公开(公告)号：DE102019109480A1

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE102019109480

申请日：2019-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LIN-LEFEBVRE I-HSIN ,  STREITEL REINHARD ,  KUNDALIYA DARSHAN

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/58

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:Bereitstellen eines aktiven Mediums (2), das mechanisch von einem Trägerkörper (3) getragen wird oder das in dem Trägerkörper (3) enthalten ist, undAufbringen einer Klebeschicht (4) auf das aktive Medium (2) und/oder den Trägerkörper (3),wobei die Klebeschicht (4) mindestens ein organisches Material umfasst und durch physikalische oder chemische Dampfphasenabscheidung aufgebracht wird, undwobei eine Dicke der Klebeschicht (4) zwischen einschließlich 20 nm und 0,6 µm beträgt.

公开(公告)号：DE102018101170A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101170

申请日：2018-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FÖRSTER MICHAEL ,  WAGNER KONRAD ,  SCHULZ BENJAMIN ,  MORGOTT STEFAN ,  LIN-LEFEBVRE I-HSIN

IPC: H01L33/60 ,  F21K9/68 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung sowie einen Optikkörper (4), der dem Halbleiterchip (3) optisch nachgeordnet ist. Ein Reflektor (5) umgibt den Optikkörper (4) seitlich ringsum formschlüssig und ist zur Reflexion der Primärstrahlung und von sichtbarem Licht eingerichtet. Der Optikkörper (4) weist eine dem Halbleiterchip (4) zugewandte Grundfläche (A) und eine dem Halbleiterchip (2) abgewandte Austrittsfläche (B) auf. In Richtung weg von dem Halbleiterchip (2) verjüngt sich der Optikkörper (4). Ein Quotient aus der Grundfläche (A) und einer Höhe (H) des Optikkörpers (4) liegt zwischen einschließlich 1 mm und 30 mm.

公开(公告)号：DE102016114474A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：DE102016114474

申请日：2016-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ROEMER REBECCA ,  TANGRING IVAR ,  RICHTER MARKUS ,  LIN-LEFEBVRE I-HSIN ,  HAUSINGER JOHANNES

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein Bauteil (9) mit einem lichtemittierenden Bauelement (1) vorgeschlagen, wobei das Bauelement (1) ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, mit einer Konversionsschicht (2), wobei die Konversionsschicht (2) ausgebildet ist, um eine Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung des Bauelementes (1) wenigstens teilweise zu konvertieren, wobei die Konversionsschicht (2) über einer lichtemittierenden Seite (3) des Bauelementes (1) angeordnet ist, wobei eine für elektromagnetische Strahlung transparente Platte (7) über der Konversionsschicht (2) angeordnet ist, wobei die Platte (7) eine Einstrahlfläche (16) und eine Ausstrahlfläche (17) für elektromagnetische Strahlung aufweist, wobei die Einstrahlfläche (16) der Platte (7) der Konversionsschicht (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017123415A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：DE102017123415

申请日：2017-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÖMER REBECCA ,  LIN-LEFEBVRE I-HSIN ,  JURENKA CLAUDIA

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Oberseite (10) und ein Konversionselement (2) auf der Oberseite zur Konversion einer von dem Halbleiterchip im bestimmungsgemäßen Betrieb emittierten Strahlung. Das Bauelement weist ferner ein Glasplättchen (3) auf dem Konversionselement und einen Vollkörper (4) auf. Der Vollkörper ist in unmittelbarem Kontakt zu dem Glasplättchen angeordnet. Der Vollkörper umformt das Glasplättchen stellenweise formschlüssig. Das Glasplättchen weist eine abgerundete Kante (30) auf, die dem Vollkörper zugewandt ist und von dem Vollkörper umgeben ist.