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公开(公告)号：DE102017129783A1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：DE102017129783
申请日：2017-12-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , EBERHARD FRANZ , MUERMANN BJÖRN , MOLNAR ATTILA
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend- einen Halbleiterkörper (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist;- eine erste Kontaktschicht (3), die eine erste Kontaktfläche (31) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips und eine mit der ersten Kontaktfläche verbundene erste Kontaktstegstruktur (35) aufweist;- eine zweite Kontaktschicht (4), die eine zweite Kontaktfläche (41) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips und eine mit der zweiten Kontaktfläche verbundene zweite Kontaktstegstruktur (45) aufweist, wobei die erste Kontaktstegstruktur und die zweite Kontaktstegstruktur in Draufsicht auf den Halbleiterchip stellenweise überlappen;- eine Stromverteilungsschicht (51), über die die erste Halbleiterschicht mit der ersten Kontaktschicht elektrisch leitend verbunden ist; und- eine Isolationsschicht (6), die ein dielektrisches Material enthält, wobei die Isolationsschicht zwischen der ersten Halbleiterschicht und der Stromverteilungsschicht angeordnet ist und eine Mehrzahl von Öffnungen (60), in die sich die Stromverteilungsschicht hinein erstreckt, aufweist.
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公开(公告)号：DE112017001393A5
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：DE112017001393
申请日：2017-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
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公开(公告)号：DE102016124860A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：DE102016124860
申请日：2016-12-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (22) zwischen einem ersten (21) und einem zweiten Halbleiterbereich (23) auf einem lichtdurchlässigen Substrat (3). Eine elektrisch isolierende Spiegelschicht (5) ist zur Reflexion von in der aktiven Schicht (22) erzeugter Strahlung eingerichtet. Die Spiegelschicht (5) befindet sich zumindest in einem Isoliergraben (42). Ein metallischer Stromsteg (6) ist in einem Kontaktgraben (41) angebracht und ist zu einer Stromführung entlang des Kontaktgrabens (41) und zu einer Bestromung des ersten Halbleiterbereichs (21) eingerichtet. Eine metallische Stromschiene (8) befindet sich in einem Stromverteilungsgraben (43), ist zu einer Stromführung entlang des Stromverteilungsgrabens (43) eingerichtet sowie zur Bestromung des zweiten Halbleiterbereichs (23). Der Kontaktgraben (41), der Isoliergraben (42) sowie der Stromverteilungsgraben (43) erstrecken sich durch die aktive Schicht (22) bis in den ersten Halbleiterbereich (21). Der Kontaktgraben (41) ist vollständig von dem Isoliergraben (42) umrandet und der Stromverteilungsgraben (43) liegt nur außerhalb des Isoliergrabens (42).
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公开(公告)号：DE102015107577A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：DE102015107577
申请日：2015-05-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (100), umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestens einen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels eines p-Anschlusskontakts (8) elektrisch kontaktiert ist, wobei unterhalb des p-Anschlusskontakts (8) ein Graben (10) angeordnet ist, der sich zumindest teilweise in die p-dotierte Halbleiterschicht (5) erstreckt, wobei zumindest zwischen der n-dotierten Halbleiterschicht (3) und dem p-Anschlusskontakt (8) ein Blockierelement (6) angeordnet ist, das zumindest teilweise unterhalb des p-Anschlusskontakts (8) und zumindest teilweise innerhalb des Grabens (10) angeordnet ist, wobei das Blockierelement (6) elektrisch isoliert, wobei durch das Blockierelement (6) ein direkter Stromfluss zwischen dem p-Anschlusskontakt (8) und den p- und n-dotierten Halbleiterschichten (3, 5) und der aktiven Schicht (4) verhindert ist.
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公开(公告)号：DE102015102043A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：DE102015102043
申请日：2015-02-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MUERMANN BJÖRN , PERZLMAIER KORBINIAN , MOLNAR ATTILA
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben, wobei – der Halbleiterchip eine erste Kontaktschicht (3) und eine zweite Kontaktschicht (4) aufweist; – die erste Kontaktschicht eine erste Kontaktfläche (31) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips und eine mit der ersten Kontaktfläche verbundene erste Kontaktfingerstruktur (35) mit einem Kontaktfinger eines ersten Typs (351) und einem Kontaktfinger eines zweiten Typs (352) aufweist; – die zweite Kontaktschicht eine zweite Kontaktfläche (41) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips und eine mit der zweiten Kontaktfläche verbundene zweite Kontaktfingerstruktur (45) aufweist; – der Kontaktfinger des ersten Typs und die zweite Kontaktfingerstruktur in Draufsicht auf den Halbleiterchip stellenweise überlappen; und – der Kontaktfinger des zweiten Typs in Draufsicht auf den Halbleiterchip überlappungsfrei zur zweiten Kontaktfingerstruktur angeordnet ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112019007980B4
公开(公告)日：2025-02-27
申请号：DE112019007980
申请日：2019-12-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA , NG BAN LOONG CHRIS , TAN CHENG KOOI
IPC: H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/841
Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) umfassend- eine erste Halbleiterschicht (3) mit einer ersten Oberfläche (3A),- eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einer ersten Oberfläche (5A),- eine erste Hauptfläche (2A) und eine der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (2B), wobei die ersten Oberflächen (3A, 5A) der ersten und zweiten Halbleiterschichten (3, 5) zumindest teilweise an der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet sind,- eine direktional reflektierende Schicht (7), die auf der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet ist,- eine erste Kontaktstruktur (8) zum elektrischen Verbinden der ersten Halbleiterschicht (3), aufweisend eine erste Stromaufweitungsstruktur (9), die auf der ersten Oberfläche (3A) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist und teilweise an die mindestens eine direktional reflektierende Schicht (7) angrenzt,- eine zweite Kontaktstruktur (15) zum elektrischen Verbinden der zweiten Halbleiterschicht (5), aufweisend eine zweite Stromaufweitungsstruktur (16), die auf der ersten Oberfläche (5A) der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist und teilweise an die mindestens eine direktional reflektierende Schicht (7) angrenzt, wobei die erste Stromaufweitungsstruktur (9) und die zweite Stromaufweitungsstruktur (16) jeweils aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen.
