIRSTIN , TAUTZ SOENKE , LELL ALFRED , STRAUSS UWE
Inventor： BAUMANN FRANK , PETERSEN KIRSTIN , TAUTZ SOENKE , LELL ALFRED , STRAUSS UWE
CPC classification number: H01L33/501 , H01L33/641 , H01L33/644
Abstract: In at least one embodiment of the conversion element (1) the latter comprises a light-permeable matrix material (2) into which heat-conducting particles (4) and at least one conversion means (3) are embedded, said conversion means (3) being designed to at least partially convert light of a certain wavelength to light of a different wavelength. The conversion means (3) and/or the heat-conducting particles (4) form heat-conducting paths P in the conversion element (1). Heat can be efficiently carried off from the conversion element (1) via the heat-conducting paths P formed by the heat-conducting particles (4) and the conversion means (3), thereby increasing the conversion efficiency of the conversion element.
Abstract translation: 在转换元件中的至少一个实施例（1）本用半透明基体材料（2）设计成在Wärmeleitpartikel（4）和至少一个转换装置（3）被嵌入，其中所述转换装置（3）至少适于的波长的光 将其转换成不同波长在一定程度上的光。 由转换装置（3）和/或所述Wärmeleitpartikel（4）形成在WärmeleitpfadeP转换元件（1）。 对这些由Wärmeleitpartikel（4）和变换装置（3）形成Wärmeleitpfade（P）可以从转换元件有效地消散热量（1）。 这增加了转换元件增加转换效率。
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公开(公告)号：DE112012003613A5
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：DE112012003613
申请日：2012-07-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , GALLMEIER HANS-CHRISTOPH , PETERSEN KIRSTIN
IPC: H01L33/50
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公开(公告)号：DE102008012316A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：DE102008012316
申请日：2008-03-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： OTT HUBERT , LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUS UWE , BAUMANN FRANK , PETERSEN KIRSTIN
Abstract: A semiconductor light source is provided, the semiconductor light source having a primary radiation source (1) which, when the semiconductor light source is operated, emits electromagnetic primary radiation (5) in a first wavelength range, and having a luminescence conversion module (2) into which primary radiation (5) emitted by the primary radiation source (1) is fed. The luminescence conversion module (2) contains a luminescence conversion element (6) which, by means of a luminescent material, absorbs primary radiation (5) from the first wavelength range and emits electromagnetic secondary radiation (15) in a second wavelength range. The luminescence conversion element (6) is arranged on a heat sink (3) at a distance from the primary radiation source (1). It has a reflector surface (7, 71, 72) which reflects back into the luminescence conversion element (6) primary radiation (5) which passes through the luminescence conversion element (6) and is not absorbed thereby and/or reflects secondary radiation (15) in the direction of a light coupling-out surface (601) of the luminescence conversion element (6).
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公开(公告)号：DE102016123972A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102016123972
申请日：2016-12-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP , RACZ DAVID , AHL JAN-PHILIPP , BAUER ADAM , PETERSEN KIRSTIN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfassteinen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren,ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102011087614A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：DE102011087614
申请日：2011-12-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： DIETZ MICHAEL , GALLMEIER HANS-CHRISTOPH , KIENER SIMONE , PETERSEN KIRSTIN , SINGER FRANK
Abstract: Eine optoelektronische Anordnung (402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416) weist einen Träger (102) und mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung auf, die auf dem Träger (102) angeordnet sind. Zwischen jeweils benachbarten Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) ist eine Lücke (106) ausgebildet. Ein flächiger Lichtleiter (108) zur Durchmischung der elektromagnetischen Strahlung, ist den Halbleiterchips (104, 104a, 104b, 104c) in Abstrahlrichtung nachgeordnet und überdeckt die jeweilige Lücke (106).
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公开(公告)号：DE102011113963A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：DE102011113963
申请日：2011-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , PREUS STEPHAN DR , ZITZLSPERGER MICHAEL
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit – zumindest einem strahlungsemittierendem Halbleiterchip (2), der im Betrieb Primärstrahlung aus dem Spektralbereich von UV-Strahlung bis grünem Licht emittiert, und – zumindest einem Konversionselement (6), das die vom Halbeiterchip emittierte Primärstrahlung zumindest überwiegend in niederenergetischere Sekundärstrahlung aus dem Spektralbereich von IR-Strahlung konvertiert.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102011113802A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：DE102011113802
申请日：2011-09-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , STOLL ION
IPC: G02B6/00 , H01L33/50 , H01L25/075 , H01S5/02
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das einen Halbleiterchip (1) umfasst, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht (1a) aufweist, die geeignet ist, Strahlung im blauen Wellenlängenbereich zu emittieren. Dem Halbleiterchip (1) ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter (3a) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung von umfasst. Zudem ist dem Halbleiterchip (1) in Abstrahlrichtung ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet, der eine Ce-Dotierung von höchstens 1,5% umfasst. Weiter ist ein Modul mit einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.
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公开(公告)号：DE102010053362A1
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：DE102010053362
申请日：2010-12-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , BAUMANN FRANK DR , EISERT DOMINIK DR , CUI HAILING DR
IPC: H01L33/50
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, bei dem eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) über der Strahlungsaustrittsfläche (2) eines Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese. Über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) wird weiterhin eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) aufgebracht, wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken. Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
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公开(公告)号：AT488026T
公开(公告)日：2010-11-15
申请号：AT08734436
申请日：2008-03-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ARNDT KARLHEINZ , PETERSEN KIRSTIN
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/56
Abstract: An optoelectronic component is specified that emits a useful radiation. It comprises a housing having a housing base body with a housing cavity, and a light-emitting diode chip arranged in the housing cavity. At least one base body material of the housing base body has radiation-absorbing particles admixed in a targeted manner to reduce its reflectivity. According to another embodiment of the component, the housing additionally or alternatively has a housing material transmissive for the useful radiation that has radiation-absorbing particles admixed in a targeted manner to reduce its reflectivity. In addition, a method for manufacturing such a component is specified.
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