Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit device for operating a pulse laser diode that can operate the pulse diode as stably as possible. SOLUTION: The circuit device has the pulse laser diode 1 and a pulse generating circuit 5 and further includes a DC current source 2 capable of varying the light emission wavelength of the pulse laser diode by supplying a bias current having a smaller value than a light emission threshold to the pulse laser diode and varying the value of the bias current to control the temperature of a chip of the pulse laser diode. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a beam radiation semiconductor device, capable of easily stabilizing a peak wavelength or an easy method of stabilizing the beam radiation semiconductor device. SOLUTION: At least one electrical heating element 2 for heating a semiconductor device is arranged in a semiconductor device 1. An electrical heating element is arranged in the semiconductor device 1, and when the operating temperature of the semiconductor device is lower than the predetermined target value, the semiconductor device is heated by using the heating element. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
Abstract:
Es wird ein holografischer Projektionsschirm (100) beschrieben, welcher dazu ausgebildet ist, von einer Beleuchtungseinrichtung (200) abgestrahltes und entlang einer Einfallsrichtung (10) auf den holografischen Projektionsschirm (100) treffendes Licht aus mindestens einem ersten Wellenlängenbereich in mindestens einen ersten Raumwinkelbereich (14) um eine erste Abstrahlrichtung (12) herum umzulenken. Es werden außerdem ein Beleuchtungssystem sowie ein Verfahren zur Herstellung eines holografischen Projektionsschirms beschrieben.
Abstract:
Ein Halbleiterlaser (10) umfasst ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaserelement (105) und einen Konverter (210), der geeignet ist, eine Wellenlänge der von dem oberflächenemittierenden Halbleiterlaserelement (105) emittierten Laserstrahlung (115) zu konvertieren. Der Konverter (210) ist räumlich getrennt von dem oberflächenemittierenden Halbleiterlaserelement (105) angeordnet.
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung sowie einen Optikkörper (4), der dem Halbleiterchip (3) optisch nachgeordnet ist. Ein Reflektor (5) umgibt den Optikkörper (4) seitlich ringsum formschlüssig und ist zur Reflexion der Primärstrahlung und von sichtbarem Licht eingerichtet. Der Optikkörper (4) weist eine dem Halbleiterchip (4) zugewandte Grundfläche (A) und eine dem Halbleiterchip (2) abgewandte Austrittsfläche (B) auf. In Richtung weg von dem Halbleiterchip (2) verjüngt sich der Optikkörper (4). Ein Quotient aus der Grundfläche (A) und einer Höhe (H) des Optikkörpers (4) liegt zwischen einschließlich 1 mm und 30 mm.
Abstract:
Es wird ein Halbleiterlaser angegeben, bei dem ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip (32) zwischen einem ersten (10a) und einem zweiten Anschlussträger (10b) angeordnet ist. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterlasers angegeben.
Abstract:
The circuit arrangement has a pulse laser diode (1) and a current source (2) for supplying a direct current into the pulse laser diode. The current limiting (3) is provided for limiting the supplied direct current to a value, which is smaller than the lasing threshold of the pulse laser diode. An independent claim is included for a method for operating a pulse laser diode.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauteil (10) angegeben mit:- einem ersten Halbleiterchip (11),- einem zweiten Halbleiterchip (12),- einem dritten Halbleiterchip (13), und- einem vierten Halbleiterchip (14), wobei- die vier Halbleiterchips (11, 12, 13, 14) auf einem Träger (15) angeordnet sind,- der erste Halbleiterchip (11) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 610 nm und höchstens 650 nm zu emittieren,- der zweite Halbleiterchip (12) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 450 nm und höchstens 475 nm zu emittieren,- der dritte Halbleiterchip (13) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,3231 ± 0,005 und 0,5408 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren, und- der vierte Halbleiterchip (14) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,5638 ± 0,005 und 0,4113 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren.
Abstract:
Vorrichtung zur Darstellung eines Bildes für eine Head-Up-Display-Anzeige, wobei drei Arrays von Leuchtdioden vorgesehen sind, wobei die Leuchtdioden eines Arrays in der Weise angeordnet und ausgebildet sind, um in einer Abstrahlrichtung einer Abstrahlseite des Arrays elektromagnetische Strahlenbündel abzugeben, wobei die Leuchtdioden (3) ausgebildet sind, um ein elektromagnetisches Strahlen-bündel (8) mit einem ersten Öffnungswinkel (5) in der Abstrahlrichtung (6) abzugeben, wobei eine Kollimationsvorrichtung (7) auf der Abstrahlseite in einem vorgegebenen Abstand vor dem Array (2) der Leuchtdioden (3) vorgesehen ist, wobei die Kollimationsvorrichtung (7) die ersten Öffnungswinkel (5) der Strahlenbündel (8) der Leuchtdioden (3) auf einen zweiten Öffnungswinkel (9) reduziert, wobei der zweite Öffnungswinkel (9) kleiner ist als der erste Öffnungswinkel (5), wobei in der Abstrahlrichtung (6) nach der Kollimationsvorrichtung (7) eine Kombinationsoptik vorgesehen ist, wobei die Kombinationsoptik ausgebildet ist, um die elektromagnetischen Strahlen der drei Arrays zu einem Bild für das Head-Up-Display zu überlagern.
Abstract:
Es wird ein oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement angegeben, das vorzugsweise zur Strahlungsemission vorgesehen ist. Insbesondere ist das Multichip-Bauelement ein mehrfarbiges Leuchtdiodenmodul.