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1.发明专利
公开(公告)号：DE102017104133A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：DE102017104133
申请日：2017-02-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FRISCHEISEN JÖRG , EBERHARDT ANGELA , PESKOLLER FLORIAN , HUCKENBECK THOMAS , SCHMIDBERGER MICHAEL , BAUER JÜRGEN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 µm aufweist.
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公开(公告)号：DE102017012409B4
公开(公告)日：2025-05-15
申请号：DE102017012409
申请日：2017-10-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SORG JÖRG ERICH , KÖNIG HARALD , LELL ALFRED , PESKOLLER FLORIAN , AUEN KARSTEN , SCHULZ ROLAND , BRUNNER HERBERT , SINGER FRANK , HÜTTINGER ROLAND
IPC: H01S5/02
Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.
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公开(公告)号：DE102008063636A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102008063636
申请日：2008-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBERHARDT ANGELA , SCHLENKER TILMAN , PHILIPPENS MARC , BEER ULRIKE , WIRTH-SCHOEN JOACHIM , PESKOLLER FLORIAN , POESL EWALD , HEUSER KARSTEN , LANGER ALFRED , MUELLER MARTIN
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen eines ersten Substrats (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einem den aktiven Bereich (12) umgebenden ersten Verbindungsbereich (11), wobei im aktiven Bereich (12) eine organische funktionelle Schichtenfolge (3) ausgebildet ist, B) Bereitstellen eines zweiten Substrats (2) mit einem Abdeckbereich (22) und einem den Abdeckbereich (22) umgebenden zweiten Verbindungsbereich (21), C) Aufbringen einer ersten Verbindungsschicht (4) aus einem ersten Glaslotmaterial direkt auf dem zweiten Substrat (2) im zweiten Verbindungsbereich (21), D) Verglasen (91) des ersten Glaslotmaterials der ersten Verbindungsschicht (4), E) Aufbringen einer zweiten Verbindungsschicht (5) auf der verglasten ersten Verbindungsschicht (4) oder auf dem ersten Verbindungsbereich (11) des ersten Substrats (1) und F) Verbinden des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) derart, dass die zweite Verbindungsschicht (5) den ersten Verbindungsbereich (11) mit der ersten Verbindungsschicht (4) verbindet. Weiterhin wird ein organisches optoelektronisches Bauelement angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018128536A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：DE102018128536
申请日：2018-11-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FRISCHEISEN JÖRG , GUELDAL NUSRET SENA , EBERHARDT ANGELA , MUELLER VESNA , PESKOLLER FLORIAN , RABENBAUER PASCAL , HUCKENBECK THOMAS , BAUER JÜRGEN
Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Konversionselement umfassend:- mindestens eine Matrix umfassend mindestens eine Infiltrationsmatrix,- 10 bis 50 Vol.% mindestens eines Leuchtstoffs,- optional mindestens einen Zusatzstoff,wobei das Konversionselement eine Porosität von 0 bis 20 Vol-% aufweist.Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend mindestens ein erfindungsgemäßes Konversionselement.
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5.发明专利
公开(公告)号：DE102017104135A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：DE102017104135
申请日：2017-02-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FRISCHEISEN JÖRG , EBERHARDT ANGELA , PESKOLLER FLORIAN , HUCKENBECK THOMAS , SCHMIDBERGER MICHAEL , BAUER JÜRGEN , EISERT DOMINIK , SCHNEIDER ALBERT
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und nachfolgend eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes Sol-Gel Material aufweist, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von dem Sol-Gel Material und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient.
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公开(公告)号：DE112019005652A5
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：DE112019005652
申请日：2019-11-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
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公开(公告)号：DE102017123798A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：DE102017123798
申请日：2017-10-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SORG JÖRG ERICH , KÖNIG HARALD , LELL ALFRED , PESKOLLER FLORIAN , AUEN KARSTEN , SCHULZ ROLAND , BRUNNER HERBERT , SINGER FRANK , HÜTTINGER ROLAND
IPC: H01S5/02
Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102017104127A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：DE102017104127
申请日：2017-02-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： O'BRIEN DAVID , MALM NORWIN VON , FRISCHEISEN JÖRG , EBERHARDT ANGELA , PESKOLLER FLORIAN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.
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