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公开(公告)号：WO2015189056A3
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/EP2015062009
申请日：2015-05-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , KOPP FABIAN , EICHINGER CHRISTIAN , MUERMANN BJÖRN
Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (2) that has a sequence of semiconductor layers including an active region (20) provided for generating radiation, a semiconductor layer (21) and another semiconductor layer (22); the active region is located between the semiconductor layer and the other semiconductor layer; a current spreading layer is disposed on a radiation exit surface (210) of the semiconductor body; the current spreading layer is connected in an electrically conducting manner to a contact structure (4) for electrically contacting the semiconductor layer externally; from a bird's eye view of the semiconductor component, the current spreading layer borders the semiconductor layer in a connecting region (30); and the current spreading layer has a structure (31) that includes a plurality of recesses (35) through which radiation exits the semiconductor component during operation.
Abstract translation: 它是与具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22）的半导体层序列的半导体主体（2）的光电子半导体器件（1），设置有活性 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的区域布置; 在半导体本体的电流扩展层的辐射出射表面（210）; 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; 电流扩展层是在半导体层和所述电流扩展层上的连接区域（30）的半导体装置的平面图相邻具有多个凹部（35），通过该操作期间离开从半导体器件辐射的结构（31）。
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公开(公告)号：DE112019007980B4
公开(公告)日：2025-02-27
申请号：DE112019007980
申请日：2019-12-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA , NG BAN LOONG CHRIS , TAN CHENG KOOI
IPC: H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/841
Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) umfassend- eine erste Halbleiterschicht (3) mit einer ersten Oberfläche (3A),- eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einer ersten Oberfläche (5A),- eine erste Hauptfläche (2A) und eine der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (2B), wobei die ersten Oberflächen (3A, 5A) der ersten und zweiten Halbleiterschichten (3, 5) zumindest teilweise an der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet sind,- eine direktional reflektierende Schicht (7), die auf der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet ist,- eine erste Kontaktstruktur (8) zum elektrischen Verbinden der ersten Halbleiterschicht (3), aufweisend eine erste Stromaufweitungsstruktur (9), die auf der ersten Oberfläche (3A) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist und teilweise an die mindestens eine direktional reflektierende Schicht (7) angrenzt,- eine zweite Kontaktstruktur (15) zum elektrischen Verbinden der zweiten Halbleiterschicht (5), aufweisend eine zweite Stromaufweitungsstruktur (16), die auf der ersten Oberfläche (5A) der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist und teilweise an die mindestens eine direktional reflektierende Schicht (7) angrenzt, wobei die erste Stromaufweitungsstruktur (9) und die zweite Stromaufweitungsstruktur (16) jeweils aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen.
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公开(公告)号：DE112019007980T5
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE112019007980
申请日：2019-12-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA , NG BAN LOONG CHRIS , TAN CHENG KOOI
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) beschrieben, aufweisend- eine Halbleiterschichtenfolge (2) umfassend- eine erste Halbleiterschicht (3) mit einer ersten Oberfläche (3A),- eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einer ersten Oberfläche (5A),- eine erste Hauptfläche (2A) und eine der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (2B), wobei die ersten Oberflächen (3A, 5A) der ersten und zweiten Halbleiterschichten (3, 5) zumindest teilweise an der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet sind,- eine direktional reflektierende Schicht (7), die auf der ersten Hauptfläche (2A) angeordnet ist,- eine erste Kontaktstruktur (8) mit einer ersten Stromaufweitungsstruktur (9), die auf der ersten Oberfläche (3A) der ersten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist,- eine zweite Kontaktstruktur (15) mit einer zweiten Stromaufweitungsstruktur (16), die auf der ersten Oberfläche (5A) der zweiten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist, wobeidie erste Stromaufweitungsstruktur (9) und die zweite Stromaufweitungsstruktur (16) jeweils aus mindestens einem transparenten leitfähigen Oxid bestehen.
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公开(公告)号：DE102018107470A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102018107470
申请日：2018-03-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (100) umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine aktive Schicht (4) aufweist, wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels eines p-Anschlusskontakts (8) elektrisch kontaktiert ist, wobei die n-dotierte Halbleiterschicht (3) mittels eines n-Anschlusskontakts (9) elektrisch kontaktiert ist, wobei der Halbleiterchip (100) zumindest zwei Gräben (6, 7) aufweist, wobei sich innerhalb des ersten Grabens (6) der p-Anschlusskontakt (8) und innerhalb des zweiten Grabens (7) der n-Anschlusskontakt (9) erstreckt, wobei unterhalb des p-Anschlusskontakts (8) und innerhalb des ersten Grabens (6) ein erstes dielektrisches Spiegelelement (1) angeordnet ist, das elektrisch isoliert ist, wobei unterhalb des n-Anschlusskontakts (9) und innerhalb des zweiten Grabens (7) und zwischen dem n-Anschlusskontakt (9) und der n-dotierten Halbleiterschicht (3) zumindest bereichsweise ein zweites dielektrisches Spiegelelement (2) angeordnet ist, das elektrisch isoliert ist.
