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    OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE
    1.
    发明申请
    OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE 审中-公开
    具有量子头结构的光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2009036730A2

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：PCT/DE2008001445

    申请日：2008-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

    Inventor： SCHILLGALIES MARC ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  BRUEDERL GEORG ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/343 ,  H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an opto-electronic semiconductor chip, which has a radiation-emitting semiconductor layer sequence (1) with an active zone (120). The active zone comprises a first quantum well layer (3), a second quantum well layer (4), and two end barrier layers (51). The first quantum well layer and the second quantum well layer are disposed between the two end barrier layers. The active zone has a semiconductor material, which comprises at least one first and a second component. The fraction of the first component in the semiconductor material of the two end barrier layers is lower than in the first and second quantum well layers. Compared to the first quantum well layer, the second quantum well layer has either a lower layer thickness and a larger fraction of the first component of the semiconductor material, or a higher or the same layer thickness and a lower fraction of the first component of the semiconductor material.

    Abstract translation: 公开了一种光电子半导体芯片，其具有带有有源区（120）的发射辐射的半导体层序列（1）。 有源区包括第一量子阱层（3），第二量子阱层（4）和两个终止势垒层（51）。 第一量子阱层和第二量子阱层设置在两个终止势垒层之间。 有源区包括含有至少第一和第二组分的半导体材料。 两个终止势垒层的半导体材料中第一组分的比例低​​于第一和第二量子阱层中的比例。 与第一量子阱层相比，第二量子阱层具有较小的层厚度和较大比例的半导体材料的第一组分或者较大或相同的层厚度以及较小比例的半导体材料的第一组分。

    Steglaser
    4.
    发明专利
    Steglaser 未知

    公开(公告)号：DE102012106687B4

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：DE102012106687

    申请日：2012-07-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

    IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/34

    Abstract: Steglaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20),- einem Wellenleiter (3) an einer p-dotierten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), auch bezeichnet als Steg, mit einer Breite (B), wobei der Wellenleiter (3) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt ist,- einer Kontaktmetallisierung (4) aus einem Metall oder aus einer Metalllegierung, die auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) aufgebracht ist, und- einer Bestromungsschicht (5), die in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4) steht und über die die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen ist,wobei- die Oberseite (30) parallel zur aktiven Zone (20) orientiert ist,- eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- der Wellenleiter (3) von der aktiven Zone (20) beabstandet ist,- die Oberseite (30) nur teilweise von der Kontaktmetallisierung (4) mit einer Kontaktbreite (M) bedeckt ist und die Kontaktbreite (M) kleiner ist als die Breite (B) des Wellenleiters (3),- die Bestromungsschicht (5) die Oberseite (30) stellenweise berührt,- ein Abstand der Kontaktmetallisierung (4) von einer Kante der Oberseite (30) mindestens 0,15 µm und/oder mindestens 2,5 % der Breite (B) des Wellenleiters (3) beträgt,- sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Bestromungsschicht (5) stellenweise eine Passivierungsschicht (6) befindet,- eine Definition einer optischen Modenbreite über die Breite des Wellenleiters (3) und über die Brechungsindizes der beteiligten Materialien erfolgt und die Bestromungsbreite (C) hingegen über die Kontaktmetallisierung (4) an der Oberseite (30) eingestellt ist,- für die Kontaktbreite M, die Breite B des Wellenleiters (3) und einen Bedeckungsanteil S der Oberseite (30) durch die Bestromungsschicht (5) gilt: 0,1 B ≤ M ≤ 0,8 B und 0,4 (B-M) ≤ S ≤ (B-M),- die Halbleiterschichtenfolge (2) frei von einer Stromblockschicht ist, und- die Bestromungsschicht (5) mit der Halbleiterschichtenfolge (2) einen nicht-ohmschen Kontakt bildet und die Kontaktmetallisierung (4) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2) eine höhere Austrittsarbeit aufweist als die Bestromungsschicht (5) gegenüber der Halbleiterschichtenfolge (2).

    Optoelektronisches Bauelement
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015100029A1

    公开(公告)日：2016-07-07

    申请号：DE102015100029

    申请日：2015-01-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

    IPC: H01S5/34 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Optoelektronisches Bauelement mit einer aktiven Zone zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die aktive Zone wenigstens zwei Quantenfilme (3, 5) aufweist, wobei der erste Quantenfilm (3) zwischen einer ersten und einer zweiten Barriereschicht (2, 4) angeordnet ist, wobei der zweite Quantenfilm (5) zwischen der zweiten und einer letzten Barriereschicht (4, 6) angeordnet ist, wobei die Bandlücken der ersten und der zweiten Barriereschicht in einem anderen Verhältnis zueinander stehen als die Bandlücken der zweiten und der dritten Barriereschicht.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
    9.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112018001450B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112018001450

    申请日：2018-03-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  VARGHESE TANSEN ,  STRASSBURG MARTIN ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  FÜNDLING SÖNKE ,  HARTMANN JANA ,  STEIB FREDERIK ,  WAAG ANDREAS

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip mit- einer Vielzahl von Lamellen (1), und- einer Stromaufweitungsschicht (7) zur gemeinsamen Kontaktierung zumindest mancher der Lamellen (1), wobei- jede Lamelle (1) zwei Seitenflächen (1a) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind,- an jeder der Seitenflächen (1a) ein aktiver Bereich (16) angeordnet ist,- die Lamellen (1) parallel zueinander angeordnet sind,- die Vielzahl von Lamellen (1) innenliegende Lamellen (1) und außengelegene Lamellen (1) umfasst, die nur an einer Seite eine benachbarte Lamelle (1) aufweisen,- die Stromaufweitungsschicht (7) sich mit den innenliegenden Lamellen (1) an deren Außenseite in direktem Kontakt befindet, und- die außengelegenen Lamellen (1) mit einer isolierenden Schicht (5) bedeckt sind, die direkt an die außengelegenen Lamellen (1) und die Stromaufweitungsschicht (7) grenzt und die außengelegenen Lamellen (1) elektrisch von der Stromaufweitungsschicht (7) isoliert.

    Laserdiode
    10.
    发明专利
    Laserdiode 未知

    公开(公告)号：DE102015104206A1

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：DE102015104206

    申请日：2015-03-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL ALFRED ,  KÖNIG HARALD ,  AVRAMESCU ADRIAN STEFAN

    IPC: H01S5/30 ,  H01S5/34

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.

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