公开(公告)号：WO2016113248A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/EP2016/050462

申请日：2016-01-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER, Michael ,  ECKERT, Tilman ,  JAEGER, Claus ,  LEE, Ee Lian

IPC: H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200) mit einer Strahlungsemissionsfläche (210), ein Ablenkelement (500), das dazu ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) emittierte elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung (510) abzulenken, die einen von 90° abweichenden Winkel (520) mit der Strahlungsemissionsfläche (210) einschließt, und eine optische Linse (700), deren optische Achse (710) einen von 90° abweichenden Winkel (720) mit der Strahlungsemissionsfläche (210) einschließt.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括的光电子半导体芯片（200），其具有辐射发射表面（210），偏转器（500），其通过在主辐射方向发射的电磁辐射的光电子半导体芯片（200），其适于（510）偏转 包括从90°角（520）与所述辐射发射表面（210），和光学透镜（700），包括光轴（710）偏离具有从90°的角度（720）与所述辐射发射表面（210）一个不同的。

公开(公告)号：WO2018224183A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/EP2018/000300

申请日：2018-06-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEE, Ee Lian ,  ECKERT, Tilman ,  BERTRAM, Ralph ,  NG, Kok Eng ,  MAT NAZRI, Anuarul Ikhwan

IPC: F21K9/232 ,  F21K9/90 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  F21Y103/10 ,  F21Y115/10

Abstract: LED-Filament (1) mit einem Träger (2), wobei zwei elektrische Anschlüsse am Träger (2) ausgebildet sind, wobei auf dem Träger (2) wenigstens zwei Strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips elektrisch leitend mit den elektrischen Anschlüssen verbunden sind, wobei der Träger (2) aus einem für elektromagnetische Strahlung transparenten Material gebildet ist, wobei Unterseiten der Halbleiterchips über eine Klebeschicht (14) mit dem Träger (2) verbunden sind, wobei die Klebeschichten (14) Konversionsmaterial (15) aufweisen, wobei das Konversionsmaterial (15) ausgebildet ist, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben, und wobei die Halbleiterchips auf Oberseiten (16) und Seitenflächen (17) eine Konversionsschicht (18) aufweisen, wobei die Konversionsschichten (18) ausgebildet sind, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben.

公开(公告)号：WO2018141861A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：PCT/EP2018/052546

申请日：2018-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEE, Ee Lian ,  ECKERT, Tilman ,  BERTRAM, Ralph Peter ,  NG, Kok Eng ,  MAT NAZRI, Anuarul Ikhwan

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/50

Abstract: Strahlungsemittierendes Filament (100) mit einem Träger (110), wobei auf dem Träger (110) wenigstens zwei Leuchtchips (120) angeordnet sind, wobei der Träger (110) an gegenüberliegenden Enden jeweils einen elektrischen Kontakt (130, 140) aufweist, wobei die Leuchtchips (120) mit den Kontakten (130, 140) elektrisch leitend verbunden sind, wobei der Träger (110) wenigstens im Bereich der Leuchtchips (120) von einer optischen Schicht (170) umgeben ist, wobei die optische Schicht (170) wenigstens drei Außenflächen (180, 190, 200) aufweist, wobei jede Außenfläche (180, 190, 200) in einer Ebene quer zur Längsachse als plane Fläche ausgebildet ist, und wobei die drei planen Außenflächen (180, 190, 200) in einem vorgegebenen Winkel zueinander angeordnet sind.

公开(公告)号：WO2020182313A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：PCT/EP2019/056434

申请日：2019-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEE, Ee Lian ,  YAP, Boon Liang ,  RAJAH, Prakash

IPC: H01L33/50

Abstract: An optoelectronic semiconductor component (1) is specified configured to emit mixed-colored radiation, comprising -an optoelectronic semiconductor chip (2) having a radiation exit surface (2A) and side surfaces (2B) running transversely with respect to the radiation exit surface (2A), said optoelectronic semiconductor chip (2) being configured to emit primary radiation through the radiation exit surface (2A) during operation, -a conversion element(3) arranged on the radiation exit surface (2A) and provided for wavelength conversion of at least part of the primary radiation into secondary radiation and comprising a stack of at least two conversion layers (4, 6, 7, 8), wherein a lateral extent (L) of the conversion layers (4, 5, 6, 7, 8) decreases from a layer (4) which is closest to the radiation exit surface (2A) to a layer(8) which is most distant from the radiation exit surface (2A). And a method is specified for producing an optoelectronic semiconductor component(1).

公开(公告)号：WO2019042559A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2017/071922

申请日：2017-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEE, Ee Lian ,  LAU, Chun Siang ,  PRAKASH, Rajah ,  SCHEUBECK, Manfred

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005

Abstract: The invention refers to an optoelectronic component comprising a carrier, an optoelectronic chip and an optically active layer. The optoelectronic chip is mounted on a top of the carrier. A barrier layer is arranged on top of the optically active layer, which comprises silicon dioxide.

公开(公告)号：WO2012146490A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012/056695

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KIPPES, Thomas ,  HASLBECK, Stephan ,  LURUTHUDASS, Annaniah ,  LEE, Ee Lian

Inventor： KIPPES, Thomas ,  HASLBECK, Stephan ,  LURUTHUDASS, Annaniah ,  LEE, Ee Lian

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Bauelement angegeben, mit einem Träger (1), einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) aufweisend zumindest eine Seitenfläche (2a), einem Verbindungsmittel (3), einem ersten Formkörper (4), und einem zweiten Formkörper (5), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mittels dem Verbindungsmittel (3) mechanisch mit dem Träger (1) verbunden ist, der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt, der erste Formkörper (4) eine freiliegende Außenfläche des Verbindungsmittels (3) bedeckt, der zweite Formkörper (5) eine freiliegende Außenfläche des ersten Formkörpers bedeckt, und der zweite Formkörper (5) ein bei Raumtemperatur größeres Elastizitätsmodul als der erste Formkörper aufweist.

Abstract translation: 提供了一种包括支撑件（2）具有至少一个侧表面（2a）的（1），光电子半导体芯片的装置，一个连接装置（3），第一模具主体（4），和第二模具主体（5），其中，所述 第一成形体（4）的光电子半导体芯片（2）由所述连接装置的装置（3）机械地连接到载体（1），（2）覆盖该第一模体的光电子半导体芯片的暴露的外表面（4）具有连接装置的暴露的外表面（ 具有3）覆盖所述第二模体（5）具有第一成型体的暴露的外表面被覆盖，并且所述第二模具主体（5）在室温下具有弹性模量，比第一成型大。