Abstract:
This invention relates to a filament lamp (200) with a filament (100) comprising a plurality of light emitting semiconductor chips (110), wherein the light emitting semiconductor chips (110) are electrically connected and are located on a flexible carrier board (120). The filament lamp (200) further comprises a bulb (230) comprising a transparent material, wherein the filament (100) is located within the bulb (230), wherein the bulb (230) is filled with a gas, and wherein the gas is in contact with the filament (100) and wherein the bulb (230) is closed. This invention further relates to a production method of such a filament lamp (200).
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (200) mit einer Strahlungsemissionsfläche (210), ein Ablenkelement (500), das dazu ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip (200) emittierte elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung (510) abzulenken, die einen von 90° abweichenden Winkel (520) mit der Strahlungsemissionsfläche (210) einschließt, und eine optische Linse (700), deren optische Achse (710) einen von 90° abweichenden Winkel (720) mit der Strahlungsemissionsfläche (210) einschließt.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterelement (100) umfassend mindestens einen LED-Chip (1), der im Betrieb über eine Oberseite (10) infrarote Strahlung emittiert, angegeben. Die Strahlung weist bei Wellenlängen zwischen 800 nm und 1100 nm ein globales Intensitätsmaximum (I max ) auf. Ferner weist die Strahlung bei einer Grenzwellenlänge (λ G ) von 750 nm höchstens 5 % der Intensität des Intensitätsmaximums (I max ) auf. Außerdem hat die Strahlung einen sichtbaren roten Lichtanteil. Das Halbleiterelement (100) umfasst außerdem ein Filterelement (2), das unmittelbar oder mittelbar auf der Oberseite (10) des LED-Chips (1) angeordnet ist und für den sichtbaren roten Lichtanteil des LED-Chips (1) eine Transmissivität von höchstens 5 % aufweist. Die Transmissivität des Filterelements (2) ist für Wellenlängen zwischen der Grenzwellenlänge (λ G ) und 1100 nm zumindest teilweise zumindest 80 %. Ferner umfasst das Halbleiterelement (100) eine zur Emission der gefilterten Strahlung vorgesehene Strahlungsaustrittsfläche (101), die durch die von dem LED-Chip (1) abgewandte Seite des Filterelements (2) gebildet ist.
Abstract:
Strahlungsemittierendes Filament (100) mit einem Träger (110), wobei auf dem Träger (110) wenigstens zwei Leuchtchips (120) angeordnet sind, wobei der Träger (110) an gegenüberliegenden Enden jeweils einen elektrischen Kontakt (130, 140) aufweist, wobei die Leuchtchips (120) mit den Kontakten (130, 140) elektrisch leitend verbunden sind, wobei der Träger (110) wenigstens im Bereich der Leuchtchips (120) von einer optischen Schicht (170) umgeben ist, wobei die optische Schicht (170) wenigstens drei Außenflächen (180, 190, 200) aufweist, wobei jede Außenfläche (180, 190, 200) in einer Ebene quer zur Längsachse als plane Fläche ausgebildet ist, und wobei die drei planen Außenflächen (180, 190, 200) in einem vorgegebenen Winkel zueinander angeordnet sind.
Abstract:
Ein Laserbauelement umfasst einen Träger, der eine Linsentragefläche und eine gegenüber der Linsentragefläche erhabene Chiptragefläche aufweist. Auf der Linsentragefläche ist eine optische Linse angeordnet. Auf der Chiptragefläche ist ein Laserchip angeordnet. Die Chiptragefläche und die Linsentragefläche werden durch materialeinheitlich zusammenhängende Abschnitte des Trägers gebildet. Der Träger weist ein Kunststoffmaterial auf.
