公开(公告)号：DE102017121484A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017121484

申请日：2017-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOSLOW INGRID ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER

IPC: H01L33/14 ,  H01L29/207 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.

公开(公告)号：DE102017120302A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017120302

申请日：2017-09-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO MASSIMO ,  FREY ALEXANDER ,  HERTKORN JOACHIM ,  KOSLOW INGRID

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem- der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei- die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist,- die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist,- die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist,- die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist,- die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und- die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.