公开(公告)号：DE102018111319A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111319

申请日：2018-05-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG HARALD ,  EBBECKE JENS ,  LELL ALFRED ,  GERHARD SVEN ,  VIERHEILIG CLEMENS

IPC: H01S5/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend einen ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich (103), einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps und einer zur Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Auskoppelfläche (20) angegeben. Der erste Bereich (101), der aktive Bereich (103) und der zweite Bereich (102) sind entlang einer Stapelrichtung (Y) angeordnet. Der aktive Bereich (103) erstreckt sich von einer der Auskoppelfläche (20) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (30) zur Auskoppelfläche (20) entlang einer longitudinalen Richtung (X), die quer oder senkrecht zu der Stapelrichtung (Y) verläuft. Die Auskoppelfläche (20) ist planparallel zur Rückseitenfläche (30) angeordnet. Die Auskoppelfläche (20) und die Rückseitenfläche (30) des Halbleiterkörpers (10) sind mittels eines Ätzprozesses erzeugt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017109809A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017109809

申请日：2017-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  SOMERS ANDRÉ ,  KÖNIG HARALD ,  STOJETZ BERNHARD ,  LÖFFLER ANDREAS ,  LELL ALFRED

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/36

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips (100) angegeben, bei dem während eines Aufwachsprozesses zum Aufwachsen einer ersten Halbleiterschicht (1) eine inhomogene laterale Temperaturverteilung entlang zumindest einer Erstreckungsrichtung der aufwachsenden ersten Halbleiterschicht (1) erzeugt wird, so dass eine laterale Variation einer Materialzusammensetzung der ersten Halbleiterschicht (1) hergestellt wird. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102011055891B9

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102011055891

申请日：2011-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LAUER CHRISTIAN ,  KÖNIG HARALD ,  STRAUSS UWE ,  BACHMANN ALEXANDER

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/024

Abstract: Halbleiterlaserdiode, aufweisend – eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten (21, 22, 23, 25, 26) mit einer aktiven Schicht (23), die einen aktiven Bereich (24) mit einer Breite von größer oder gleich 30 μm aufweist, der im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche (11) abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche (11) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) gebildet wird und mit einer gegenüberliegenden Rückseitenfläche (12) einen Resonator mit lateraler Gewinnführung in einer longitudinalen Richtung bildet und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) durch den Betrieb in einem thermischen Einflussbereich (29) erwärmt wird, – eine Metallisierungsschicht (3) in direktem Kontakt zumindest mit einem Teilbereich mit einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberseite (20) durch eine Halbleiterdeckschicht (25) gebildet wird, und – eine strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) auf der Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) zumindest die Metallisierungsschicht (3) aufweist, wobei ...

公开(公告)号：DE102011055891B4

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：DE102011055891

申请日：2011-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LAUER CHRISTIAN ,  KÖNIG HARALD ,  STRAUSS UWE ,  BACHMANN ALEXANDER

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/024

Abstract: Halbleiterlaserdiode, aufweisend – eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten (21, 22, 23, 25, 26) mit einer aktiven Schicht (23), die einen aktiven Bereich (24) mit einer Breite von größer oder gleich 30 μm aufweist, der im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche (11) abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche (11) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) gebildet wird und mit einer gegenüberliegenden Rückseitenfläche (12) einen Resonator mit lateraler Gewinnführung in einer longitudinalen Richtung bildet und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) durch den Betrieb in einem thermischen Einflussbereich (29) erwärmt wird, – eine Metallisierungsschicht (3) in direktem Kontakt zumindest mit einem Teilbereich mit einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberseite (20) durch eine Halbleiterdeckschicht (25) gebildet wird, und – eine strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) auf der Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) zumindest die Metallisierungsschicht (3) aufweist, wobei – die Metallisierungsschicht (3) eine kumulierte Breite (B1) aufweist und das Verhältnis der kumulierten Breite (31) zu einer Breite (32) des thermischen Einflussbereichs (29) in Abhängigkeit von einem Abstand zur Strahlungsauskoppelfläche (11) variiert, wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) eine Wärmeableitung aus dem aktiven Bereich (24) ermöglicht, die entlang einer longitudinalen und/oder lateralen Richtung variiert, und – auf der Metallisierungsschicht (3) in direktem Kontakt eine interne Wärmesenke (7) aufgebracht ist, wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) die interne Wärmesenke (7) aufweist und die interne Wärmesenke (7) zumindest in lateraler und/oder longitudinaler Richtung eine Strukturierung aufweist, und die Strukturierung der internen Wärmesenke (7) durch Materialien (71, 72) mit unterschiedlicher Wärmeleitfähigkeit gebildet wird.

