公开(公告)号：DE102021109986A1

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102021109986

申请日：2021-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  NÄHLE LARS

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01S5/20 ,  H01S5/24

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen sich in eine longitudinale Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) aufweist, der im Betrieb des Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht (8) mit einer Abstrahlrichtung entlang der longitudinalen Richtung vorgesehen und eingerichtet ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Hauptoberfläche (12) mit zumindest einer Vertiefung (15), wobei die Hauptoberfläche eine Haupterstreckungsebene entlang der longitudinalen Richtung und entlang einer zur longitudinalen Richtung senkrecht stehenden transversalen Richtung (91) aufweist,Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Hauptoberfläche mit der zumindest einen Vertiefung, Ausbilden zumindest einer entlang der transversalen Richtung ausgerichteten Facette (6, 6', 6", 7) in der Halbleiterschichtenfolge durch ein Ätzverfahren, wobei die Facette in zumindest einer Richtung, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Hauptoberfläche ist, einen Abstand von kleiner oder gleich 50 µm von der zumindest einen Vertiefung aufweist.Weiterhin wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102018100763A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018100763

申请日：2018-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER JOHN ,  HEINE URS ,  GERHARD SVEN ,  NÄHLE LARS ,  LÖFFLER ANDREAS ,  SOMERS ANDRÉ

IPC: H01L21/301 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (20) angegeben, mit den Schritten des Bereitstellens eines Trägers (21), des Aufbringens von mindestens zwei Halbleiterchips (22) auf den Träger (21), des Ätzens mindestens eines Bruchkeims (23) an einer den Halbleiterchips (22) zugewandten Seite des Trägers (21), und des Vereinzelns von mindestens zwei Halbleiterbauteilen (20) durch Brechen des Trägers (21) entlang des mindestens einen Bruchkeims (23). Dabei erstreckt sich der mindestens eine Bruchkeim (23) zumindest stellenweise in einer vertikalen Richtung (z), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist, und der mindestens eine Bruchkeim (23) ist in einer lateralen Richtung (x) zwischen den zwei Halbleiterchips (22) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist. Weiter weist jedes der Halbleiterbauteile (20) mindestens einen der Halbleiterchips (22) auf, und die Ausdehnung des mindestens einen Bruchkeims (23) in vertikaler Richtung (z) beträgt mindestens 1 % der Ausdehnung des Trägers (21) in vertikaler Richtung (z). Außerdem wird ein Halbleiterbauteil (20) angegeben.

公开(公告)号：DE102021113297A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021113297

申请日：2021-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  KÖNIG HARALD ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/11 ,  H01S5/24 ,  H01S5/343

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Aufwachsfläche (2),- Einbringen zumindest einer Struktur (10) zumindest in einen Facettenbereich (6) der Aufwachsfläche (2),- epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, auf der Aufwachsfläche (2), wobei- die Struktur (10) von Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) überwachsen wird, so dass die aktive Zone (12) in einem nichtabsorbierenden Spiegelbereich (24) eine Bandlücke aufweist, die größer ist als im restlichen Bereich der aktiven Zone (12).Außerdem wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：DE102021103484A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102021103484

申请日：2021-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20 ,  H01L21/306 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterlasern (1) angegeben, umfassend die Schritte:a) Bereitstellen eines Substrats (25) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) und mit einer Mehrzahl von Bauelementbereichen (10), wobei jeder Bauelementbereich mindestens einen Resonatorbereich (29) aufweist und senkrecht zum Resonatorbereich durch Vereinzelungslinien in Querrichtung (91) und parallel zum Resonatorbereich durch Vereinzelungslinien in Längsrichtung (92) begrenzt ist;b) Ausbilden von Ausnehmungen (3), die mit den Vereinzelungslinien in Querrichtung überlappen, durch ein trockenchemisches Ätzverfahren, wobei die Ausnehmungen jeweils mindestens einen Übergang (39) aufweisen, an dem in Draufsicht auf das Substrat ein erster Abschnitt (311) einer Seitenfläche (31) der Ausnehmung und ein zweiter Abschnitt (312) der Seitenfläche der Ausnehmung einen Winkel von mehr als 180° in der Ausnehmung einschließen;c) nasschemisches Ätzen der Seitenflächen (31) der Ausnehmungen zum Ausbilden von Resonatorflächen (30); undd) Vereinzeln des Substrats (25) entlang der Vereinzelungslinien in Querrichtung und in Längsrichtung.Weiterhin wird ein Halbleiterlaser (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102018111227A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111227

申请日：2018-05-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Durchtrennen eines epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpers angegeben, bei dema) ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt wird;b) mittels Ätzens mindestens ein Graben (20) in eine erste Hauptfläche (2a) des Aufwachssubstrats (2) eingebracht wird;c) an einer ersten Hauptfläche (2a) und im Graben (20) ein Halbleitermaterial epitaktisch abgeschieden wird, wobei ein Halbleiterkörper (1) entsteht, und der Halbleiterkörper den Graben (20) zumindest teilweise ausfüllt; undd) der Halbleiterkörper und das Aufwachssubstrat entlang der Haupterstreckungsrichtung des Grabens durchtrennt werden.Des Weiteren wird ein Halbleiterchip mit einer Deckfläche und Seitenflächen angegeben, bei dem die Seitenflächen jeweils einen abgeschrägten Abschnitt aufweisen, der an die Deckfläche angrenzt und dessen Oberfläche mittels Epitaxie erzeugt ist.