Abstract:
Eine Leuchtanordnung weist auf: - eine erste Leuchtvorrichtung (110) mit einer ersten Mehrzahl von lichtemittierenden Dioden (101, 102), die in Reihe miteinander geschaltet sind, und einem Widerstand (104), der in Reihe mit den lichtemittierenden Dioden (101, 102) geschaltet ist, - eine zweite Leuchtvorrichtung (120) mit einer zweiten Mehrzahl von lichtemittierenden Dioden (101, 102), die in Reihe miteinander geschaltet sind, wobei - die erste Leuchtvorrichtung (110) ausgebildet ist, Strahlung einer ersten Farbtemperatur (105) zu emittieren, - die zweite Leuchtvorrichtung (120) ausgebildet ist, Strahlung einer zweiten Farbtemperatur (106) zu emittieren, wobei die zweite Farbtemperatur (106) größer ist als die erste Farbtemperatur (105), und - die erste Leuchtvorrichtung (110) und die zweite Leuchtvorrichtung (120) sind parallel zueinander geschaltet, sodass die Leuchtanordnung (100) ausgebildet ist, eine Mischstrahlung zu emittieren, die sich aus der Strahlung der ersten Leuchtvorrichtung und der Strahlung der zweiten Leuchtvorrichtung zusammensetzt.
Abstract:
LED-Filament (1) mit einem Träger (2), wobei zwei elektrische Anschlüsse am Träger (2) ausgebildet sind, wobei auf dem Träger (2) wenigstens zwei Strahlungsemittierende Halbleiterchips angeordnet sind, wobei die Halbleiterchips elektrisch leitend mit den elektrischen Anschlüssen verbunden sind, wobei der Träger (2) aus einem für elektromagnetische Strahlung transparenten Material gebildet ist, wobei Unterseiten der Halbleiterchips über eine Klebeschicht (14) mit dem Träger (2) verbunden sind, wobei die Klebeschichten (14) Konversionsmaterial (15) aufweisen, wobei das Konversionsmaterial (15) ausgebildet ist, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben, und wobei die Halbleiterchips auf Oberseiten (16) und Seitenflächen (17) eine Konversionsschicht (18) aufweisen, wobei die Konversionsschichten (18) ausgebildet sind, um wenigstens einen Teil der Wellenlänge der Strahlung der Halbleiterchips zu verschieben.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist,eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid, - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder - zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.
Abstract:
Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Gehäuse (3), in dem der Halbleiterchip angeordnet ist, wobei - das Gehäuse einen Leiterrahmen (5) mit einem ersten Anschlussleiter (51) und einem zweiten Anschlussleiter (52) aufweist; - das Gehäuse einen den Leiterrahmen bereichsweise umgebenden Gehäusekörper (4) aufweist, wobei sich der Gehäusekör per in einer vertikalen Richtung zwischen einer Montageseite (42) und einer Vorderseite (41) erstreckt; - der erste Anschlussleiter eine Vertiefung (6) aufweist, in der der Halbleiterchip an dem ersten Anschlussleiter befestigt ist; - eine Seitenfläche (60) der Vertiefung einen Reflektor für die im Betrieb vom Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung bildet; - der erste Anschlussleiter auf der Montageseite aus dem Gehäusekörper herausragt; und - der Halbleiterchip zumindest bereichsweise frei von einem an den Halbleiterchip angrenzenden Verkapselungsmaterial ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Leiterrahmenverbunds angegeben.
Abstract:
Strahlungsemittierendes Filament (100) mit einem Träger (120), wobei auf dem Träger (120) wenigstens zwei Leuchtchips (110) angeordnet sind, wobei der Träger (120) an gegenüberliegenden Enden jeweils einen elektrischen Kontakt (150, 155) aufweist, wobei die Leuchtchips (110) mit den Kontakten (150, 155) elektrisch leitend verbunden sind, wobei der Träger (120) mit den Leuchtchips (110) in einem Durchgangsloch (170) eines Wärmeleitungselementes (180) angeordnet ist, wobei das Wärmeleitungselement (180) aus einem Material gebildet ist, das transparent für die elektromagnetische Strahlung der Leuchtchips (110) ist, wobei der Träger (120) am Wärmeleitungselement (180) befestigt ist, und wobei das Wärmeleitungselement (180) aus einem Material gebildet ist, das eine höhere thermische Leitfähigkeit als Helium aufweist.