公开(公告)号：DE102017012409B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102017012409

申请日：2017-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  PESKOLLER FLORIAN ,  AUEN KARSTEN ,  SCHULZ ROLAND ,  BRUNNER HERBERT ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

IPC: H01S5/02

Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.

公开(公告)号：DE102021113297A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021113297

申请日：2021-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NÄHLE LARS ,  KÖNIG HARALD ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/20 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/11 ,  H01S5/24 ,  H01S5/343

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1) mit einer Aufwachsfläche (2),- Einbringen zumindest einer Struktur (10) zumindest in einen Facettenbereich (6) der Aufwachsfläche (2),- epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, auf der Aufwachsfläche (2), wobei- die Struktur (10) von Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) überwachsen wird, so dass die aktive Zone (12) in einem nichtabsorbierenden Spiegelbereich (24) eine Bandlücke aufweist, die größer ist als im restlichen Bereich der aktiven Zone (12).Außerdem wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：DE112019005619A5

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE112019005619

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG HARALD ,  STOJETZ BERNHARD ,  LELL ALFRED ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

公开(公告)号：DE102019106674A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：DE102019106674

申请日：2019-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ BERNHARD ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  ALI MUHAMMAD

IPC: G02B27/18 ,  G02B26/10 ,  G02F1/35 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  H01S3/00

Abstract: Beschrieben werden eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zur Projektion einer Mehrzahl von Strahlungspunkten auf eine Objektoberfläche (3) mit wenigstens einer Strahlungsquelle (1), die eine Mehrzahl von Emittern (2) zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung aufweist, mit wenigstens einem Strahlenweg (4), über den die zumindest zeitweise von den Emittern (2) emittierte Strahlung in Richtung auf die Objektoberfläche (3) gelenkt wird und mit einer Steuerung (5), die zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung die Strahlungsquelle (1) in Abhängigkeit eines auf der Objektoberfläche (3) zu erzeugenden Lichtobjekts ansteuert. Die Steuerung (5) ist derart ausgeführt ist, dass wenigstens zwei der Mehrzahl von Emittern (2) der Strahlungsquelle (1) jeweils einzeln zur Veränderung wenigstens einer Eigenschaft der emittierten Strahlung in Abhängigkeit des zu erzeugenden Lichtobjekts angesteuert werden, und im Strahlenweg (4) ist wenigstens ein Optikelement (6) zur Formung, Lenkung und/oder Konvertierung der elektromagnetischen Strahlung angeordnet.

公开(公告)号：DE102018131579A1

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102018131579

申请日：2018-12-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD SVEN ,  SOMERS ANDRÉ ,  KÖNIG HARALD ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01L33/64 ,  H01L23/544 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit:- einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und- einer metallischen Schicht (3), die auf dem Halbleiterchip (2) angeordnet ist, wobei- eine Außenfläche der metallischen Schicht (4) eine Strukturierung (5) aufweist,- mittels der Strukturierung (5) eine Identifikation des Bauteils (1) ermöglicht ist, und- die metallische Schicht (3) zusammenhängend ausgebildet ist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102018127977A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE102018127977

申请日：2018-11-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG HARALD ,  STOJETZ BERNHARD ,  LELL ALFRED ,  ALI MUHAMMAD

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/40

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsstrom Ivollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall Uauftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms Idurch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand Rerfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rbei einer Betriebstemperatur Teinen positiven Temperaturkoeffizienten dR/dT|aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand Rgrößer als |ΔU/I|, wobei ΔUdie Änderung des Spannungsabfalls Uam zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur Tum 1 K ist.