公开(公告)号：DE102016101046A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102016101046

申请日：2016-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FREY ALEXANDER ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit einer aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei – die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, – die ersten Quantentopfschichten (52A) erste elektronische Bandlücken (EQW1) aufweisen, – die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (EQW2) aufweist, – die zweite elektronische Bandlücke (EQW2) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (EQW1) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, und – der zweite Bereich (52) näher an einem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102014105192A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102014105192

申请日：2014-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER MARIKA ,  HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  WEIMAR ANDREAS ,  LAUX HARALD ,  BAUER ADAM ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L21/461 ,  H01L21/477 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobei die Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.

公开(公告)号：DE112013003800A5

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE112013003800

申请日：2013-06-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ZINI LORENZO ,  AHL JAN-PHILIPP ,  FREY ALEXANDER

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32

公开(公告)号：DE102012107001A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102012107001

申请日：2012-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ZINI LORENZO ,  AHL JAN-PHILIPP ,  FREY ALEXANDER

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst zumindest die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsseite (20), B) Abscheiden mindestens einer auf AlxGa1-xOyN1-y basierenden Nukleationsschicht (3) an der Aufwachsseite (20), C) Abscheiden und Strukturieren einer Maskierungsschicht (4), D) optionales Aufwachsen einer auf GaN basierenden Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen an der Nukleationsschicht (3), E) teilweises Entfernen der Nukleationsschicht (3) und/oder der Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen oder Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht (7) auf der Nukleationsschicht (3) oder auf der Anwachsschicht (5) in den nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen, und F) Aufwachsen einer auf AlInGaN basierenden Halbleiterschichtenfolge (6) mit mindestens einer aktiven Schicht (65).

公开(公告)号：DE112018001640A5

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE112018001640

申请日：2018-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO MASSIMO ,  FREY ALEXANDER ,  HERTKORN JOACHIM

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

公开(公告)号：DE102014113380A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：DE102014113380

申请日：2014-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  HIRMER MARIKA ,  FREY ALEXANDER ,  ZINI LORENZO ,  LAUX HARALD

IPC: H01S5/34 ,  H01L21/268 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Trägersubstrat (1), und C) Ablösen der fertig hergestellten Halbleiterschichtenfolge (2) von dem Trägersubstrat (1) mittels Laserstrahlung (R) mit einer Wellenlänge (L) durch das Trägersubstrat (1) hindurch, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Pufferschichtenstapel (20) und einen Funktionsstapel mit einer aktiven Schicht (21) zur Erzeugung von Licht (22) aufweist, – die Absorberschicht (23) innerhalb des Pufferschichtenstapels (20) aus einem Material zur Absorption der Laserstrahlung (R) gewachsen wird und alle verbleibenden Schichten (24, 25) des Pufferschichtenstapels (20) für die Laserstrahlung (R) durchlässig sind, – bevorzugt ein Material des Funktionsstapels (23) für die Laserstrahlung (R) absorbierend wirkt, und – im Schritt C) ein Ablösen der Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der Absorberschicht (23) erfolgt

公开(公告)号：DE102017124596A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE102017124596

申请日：2017-10-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： CHEN XIAOJUN ,  FREY ALEXANDER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  LEHNHARDT THOMAS ,  LAHOURCADE LISE ,  OFF JÜRGEN

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/14

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend einen ersten Bereich (101), einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeigneten aktiven Bereich (103), einen Ausgangsbereich (104), eine Vielzahl von trichterförmigen Öffnungen (105) und einen zweiten Bereich (102) angegeben. Wobei der Ausgangsbereich (104) zwischen dem ersten Bereich (101) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist. Der aktive Bereich (103) zwischen dem Ausgangsbereich (104) und dem zweiten Bereich (102) angeordnet ist und sich die trichterförmigen Öffnungen (105) ausgehend von dem Ausgangsbereich (104) durch den aktiven Bereich (103) bis zum zweiten Bereich (102) erstrecken. Wobei der Halbleiterkörper (10) auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, der erste Bereich (101) eine n-Dotierung aufweist, der zweite Bereich (102) eine p-Dotierung aufweist, und die trichterförmigen Öffnungen (105) mit dem Material des zweiten Bereichs (102) befüllt sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017120302A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102017120302

申请日：2017-09-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DRAGO MASSIMO ,  FREY ALEXANDER ,  HERTKORN JOACHIM ,  KOSLOW INGRID

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem- der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei- die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist,- die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist,- die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist,- die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist,- die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und- die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.

公开(公告)号：DE102012217644A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217644

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  AHL JAN-PHILIPP ,  ZINI LORENZO ,  PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  FREY ALEXANDER

IPC: H01L33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L33/18

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufbringen einer Nukleationsschicht auf einer Oberfläche des Substrats, zum Aufbringen und Strukturieren einer Maskenschicht auf der Nukleationsschicht, zum Aufwachsen eines Nitridhalbleiters in einem ersten Wachstumsschritt, wobei Stege angelegt werden, die ein laterales Gitter bilden, wobei die Stege in Wachstumsrichtung abschnittsweise trapezförmige Querschnittsflächen aufweisen, und zum lateralen Überwachsen der Stege mit einem Nitridhalbleiter in einem zweiten Wachstumsschritt, um Freiräume zwischen den Stegen zu schließen.

公开(公告)号：DE102012103686A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：DE102012103686

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L33/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Epitaxiesubstrat (11, 12, 13) für ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial angegeben, das eine Nukleationsschicht (2) direkt auf einem Substrat (1) aufweist, wobei die Nukleationsschicht (2) zumindest eine erste Schicht (21) aus AlON mit einer Säulenstruktur aufweist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat