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    Luminescence diode chip having converter layer, and method of manufacturing the same
    1.
    发明专利
    Luminescence diode chip having converter layer, and method of manufacturing the same 有权
    具有转换层的发光二极管芯片及其制造方法

    公开(公告)号：JP2006108662A

    公开(公告)日：2006-04-20

    申请号：JP2005277494

    申请日：2005-09-26

    Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： RICHTER MARKUS ,  EBERHARD FRANZ ,  HOLZER PETER ,  MICHAEL GUENTHER EWALD K

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/508

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminescence diode chip having improved properties, with regard to a desired color space spectrum and having it, especially possible to realize a color space spectrum of satisfactorily increased uniformity.
    SOLUTION: The luminescence diode chip is configured with an aim such that it has a sequence of semiconductor layers 5 adapted to emitting primary electromagnetic radiation, and a converter layer 2 provided on at least one of major faces 11 of the sequence of semiconductor layer 5, the converter layer 2 having at least one light-emitting substance suitable for converting a portion of the primary radiation into secondary radiation having a wavelength region at least partially different from that of the primary radiation, wherein at least a portion of the secondary radiation and at least a portion of the unconverted primary radiation are superimposed to form a mixed color, having a resultant color coordinate and the converter layer 2 coordinates the relation of the resultant color coordinate to the observation angle.
    COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有改进的性能的发光二极管芯片，关于期望的色彩空间谱并具有它，特别是可以实现令人满意地增加的均匀性的色彩空间光谱。 解决方案：发光二极管芯片被配置为具有使得其具有适于发射主要电磁辐射的半导体层5的序列的目标，以及设置在半导体序列的主面11中的至少一个面上的转换器层2 层5，转换层2具有至少一种适用于将主辐射的一部分转换成具有至少部分不同于初级辐射的波长区域的次级辐射的发光物质，其中至少一部分次级辐射 辐射和未转换的主辐射的至少一部分被叠加以形成具有所得颜色坐标并且转换器层2协调所得颜色坐标与观察角度的关系的混合颜色。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN
    2.
    发明专利
    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN 未知

    公开(公告)号：DE102017105017A1

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：DE102017105017

    申请日：2017-03-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RICHTER MARKUS ,  LAMFALUSI TAMAS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von strahlungsemittierenden Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines metallischen Hilfsträgers und ein Ausbilden von metallischen Strukturelementen auf dem Hilfsträger, indem wenigstens ein Metallabscheidungsprozess mit Hilfe wenigstens einer Maskierungsschicht durchgeführt wird. Weiter vorgesehen ist ein Anordnen eines die metallischen Strukturelemente umschließenden reflektiven Einbettungsmaterials auf dem Hilfsträger und ein Entfernen des Hilfsträgers, so dass ein die Strukturelemente und das Einbettungsmaterial aufweisender Träger mit zwei entgegengesetzten Hauptseiten bereitgestellt wird. Die Hauptseiten des Trägers sind durch die Strukturelemente und das Einbettungsmaterial gebildet. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Träger, ein Anordnen eines Konversionsmaterials zur Strahlungskonversion auf dem mit den Halbleiterchips versehenen Träger, und ein Durchführen eines Vereinzelungsprozesses zum Bilden von separaten strahlungsemittierenden Bauelementen. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein strahlungsemittierendes Bauelement.

    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN
    3.
    发明专利
    HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN 未知