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公开(公告)号：DE112019007980T5
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE112019007980
申请日：2019-12-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA , NG BAN LOONG CHRIS , TAN CHENG KOOI
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) beschrieben, aufweisend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) umfassend- eine erste Halbleiterschicht (3) mit einer ersten Oberfläche (3A),- eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einer ersten Oberfläche (5A),- eine erste Hauptfläche (2A) und eine der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (2B), wobei die ersten Oberflächen (3A, 5A) der ersten und zweiten Halbleiterschichten (3, 5) zumindest teilweise an der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet sind,- eine direktional reflektierende Schicht (7), die auf der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet ist,- eine erste Kontaktstruktur (8) mit einer ersten Stromaufweitungsstruktur (9), die auf der ersten Oberfläche (3A) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist,- eine zweite Kontaktstruktur (15) mit einer zweiten Stromaufweitungsstruktur (16), die auf der ersten Oberfläche (5A) der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist, wobeidie erste Stromaufweitungsstruktur (9) und die zweite Stromaufweitungsstruktur (16) jeweils aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen.
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公开(公告)号：DE102018112255A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：DE102018112255
申请日：2018-05-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , MOLNAR ATTILA
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1) umfassend ein Aufwachssubstrat (20), einen Halbleiterschichtenstapel (30) mit einem aktiven Bereich (31), einem halbleitenden Bereich erster Art (32) und einem halbleitenden Bereich zweiter Art (33) und eine Abstrahlfläche (1a), bei dem- der Halbleiterschichtenstapel (30) mit dem halbleitenden Bereich erster Art (32) an einer ersten Hauptfläche (20a) des Aufwachssubstrats (20) angeordnet ist,- der Halbleiterchip (1) dazu eingerichtet ist im aktiven Bereich (31) elektromagnetische Strahlung (L) zu erzeugen und durch die Abstrahlfläche (1a) zu emittieren, wobei- die Abstrahlfläche (1a) eine Extraktionsverstärkungsfläche (11) aufweist,- im Bereich der Extraktionsverstärkungsfläche (11) die erste Hauptfläche (20a) frei von dem Halbleiterschichtenstapel (30) ist, oder- im Bereich der Extraktionsverstärkungsfläche (11) eine von der ersten Hauptfläche (20a) abgewandte Seite des halbleitenden Bereichs erster Art (32) frei von dem halbleitenden Bereich zweiter Art (33) und dem aktiven Bereich (31) ist.
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公开(公告)号：DE102017111123A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：DE102017111123
申请日：2017-05-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOLNAR ATTILA
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, umfassend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22), wobei der aktive Bereich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist;- einen ersten Kontakt (51) und einen zweiten Kontakt (52) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips;- einen ersten Anschlussschichtbereich (31), über den der erste Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist;- einen zweiten Anschlussschichtbereich (32), über den der zweite Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist; und- eine erste Isolationsschicht (6) und eine zweite Isolationsschicht (7); wobei- der erste Anschlussschichtbereich und der zweite Anschlussschichtbereich in einer senkrecht zur einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verlaufenden vertikalen Richtung jeweils bereichsweise zwischen der ersten Isolationsschicht und der zweiten Isolationsschicht angeordnet sind; und- der erste Anschlussschichtbereich und der zweite Anschlussschichtbereich überlappungsfrei nebeneinander angeordnet sind.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
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10.发明专利
公开(公告)号：DE102018107470A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102018107470
申请日：2018-03-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (100) umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine aktive Schicht (4) aufweist, wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels eines p-Anschlusskontakts (8) elektrisch kontaktiert ist, wobei die n-dotierte Halbleiterschicht (3) mittels eines n-Anschlusskontakts (9) elektrisch kontaktiert ist, wobei der Halbleiterchip (100) zumindest zwei Gräben (6, 7) aufweist, wobei sich innerhalb des ersten Grabens (6) der p-Anschlusskontakt (8) und innerhalb des zweiten Grabens (7) der n-Anschlusskontakt (9) erstreckt, wobei unterhalb des p-Anschlusskontakts (8) und innerhalb des ersten Grabens (6) ein erstes dielektrisches Spiegelelement (1) angeordnet ist, das elektrisch isoliert ist, wobei unterhalb des n-Anschlusskontakts (9) und innerhalb des zweiten Grabens (7) und zwischen dem n-Anschlusskontakt (9) und der n-dotierten Halbleiterschicht (3) zumindest bereichsweise ein zweites dielektrisches Spiegelelement (2) angeordnet ist, das elektrisch isoliert ist.
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