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    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102014116205B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE102014116205

    申请日：2014-11-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (10) mit den Schritten- Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer darauf angeordneten lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2),- Aufbringen einer Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (3) auf eine Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberfläche (2a) als eine Abstrahlfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, wobei für das Aufbringen der Strukturelemente (3) die folgende Methode verwendet wird:- Bereitstellen eines weiteren Substrats (1a), wobei auf dem weiteren Substrat (1a) eine Maske (4) angeordnet wird, wobei die Maske (4) strukturiert wird, so dass die Maske (4) nach der Strukturierung Öffnungen (4a) aufweist, wobei die dreidimensionalen Strukturelemente (3) in den Öffnungen (4a) dreidimensional gewachsen werden, wobei die dreidimensional gewachsenen Strukturelemente (3) vom weiteren Substrat (1a) abgelöst werden, wobei die vom weiteren Substrat (1a) abgelösten Strukturelemente (3) zur Bildung einer Suspension in eine Flüssigkeit (5) eingebracht werden und mit der Flüssigkeit (5) auf die Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder der Leuchtdiode (10) aufgebracht werden,- Einbringen eines Konvertermaterials (6) in die dreidimensionalen Strukturelemente (3), wobei- die Strukturelemente (3) mittels Sedimentation und/oder elektrophoretischer Deposition auf der abstrahlenden Oberfläche der Leuchtdiode (10) und/oder auf der Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet werden,- die Flüssigkeit (5) ein Lösemittel oder Wasser ist, und- das Konvertermaterial (6) nach dem Aufbringen der Strukturelemente (3) in die Strukturelemente (3) eingebracht wird.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    3.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 未知

    公开(公告)号：DE102017108362A1

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：DE102017108362

    申请日：2017-04-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERÄLÄ MIKKO ,  WINTER MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN

    IPC: H01L25/16 ,  H01L31/12

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement weist Leuchtdiodenchips auf, die auf einer Oberfläche angeordnet sind. Die Leuchtdiodenchips sind voneinander beabstandet. Der nicht von den Leuchtdiodenchips abgedeckte Teil der Oberfläche weist Solarzellen auf. Dabei können Solarzellenchips zwischen den Leuchtdiodenchips auf der Oberfläche angeordnet sein. Alternativ können die Leuchtdiodenchips auf der Oberfläche eines Solarmoduls angeordnet sein.

    Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements
    4.
    发明专利
    Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements 未知

    公开(公告)号：DE102015101216A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：DE102015101216

    申请日：2015-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÖNCH WOLFGANG ,  GÖÖTZ BRITTA ,  SINGER FRANK ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem Halbleiterchip (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist, angegeben, wobei – dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist; – das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (4) mit jeweils einer Symmetrieachse (40) aufweist; – eine räumliche Ausrichtung der Symmetrieachsen eine Vorzugsrichtung (45) aufweist; – eine von dem Strahlungskonversionselement (3) abgestrahlte Strahlung eine Vorzugspolarisation (48) aufweist; und – die optoelektronische Anordnung ein reflektierendes Polarisationselement (5) aufweist, das dem Strahlungskonversionselement in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet ist, wobei das reflektierende Polarisationselement Strahlung mit der Vorzugspolarisation überwiegend durchlässt, und eine senkrecht zur Vorzugspolarisation polarisierte Strahlung überwiegend reflektiert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements (3) angegeben.

    LASER DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LASER DIODE ASSEMBLY
    5.
    发明申请
    LASER DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LASER DIODE ASSEMBLY 审中-公开
    激光二极管布置和制造激光二极管布置的方法

    公开(公告)号：WO2011069769A3

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：PCT/EP2010067271

    申请日：2010-11-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG MARTIN ,  LELL ALFRED

    Inventor： STRASSBURG MARTIN ,  LELL ALFRED

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087

    Abstract: The invention relates to a laser diode assembly having a semiconductor substrate (2; 101; 201; 301; 72), at least two laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) each having one active zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) and at least one translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). According to the invention, the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) and the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) are grown up monolithically on the semiconductor substrate (2; 101; 201; 301; 72). The laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) are electrically conductively connected to each other by means of the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). The laser diodes (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) formed from the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) have a two-dimensional structure.

    Abstract translation: 它是一种激光二极管组件，包括： - 一个半导体基片（2; 101; 201; 301; 72）， - 至少两个激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99 ），每个有源区（6,12; 105，109，113; 207，213; 307，311; 76，82，88），以及 - 至少一个透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304 ，309; 79，85）。 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）和所述透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304，309; 79，85 ）在半导体衬底（2; 101; 201; 301; 72）上单片生长。 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98,99）（通过透光欧姆接触9; 107,111; 204，210; 304，309; 79， 85）以导电方式相互连接。 从激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）形成的激光二极管（26A，26B，27A，27B; 36A，36B，37A，37B; 46A， 46B，47A，47B; 66A，66B，67A，67B; 94A，94B，95A，95B，96A，96B）具有一个二维结构。

    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode
    6.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE112015005448B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112015005448

    申请日：2015-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STOLL ION ,  STRASSBURG MARTIN ,  HUCKENBECK BARBARA

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

    Abstract: Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von sichtbarem Licht mit einer Vielzahl von Halbleitersäulen (2), wobei- die Halbleitersäulen (2) je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweisen,- sich zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) eine aktive Zone (22) der Halbleitersäulen (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz befindet,- der Kern (21), die aktive Zone (22) und die Kernumhüllung (23) auf demselben Halbleitermaterial basieren,- auf die Halbleitersäulen (2) je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht ist, die die zugehörige Kernumhüllung (23) mindestens teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt,- die Konversionsumhüllung (4) direkt auf die Kernumhüllung (23) aufgebracht ist und die Kernumhüllung (23) eine konstante Schichtdicke aufweist,- die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, einen Zwischenraum zwischen diesen Halbleitersäulen (2) nur unvollständig ausfüllen, sodass zwischen benachbarten Halbleitersäulen keine durchgehende, geradlinige Verbindung nur allein über die Konversionsumhüllungen (4) hergestellt ist,- die Konversionsumhüllungen (4) je eine konstante Dicke aufweisen, mit einer Toleranz von höchstens 20 % einer mittleren Dicke der Konversionsumhüllungen (4), und- die Konversionsumhüllung (4) die einzige fotolumineszierende Komponente ist.

    Anordnung mit einem Träger
    10.
    发明专利
    Anordnung mit einem Träger 未知

    公开(公告)号：DE102013211707A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：DE102013211707

    申请日：2013-06-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RISTIC JELENA ,  STRASSBURG MARTIN ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/46 ,  H01S5/42

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Array, ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung und eine Anordnung mit einem Träger, wobei auf dem Träger eine Struktur mit einem Kern ausgebildet ist, wobei der Kern eine Längserstreckung mit zwei Endbereichen aufweist, wobei ein erster Endbereich dem Träger zugewandt und ein zweiter Endbereich vom Träger abgewandt angeordnet ist, wobei der Kern wenigstens im äußeren Bereich elektrisch leitend ausgebildet ist, wobei der Kern wenigstens teilweise mit einer aktiven Zonenschicht bedeckt ist, wobei die aktive Zonenschicht ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei wenigstens in einem Endbereich des Kerns eine Spiegelschicht vorgesehen ist, um elektromagnetische Strahlung in einer Richtung zu reflektieren, wobei eine erste elektrische Kontaktschicht vorgesehen ist, die den elektrischen Bereich des Kerns kontaktiert, wobei eine zweite Kontaktschicht vorgesehen ist, die die aktive Zonenschicht kontaktiert.

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