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公开(公告)号:DE102018128753A1
公开(公告)日:2020-05-20
申请号:DE102018128753
申请日:2018-11-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: TÅNGRING IVAR , GUELDAL NUSRET SENA
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements (10) mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen einer Konversionsschicht (1, 1') mit einer Matrix (3), in die Leuchtstoffpartikel (2, 2') eingebracht sind, wobei die Leuchtstoffpartikel (2, 2') ein Wirtsgitter mit Aktivatorionen aufweisen und in einer Anreicherungszone (4) angereichert sind,- Bereitstellen einer Kompensationsschicht (6, 6') mit der Matrix (3), in die Kompensationspartikel (7, 7') eingebracht sind, die das Wirtsgitter aufweisen und in einer Anreicherungszone (4') angereichert sind, und- Verbinden der Konversionsschicht (1, 1') und der Kompensationsschicht (6, 6'), so dass die Anreicherungszone (4) der Konversionsschicht und die Anreicherungszone (4') der Kompensationsschicht (6, 6') symmetrisch zueinander hinsichtlich einer Symmetrieebene (9) des Konversionselements (10) angeordnet werden.Außerdem werden ein Konversionselement und ein Bauelement angegeben.
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公开(公告)号:DE102018128536A1
公开(公告)日:2020-05-14
申请号:DE102018128536
申请日:2018-11-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: FRISCHEISEN JÖRG , GUELDAL NUSRET SENA , EBERHARDT ANGELA , MUELLER VESNA , PESKOLLER FLORIAN , RABENBAUER PASCAL , HUCKENBECK THOMAS , BAUER JÜRGEN
Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Konversionselement umfassend:- mindestens eine Matrix umfassend mindestens eine Infiltrationsmatrix,- 10 bis 50 Vol.% mindestens eines Leuchtstoffs,- optional mindestens einen Zusatzstoff,wobei das Konversionselement eine Porosität von 0 bis 20 Vol-% aufweist.Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend mindestens ein erfindungsgemäßes Konversionselement.
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公开(公告)号:DE112019005652A5
公开(公告)日:2021-08-05
申请号:DE112019005652
申请日:2019-11-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
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