    公开(公告)号：DE102016121099A1

    公开(公告)日：2018-05-09

    申请号：DE102016121099

    申请日：2016-11-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TANGRING IVAR ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Leuchtstoff enthaltenden Konversionsschicht und ein Anordnen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf der Konversionsschicht. Die Halbleiterchips werden mit einer Vorderseite auf der Konversionsschicht angeordnet. Die Halbleiterchips weisen Kontakte an einer Rückseite auf. Ein weiterer Schritt des Verfahrens ist ein Verdicken der Konversionsschicht neben und zwischen den Halbleiterchips durch Aufbringen einer Leuchtstoff enthaltenden Füllmasse. Die verdickte Konversionsschicht grenzt an die Vorderseite und an Seitenflächen der Halbleiterchips an. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer reflektiven Schicht auf der Konversionsschicht und auf den Halbleiterchips im Bereich der Rückseite der Halbleiterchips, wobei eine rückseitige Oberfläche der Kontakte der Halbleiterchips unbedeckt bleibt. Des Weiteren werden die reflektive Schicht und die Konversionsschicht durchtrennt, um vereinzelte Halbleiterbauelemente zu bilden, welche einen einzelnen Halbleiterchip, einen auf der Vorderseite und auf den Seitenflächen des Halbleiterchips angeordneten Teil der Konversionsschicht und einen im Bereich der Rückseite auf dem Halbleiterchip und auf der Konversionsschicht angeordneten Teil der reflektiven Schicht aufweisen. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS
    8.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS 未知

    公开(公告)号：DE102018120491A1

    公开(公告)日：2020-02-27

    申请号：DE102018120491

    申请日：2018-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TÅNGRING IVAR ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit:- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der einen elektrischen Kontakt (3) umfasst,- einem Träger (4), der eine elektrisch leitende Beschichtung (5) umfasst und auf der der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) mit dem elektrischen Kontakt (3) angeordnet ist,- einem Kontaktmittel (6), das die elektrisch leitende Beschichtung (5) des Trägers (4) und den elektrischen Kontakt (3) des Halbleiterchips (2) miteinander verbindet, und- einer Passivierungsschicht (7), die stellenweise auf der elektrisch leitenden Beschichtung (5) angeordnet ist, wobei- eine Außenfläche der elektrisch leitenden Beschichtung (8) vollständig von der Passivierungsschicht (7) und dem Kontaktmittel (6) eingekapselt ist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

    Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    9.
    发明专利
    Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016121510A1

    公开(公告)日：2018-05-17

    申请号：DE102016121510

    申请日：2016-11-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LAMFALUSI TAMAS ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein Leiterrahmen (1) für einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7) mit einem ersten Element (2) mit einer ersten Haupterstreckungsebene, einem zweiten Element (3) mit einer zweiten Haupterstreckungsebene und einem dritten Element (4) mit einer dritten Haupterstreckungsebene angegeben,wobeidie erste Haupterstreckungsebene, die zweite Haupterstreckungsebene und die dritte Haupterstreckungsebene parallel zueinander angeordnet sind,die drei Elemente (2, 3, 4) in einer Stapelrichtung (R) übereinander angeordnet sind, unddas dritte Element (4) eine Auflagefläche (9) für den Halbleiterchip (7) aufweist, die kleiner ist als eine Montagefläche (8) des Halbleiterchips (7).Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

    Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
    10.
    发明专利
    Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht 未知

    公开(公告)号：DE102004047727B4

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102004047727

    申请日：2004-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOLZER PETER ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL DR ,  EBERHARD FRANZ ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Lumineszenzdiodenchip – mit einer Halbleiterschichtenfolge, die geeignet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, und – mit einer Konverterschicht, die auf mindestens einer Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und die mindestens einen Leuchtstoff aufweist, der geeignet ist, einen Teil der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren, die einen verglichen mit der Primärstrahlung zumindest teilweise unterschiedlichen Wellenlängenbereich aufweist, wobei – sich zumindest ein Teil der Sekundarstrahlung und zumindest ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung mit einem resultierenden Farbort überlagern, – die Konverterschicht gezielt zur Einstellung einer Abhängigkeit des resultierenden Farbortes von einem Betrachtungswinkel strukturiert ist, und – die Konverterschicht derart strukturiert ist, dass die Hauptfläche einen Streifen aufweist, der entlang dem Rand des Lumineszenzdiodenchips verläuft und der frei von der Konverterschicht ist oder in dem die Konverterschicht gegenüber ihren übrigen auf der Hauptfläche angeordneten Bereichen eine verringerte Dicke aufweist.

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