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公开(公告)号：KR20180019661A
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR20187001260
申请日：2016-06-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GEHRKE KAI , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
Abstract: 광전반도체소자를제조하는방법이제공되며, 본방법은, 반도체층 시퀀스(1)를제공하는단계 - 상기반도체층 시퀀스는발광및/또는광흡수활성영역(12) 및상기반도체층 시퀀스(1)의주 연장평면에수직으로연장되는스택방향(z)으로상기활성영역(12) 후방에배치되는커버면(1a)을포함함 -; 상기커버면(1a) 상에층 스택(2)을적층하는단계 - 상기층 스택(2)은인듐을함유하는산화물층(20) 및상기스택방향(z)으로상기커버면(1a) 후방에배치되는중간면(2a)을포함함 -; 상기중간면(2a) 상에인듐주석산화물로형성된접촉층(3)을적층하는단계를포함하고, 상기층 스택(2)은제조공차의범위내에서주석이없다.
Abstract translation: 本发明提供的光电半导体元件，该方法包括的制造方法，包括：提供半导体层序列（1），其中，所述半导体层序列是发光和/或光吸收有源区12和半导体层序列（1） 以及在垂直于边缘延伸平面延伸的堆叠方向（z）上布置在有源区（12）后面的覆盖表面（1a） （2）在所述覆盖表面（1a）上，所述叠层（2）包括在所述覆盖表面的后侧上的包含铟的氧化物层（20）和氧化物层（20） 中间表面（2a）被布置; 并且在中间表面（2a）上层压由铟锡氧化物形成的接触层（3），其中堆叠（2）在制造公差内不含锡。
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公开(公告)号：DE112018001640A5
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：DE112018001640
申请日：2018-03-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： DRAGO MASSIMO , FREY ALEXANDER , HERTKORN JOACHIM
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公开(公告)号：DE102016101046A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：DE102016101046
申请日：2016-01-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FREY ALEXANDER , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit einer aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei – die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, – die ersten Quantentopfschichten (52A) erste elektronische Bandlücken (EQW1) aufweisen, – die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (EQW2) aufweist, – die zweite elektronische Bandlücke (EQW2) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (EQW1) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, und – der zweite Bereich (52) näher an einem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
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公开(公告)号：DE102016101046B4
公开(公告)日：2024-09-26
申请号：DE102016101046
申请日：2016-01-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FREY ALEXANDER , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (10), mit- einem p-Typ-Halbleiterbereich (4),- einem n-Typ-Halbleiterbereich (6),- einer zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordneten aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei- die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich (52) mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist,- die ersten Quantentopfschichten (52A) erste elektronische Bandlücken (EQW1) aufweisen,- die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (EQW2) aufweist,- die zweite elektronische Bandlücke (EQW2) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (EQW1) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist,- der zweite Bereich (52) näher an dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist,- die zweite Quantentopfschicht (52A) die aktive Zone (5) in Richtung vom n-Typ-Halbleiterbereich (6) zum p-Typ-Halbleiterbereich (4) des optoelektronischen Halbleiterchips (10) zum p-Typ-Halbleiterbereich (4) hin abschließt,- der zweite Bereich (52) direkt an den p-Typ-Halbleiterbereich (4) grenzt, und- eine elektronische Bandlücke (EB2) im Bereich der zweiten Barriereschicht (52B) größer ist als eine elektronische Bandlücke (EB1) im Bereich aller ersten Barriereschichten (51B).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017120302A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102017120302
申请日：2017-09-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： DRAGO MASSIMO , FREY ALEXANDER , HERTKORN JOACHIM , KOSLOW INGRID
Abstract: Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem- der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei- die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist,- die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist,- die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist,- die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist,- die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und- die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.
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公开(公告)号：DE102015109786A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：DE102015109786
申请日：2015-06-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GEHRKE KAI , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
IPC: H01L33/42
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1), aufweisend eine lichtemittierende und/oder -absorbierende aktive Zone (12) und eine der aktiven Zone (12) in einer senkrecht zu einer Haupterstreckungseben der Halbleiterschichtenfolge (1) verlaufenden Stapelrichtung (z) nachgeordnete Deckfläche (1a), – Aufbringen eines Schichtenstapels (2) auf die Deckfläche (1a), wobei der Schichtenstapel (2) eine Oxidschicht (20), die Indium enthält, und eine der Deckfläche (2a) in der Stapelrichtung (z) nachgeordnete Zwischenfläche (2a) umfasst, – Aufbringen einer Kontaktschicht (3), die mit Indiumzinnoxid gebildet ist, auf die Zwischenfläche (2a), wobei – der Schichtenstapel (2) im Rahmen der Herstellungstoleranzen frei von Zinn ist.
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公开(公告)号：DE102017121484A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE102017121484
申请日：2017-09-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOSLOW INGRID , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM , FREY ALEXANDER
IPC: H01L33/14 , H01L29/207 , H01L33/32 , H01S5/20
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.
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公开(公告)号：DE102017106888A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102017106888
申请日：2017-03-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： DRAGO MASSIMO , FREY ALEXANDER , HERTKORN JOACHIM
Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdiodenchips eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf:A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1),C) Erzeugen einer Strukturschicht (3), insbesondere mit einer Vielzahl von pyramidenförmigen Strukturelementen (33), wobei die Strukturschicht (3) aus AlGaInN ist mit y1 ≥ 0,5,D) Erzeugen einer Deckschicht (4) auf der Strukturschicht (3), wobei die Deckschicht (4) die Strukturschicht (3) formtreu nachformt und aus AlGaInN ist mit x2 ≥ 0,6,E) Erzeugen einer Planarisierungsschicht (5) auf der Deckschicht (4), wobei eine dem Aufwachssubstrat (1) abgewandte Seite der fertigen Planarisierungsschicht (5) eben ist und die Planarisierungsschicht (5) aus AlGaInN ist mit x3 + y3 ≤ 0,2, undF) Wachsen einer Funktionsschichtenfolge (7) zur Strahlungserzeugung auf der Planarisierungsschicht (5).
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公开(公告)号：DE112016002725A5
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：DE112016002725
申请日：2016-06-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , GEHRKE KAI , DRAGO MASSIMO , HERTKORN JOACHIM
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