公开(公告)号：WO2016062477A2

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/EP2015071610

申请日：2015-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/2081 ,  H01L21/76232 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/22

Abstract: The invention relates to a method for patterning a sequence of layers and to a semiconductor laser device. In said method, at least one trench (4) is created in the sequence of layers (10) by two plasma etching methods. The semiconductor laser device comprises a sequence of layers (10), which is formed using a semiconductor material, and two trenches (4) in the sequence of layers (10), said trenches laterally delimiting a ridge waveguide (30). Each of the trenches (4) is delimited on the side facing away from the ridge waveguide (30) by a region (A) of the sequence of layers (10).

Abstract translation: 提供了用于构建的层序列以及一个半导体激光装置的方法。 在该方法中，生成由两个等离子蚀刻至少层序列（10）中的沟槽（4）中进行。 该半导体激光装置包括一系列的层（10）的其与半导体材料形成，并且该层序列中的两个槽（4）（10）限定了脊形波导（30）横向地，每个所述沟槽（4）在其面向所述 是从一个区域背对限制脊形波导（30）侧的（a）层序列（10）的。

公开(公告)号：DE102018010602B4

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102018010602

申请日：2018-06-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01S5/028

Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet,- einem Stegwellenleiter (3), der als Erhebung aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus gestaltet ist,- einer elektrischen Kontaktschicht (5) direkt am Stegwellenleiter (3) zur Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge (2),- einem metallischen elektrischen Anschlussbereich (6) direkt an der Kontaktschicht (5) zum externen elektrischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) an einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), und- einer metallischen Brechbeschichtung (7), die bis direkt an Facetten (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) heranreicht und die sich an dem Stegwellenleiter (3) befindet,wobei die Brechbeschichtung (7) elektrisch funktionslos ist und eine niedrigere Schallgeschwindigkeit aufweist als die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich des Stegwellenleiters (3), undwobei die Kontaktschicht (5) von den Facetten (27) beabstandet endet, sodass direkt an den Facetten (27) keine Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.

公开(公告)号：DE102021109986A1

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102021109986

申请日：2021-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  NÄHLE LARS

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01S5/20 ,  H01S5/24

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen sich in eine longitudinale Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) aufweist, der im Betrieb des Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht (8) mit einer Abstrahlrichtung entlang der longitudinalen Richtung vorgesehen und eingerichtet ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Hauptoberfläche (12) mit zumindest einer Vertiefung (15), wobei die Hauptoberfläche eine Haupterstreckungsebene entlang der longitudinalen Richtung und entlang einer zur longitudinalen Richtung senkrecht stehenden transversalen Richtung (91) aufweist,Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Hauptoberfläche mit der zumindest einen Vertiefung, Ausbilden zumindest einer entlang der transversalen Richtung ausgerichteten Facette (6, 6', 6", 7) in der Halbleiterschichtenfolge durch ein Ätzverfahren, wobei die Facette in zumindest einer Richtung, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Hauptoberfläche ist, einen Abstand von kleiner oder gleich 50 µm von der zumindest einen Vertiefung aufweist.Weiterhin wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102020119227A1

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102020119227

申请日：2020-07-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER JAN ,  NAHLE LARS ,  GERHARD SVEN ,  LELL ALFRED ,  KONIG HARALD ,  EICHLER CHRISTOPH ,  BREUDERL GEORG ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF

公开(公告)号：DE102018125496A1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：DE102018125496

申请日：2018-10-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALI MUHAMMAD ,  KÖNIG HARALD ,  GERHARD SVEN ,  LELL ALFRED

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/10 ,  H01S5/24

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist an einer Oberseite (20) eine geometrische Strukturierung (5) auf. Ein Resonator (4) liegt in der Halbleiterschichtenfolge (2) und ist von gegenüberliegenden Facetten (3) begrenzt, wobei die Facetten (3) optisch wirksame Resonatorendflächen (42) beinhalten. Die Strukturierung (3) endet von den Facetten (3) beabstandet. Die Resonatorendflächen (42) sind beabstandet von Materialwegnahmen aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus.

公开(公告)号：DE102018114133A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114133

申请日：2018-06-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01S5/028

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet. Ein Stegwellenleiter (3) ist als Erhebung aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus gestaltet. Eine elektrische Kontaktschicht (5) befindet sich direkt am Stegwellenleiter (3). Ein metallischer elektrischer Anschlussbereich (6) befindet sich direkt an der Kontaktschicht (5) und ist zum externen elektrischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet. Eine metallische Brechbeschichtung (7) reicht direkt bis an Facetten (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) heran und befindet sich an dem Stegwellenleiter (3). Die Brechbeschichtung (7) ist elektrisch funktionslos und weist eine niedrigere Schallgeschwindigkeit für eine Bruchwelle auf, als die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich des Stegwellenleiters (3).

公开(公告)号：DE112017003576A5

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：DE112017003576

申请日：2017-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  STOJETZ BERNHARD

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

公开(公告)号：DE102017123755A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017123755

申请日：2017-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  LÖFFLER ANDREAS

IPC: H01S5/40

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens (10) beschrieben, umfassend die Schritte:- Herstellen einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Emittern (1, 2), wobei die Emitter (1, 2) jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (9) mit einer zur Erzeugung von Laserstrahlung geeigneten aktiven Schicht (4), einen p-Kontakt (6) und einen n-Kontakt (7) aufweisen,- Prüfen mindestens einer optischen und/oder elektrischen Eigenschaft der Emitter (1, 2) wobei Emitter (1), bei denen die optische und/oder elektrische Eigenschaft innerhalb eines vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von ersten Emittern (1) zugeordnet werden, und Emitter (2), bei denen die mindestens eine optische und/oder elektrische Eigenschaft außerhalb des vorgegebenen Sollwertbereichs liegt, einer Gruppe von zweiten Emittern (2) zugeordnet werden,- Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (8) zumindest auf die p-Kontakte (6) der zweiten Emitter (2),- elektrisches Kontaktieren der p-Kontakte (6) der ersten Emitter (1) durch Aufbringen einer p-Anschlussschicht (14) auf die p-Kontakte (6) der ersten Emitter (1), wobei die p-Kontakte der zweiten Emitter (2) durch die elektrisch isolierende Schicht (8) von der p-Anschlussschicht (14) elektrisch isoliert sind. Weiterhin wird ein mit dem Verfahren herstellbarer Laserdiodenbarren (10) angegeben.

公开(公告)号：DE112017000994A5

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE112017000994

申请日：2017-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/40

公开(公告)号：DE102016113071A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：DE102016113071

申请日：2016-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  STOJETZ BERNHARD

IPC: H01S5/24

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) angegeben, die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Grabenstruktur (10) mit zumindest einem Graben (11, 12) oder einer Mehrzahl von Gräben (11, 12) zumindest auf einer Seite lateral neben dem aktiven Bereich (5) aufweist, wobei sich jeder Graben (11, 12) der Grabenstruktur (10) in longitudinaler Richtung (93) erstreckt und von einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) her in einer vertikalen Richtung (92) in die Halbleiterschichtenfolge (2) hineinragt und wobei die Grabenstruktur (10) in lateraler und/oder vertikaler und/oder longitudinaler Richtung (91, 92, 93) in Bezug auf Eigenschaften des zumindest einen Grabens (11, 12) oder der Mehrzahl von Gräben (11, 12) variiert.