Abstract:
In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor component (1), said component comprises a carrier (2) and at least one optoelectronic semiconductor chip (3). The semiconductor chip (3) is based on an inorganic semiconductor material. The semiconductor component (1) further comprises a radiation-permeable cover (4), which comprises a glass or consists of a glass. The cover (4) is mechanically connected to the carrier (2) via a connecting means (5) which surrounds the semiconductor chip (3) in a frame-like manner. The connecting means (5) comprises a glass, glass solder, water glass and/or water glass adhesive or consists of one or more of the substances mentioned.
Abstract:
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Konversionselement umfassend:- mindestens eine Matrix umfassend mindestens eine Infiltrationsmatrix,- 10 bis 50 Vol.% mindestens eines Leuchtstoffs,- optional mindestens einen Zusatzstoff,wobei das Konversionselement eine Porosität von 0 bis 20 Vol-% aufweist.Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend mindestens ein erfindungsgemäßes Konversionselement.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und nachfolgend eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes Sol-Gel Material aufweist, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von dem Sol-Gel Material und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient.
Abstract:
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Streuschicht (106) für elektromagnetische Strahlung, wobei das Verfahren aufweist: Aufbringen von Streuzentren (306) auf einen Träger (102, 104); Aufbringen von Glas (312) auf die Streuzentren (306); und Verflüssigen des Glases (312), so dass ein Teil des verflüssigten Glases (312) zwischen die Streuzentren (306) zur Oberfläche des Trägers (302) hin fließt derart, dass noch ein Teil des verflüssigten Glases (312) oberhalb der Streuzentren (306) verbleibt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem Halbleiterchip (1) und einem Konversionselement (2), wobei der Halbleiterchip (1) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst. Das Konversionselement (2) umfasst ein Matrixmaterial (2a) aus tellurhaltigem Glas und einen Leuchtstoff (2b), wobei das Konversionselement (2) der Strahlungsaustrittsfläche (11) des Halbleiterchips (1) nachgeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen strahlungsemittierenden Bauelements (10) angegeben.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen eines ersten Substrats (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einem den aktiven Bereich (12) umgebenden ersten Verbindungsbereich (11), wobei im aktiven Bereich (12) eine organische funktionelle Schichtenfolge (3) ausgebildet ist, B) Bereitstellen eines zweiten Substrats (2) mit einem Abdeckbereich (22) und einem den Abdeckbereich (22) umgebenden zweiten Verbindungsbereich (21), C) Aufbringen einer ersten Verbindungsschicht (4) aus einem ersten Glaslotmaterial direkt auf dem zweiten Substrat (2) im zweiten Verbindungsbereich (21), D) Verglasen (91) des ersten Glaslotmaterials der ersten Verbindungsschicht (4), E) Aufbringen einer zweiten Verbindungsschicht (5) auf der verglasten ersten Verbindungsschicht (4) oder auf dem ersten Verbindungsbereich (11) des ersten Substrats (1) und F) Verbinden des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) derart, dass die zweite Verbindungsschicht (5) den ersten Verbindungsbereich (11) mit der ersten Verbindungsschicht (4) verbindet. Weiterhin wird ein organisches optoelektronisches Bauelement angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.
Abstract:
Es ist ein Bauteil vorgesehen, das ein erstes Substrat (1) und ein zweites Substrat (2) aufweist. Auf dem ersten Substrat (1) ist mindestens ein optoelektronisches Bauelement (4) angeordnet, das mindestens ein organisches Material enthält. Das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (2) sind relativ zueinander derart angeordnet, dass das optoelektronische Bauelement (4) zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (2) angeordnet ist. Ferner ist ein Verbindungsmaterial (3) zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (2) angeordnet, welches das optoelektronische Bauelement (4) umschließt und erstes und zweites Substrat (1, 2) mechanisch miteinander verbindet. Das Verbindungsmaterial (3) enthält Silberoxid mit einem Anteil von mehr als 0 Gew.-% und weniger als 100 Gew.-%, bevorzugt einschließlich zwischen 5 Gew.-% und 80 Gew.-%, idealerweise einschließlich zwischen 10 Gew.-% und 70 Gew.-%. Ferner kann das Verbindungsmaterial (3) zumindest einen Füllstoff (5) enthalten, der den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Verbindungsmaterials (3) ändert, vorzugsweise reduziert. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.