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公开(公告)号：DE102015117662A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：DE102015117662
申请日：2015-10-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , TAEGER SEBASTIAN
IPC: H01L33/20
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (100), umfassend eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei über der p-dotierten Halbleiterschicht (5) eine elektrisch leitfähige Schicht (7) angeordnet ist, die zur elektrischen Kontaktierung der p-dotierten Halbleiterschicht (5) eingerichtet ist, wobei lateral zur n-dotierten Halbleiterschicht (3), p-dotierten Halbleiterschicht (5) und aktiven Schicht (4) eine Seitenflanke (2) angeordnet ist, wobei die Seitenflanke (2) zumindest zwei schräge Teilflanken (21, 22) aufweist, wobei die erste Teilflanke (21) zumindest bereichsweise lateral zur p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnet ist, wobei die zweite Teilflanke (22) zumindest bereichsweise lateral zur n-dotierten Halbleiterschicht (3) angeordnet ist, wobei der Winkel der ersten Teilflanke (21) in Bezug auf die aktive Schicht (4) flacher als der Winkel der zweiten Teilflanke (22) ist, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (7) lateral zur Seitenflanke (2) beanstandet ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102014115740A1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：DE102014115740
申请日：2014-10-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , EICHINGER CHRISTIAN , PERZLMAIER KORBINIAN
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestens einen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist.
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公开(公告)号：DE102014108300A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：DE102014108300
申请日：2014-06-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , KOPP FABIAN , EICHINGER CHRISTIAN , MUERMANN BJÖRN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer Halbleiterschicht (21) und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei – der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; – auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; – die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; – die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und – die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt.
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公开(公告)号：DE102014105799A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：DE102014105799
申请日：2014-04-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , HUPPMANN SOPHIA , TAEGER SEBASTIAN , EICHINGER CHRISTIAN , PERZLMAIER KORBINIAN , ZULL HERIBERT
Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2), der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements (10) Licht zu erzeugen, und eine die Halbleiterschichtenfolge (1) abschließenden Halbleiterschicht (3), eine transparente elektrisch leitende Kontaktschicht (4) auf der abschließenden Halbleiterschicht (3), eine Außenschicht (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (1), die einen Kunststoff aufweist, und zumindest eine transparente dielektrische Zwischenschicht (5) zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (4) und der Außenschicht (6) aufweist, wobei die Kontaktschicht (4), die Zwischenschicht(5) und die Außenschicht (6) jeweils einen Brechungsindex aufweisen und der Brechungsindex der Zwischenschicht (5) kleiner als der Brechungsindex der Kontaktschicht (4) und größer als der Brechungsindex der Außenschicht (6) ist.
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公开(公告)号：DE102019120444B4
公开(公告)日：2025-02-13
申请号：DE102019120444
申请日：2019-07-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA
IPC: H10H20/831 , H10H20/841
Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen aktiven Bereich (3) aufweist, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,- einer ersten dielektrischen Spiegelschicht (6), die über der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, und- einer zweiten dielektrischen Spiegelschicht (7), die über der ersten dielektrischen Spiegelschicht (6) angeordnet ist, wobei- die erste dielektrische Spiegelschicht (6) zumindest eine erste Ausnehmung (8) aufweist,- eine erste Stromaufweitungsschicht (10) in der ersten Ausnehmung (8) und über der ersten dielektrischen Spiegelschicht (6) angeordnet ist,- die erste Stromaufweitungsschicht (10) bereichsweise in lateraler Richtung zwischen der ersten dielektrischen Spiegelschicht (6) und der zweiten dielektrischen Spiegelschicht (7) angeordnet ist,- die zweite dielektrische Spiegelschicht (7) zumindest eine zweite Ausnehmung (9) aufweist, die sich bis zur ersten Stromaufweitungsschicht (10) erstreckt, und- die erste Ausnehmung (8) in Draufsicht nicht mit der zweiten Ausnehmung (9) in lateraler Richtung überlappt.
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公开(公告)号：DE102018117018A1
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：DE102018117018
申请日：2018-07-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KOPP FABIAN , MOLNAR ATTILA , EBERHARD FRANZ
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp mit einer ersten Hauptoberfläche (127) und eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die auf einer von der ersten Hauptoberfläche (127) der ersten Halbleiterschicht (120) abgewandten Seite angeordnet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) weist ferner auf der Seite der ersten Hauptoberfläche (127) je eine erste Stromaufweitungsstruktur (115), die mit der ersten Halbleiterschicht (120) elektrisch leitend verbunden ist, und eine zweite Stromaufweitungsstruktur (135) auf, die mit der zweiten Halbleiterschicht (130) elektrisch leitend verbunden ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement enthält weiterhin eine dielektrische Spiegelschicht (140), die auf der Seite der ersten Hauptoberfläche (127) der ersten Halbleiterschicht (120) sowie an einer von der ersten Halbleiterschicht (120) abgewandten Seite der ersten oder zweiten Stromaufweitungsstruktur (115, 135) angeordnet ist. Mindestens eine der ersten und zweiten Stromaufweitungsstrukturen (115, 135) enthält Silber.
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