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    Optoelektronisches Bauelement
    1.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015111130B9

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE102015111130

    申请日：2015-07-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER PHILIPP ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHMID WOLFGANG ,  BRÖLL MARKUS

    IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/58

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend:- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt,- einer Strahlungsfläche (13), die direkt an die zweite Schicht (12) grenzt und über die im Betrieb Strahlung aus oder in die Halbleiterschichtenfolge (1) gekoppelt wird,- eine oder mehrere Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10),- eine oder mehrere Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12), wobei- die Durchkontaktierungen (23) durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt sind und in die zweite Schicht (12) münden,- die Kontaktinseln (20) lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht sind,- in Draufsicht auf die Rückseite (15) die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet sind,- jede Kontaktinsel (20) lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben ist und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet und getrennt ist,- ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) höchstens ein Viertel eines Flächenwiderstands der ersten Schicht (10) beträgt,- die Strahlungsfläche (13) Strukturierungen in Form von Mikrolinsen (14) aufweist,- jeder Kontaktinsel (20) eine Mikrolinse (14) gegenüberliegt, so dass in Draufsicht auf die Strahlungsfläche (13) jede Kontaktinsel (20) teilweise oder vollständig mit einer Mikrolinse (14) überlappt.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112018001450B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112018001450

    申请日：2018-03-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  VARGHESE TANSEN ,  STRASSBURG MARTIN ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  FÜNDLING SÖNKE ,  HARTMANN JANA ,  STEIB FREDERIK ,  WAAG ANDREAS

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip mit- einer Vielzahl von Lamellen (1), und- einer Stromaufweitungsschicht (7) zur gemeinsamen Kontaktierung zumindest mancher der Lamellen (1), wobei- jede Lamelle (1) zwei Seitenflächen (1a) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind,- an jeder der Seitenflächen (1a) ein aktiver Bereich (16) angeordnet ist,- die Lamellen (1) parallel zueinander angeordnet sind,- die Vielzahl von Lamellen (1) innenliegende Lamellen (1) und außengelegene Lamellen (1) umfasst, die nur an einer Seite eine benachbarte Lamelle (1) aufweisen,- die Stromaufweitungsschicht (7) sich mit den innenliegenden Lamellen (1) an deren Außenseite in direktem Kontakt befindet, und- die außengelegenen Lamellen (1) mit einer isolierenden Schicht (5) bedeckt sind, die direkt an die außengelegenen Lamellen (1) und die Stromaufweitungsschicht (7) grenzt und die außengelegenen Lamellen (1) elektrisch von der Stromaufweitungsschicht (7) isoliert.

    Optoelektronisches Bauelement
    4.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015111130A1

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：DE102015111130

    申请日：2015-07-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER PHILIPP ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHMID WOLFGANG ,  BRÖLL MARKUS

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/58

    Abstract: Das optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt. Eine Strahlungsfläche (13) grenzt direkt an die zweite Schicht (12). Außerdem umfasst das Bauelement (100) eine Mehrzahl von Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10) sowie eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12). Die Durchkontaktierungen (23) sind durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt und münden in die zweite Schicht (12). Die Kontaktinseln (20) sind lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht. In Draufsicht auf die Rückseite (15) sind die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet. Jede Kontaktinsel (20) ist lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet. Ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) beträgt höchstens ein Viertel eines lateralen Flächenwiderstands der ersten Schicht (10).

    Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung
    7.
    发明专利
    Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016104584A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102016104584

    申请日：2016-03-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN ,  PLÖSSL ANDREAS

    IPC: H01L25/075 ,  H01L21/30 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die ein erstes Licht emittierendes Element (10) mit einer ersten Halbleiterschichtenfolge (11) und ein zweites Licht emittierendes Element (20) mit einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (21) aufweist, die jeweils einen aktiven Bereich aufweisen, der dazu vorgesehen und eingerichtet ist, im Betrieb des Licht emittierenden Bauelements Licht zu erzeugen. Weiterhin weist die Licht emittierende Vorrichtung ein transparentes Trägerelement (30) zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge (11) und der zweiten Halbleiterschichtenfolge (21) auf, das zumindest ein transparentes erstes Substrat (12, 22, 40) und zumindest einen Verbindungsbereich (31) aufweist, der zwischen einer der Halbleiterschichtenfolgen (11, 21) und dem ersten Substrat (12, 22, 40) angeordnet ist, wobei das erste und zweite Licht emittierende Element (10, 20) unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar sind und wobei der zumindest eine Verbindungsbereich (31) ein Waferbonden-Verbindungsbereich ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung angegeben.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ANORDNUNG VON HALBLEITERCHIPS UND ANORDNUNG VON HALBLEITERCHIPS
    8.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ANORDNUNG VON HALBLEITERCHIPS UND ANORDNUNG VON HALBLEITERCHIPS 未知

    公开(公告)号：DE102021102332A1

    公开(公告)日：2022-08-04

    申请号：DE102021102332

    申请日：2021-02-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MALM NORWIN VON ,  VARGHESE TANSEN

    IPC: H01L21/58 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung von Halbleiterchips (100) mit den folgenden Schritten angegeben:- Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (10) umfassend eine aktive Schicht (11) auf einem ersten Träger (1),- Definieren von Halbleiterchips (101) in der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei die Halbleiterchips (101) einen aktiven Bereich (102) umfassen, der ein Teil der aktiven Schicht (11) ist,- Übertragen von zumindest manchen der Halbleiterchips (101) auf einen Zielträger (4), der eine laterale Abmessung (S4) aufweist, die größer ist als eine laterale Abmessung (S1) des ersten Trägers (1), wobei- beim Übertragen der Halbleiterchips Gruppen (110) von Halbleiterchips (101) übertragen werden, und- in jeder Gruppe (110) eine Anordnung der Halbleiterchips (101) auf dem ersten Wafer (1) erhalten bleibt.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    10.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 未知

    公开(公告)号：DE102018131411A1

    公开(公告)日：2020-06-10

    申请号：DE102018131411

    申请日：2018-12-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Strahlungsseite (10), einer ersten Halbleiterschicht (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite (14), die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur (31) und eine zweite Kontaktstruktur (32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die zweite Kontaktstruktur ist auf der Rückseite angeordnet und steht in elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die Strahlungsseite ist zum Einkoppeln oder Auskoppeln der Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Die Rückseite ist strukturiert und umfasst Streustrukturen (410), die zur Streuung und Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet sind.

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