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    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
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    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112018001450B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112018001450

    申请日：2018-03-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  VARGHESE TANSEN ,  STRASSBURG MARTIN ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  FÜNDLING SÖNKE ,  HARTMANN JANA ,  STEIB FREDERIK ,  WAAG ANDREAS

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip mit- einer Vielzahl von Lamellen (1), und- einer Stromaufweitungsschicht (7) zur gemeinsamen Kontaktierung zumindest mancher der Lamellen (1), wobei- jede Lamelle (1) zwei Seitenflächen (1a) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind,- an jeder der Seitenflächen (1a) ein aktiver Bereich (16) angeordnet ist,- die Lamellen (1) parallel zueinander angeordnet sind,- die Vielzahl von Lamellen (1) innenliegende Lamellen (1) und außengelegene Lamellen (1) umfasst, die nur an einer Seite eine benachbarte Lamelle (1) aufweisen,- die Stromaufweitungsschicht (7) sich mit den innenliegenden Lamellen (1) an deren Außenseite in direktem Kontakt befindet, und- die außengelegenen Lamellen (1) mit einer isolierenden Schicht (5) bedeckt sind, die direkt an die außengelegenen Lamellen (1) und die Stromaufweitungsschicht (7) grenzt und die außengelegenen Lamellen (1) elektrisch von der Stromaufweitungsschicht (7) isoliert.

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